【摘要】：碳化硅(SiC)器件的阻斷電壓高,開關(guān)速度快,耐高溫。分析了基于SiC器件的2MW雙饋風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng),對(duì)幾種典型變流器拓?fù)溥M(jìn)行了效率分析并與Si IGBT兩電平、三電平二極管中點(diǎn)箝位(NPC)變流器進(jìn)行比較。在3 kHz開關(guān)頻率下,SiC MOS兩電平變流器較Si IGBT兩電平效率提高3%,三電平變流器效率提高1%。
[Abstract]:Silicon carbide (SiC) devices have high blocking voltage, fast switching speed and high temperature resistance. The 2MW doubly-fed wind power generation system based on SiC device is analyzed. Several typical converter topologies are analyzed and compared with Si IGBT two-level and three-level diode midpoint clamped (NPC) converters. At 3 kHz switching frequency, the efficiency of, SiC MOS two-level converter is 3% higher than that of Si IGBT two-level converter, and the efficiency of three-level converter is 1% higher than that of Si IGBT two-level converter.
【作者單位】： 浙江大學(xué) 電氣工程學(xué)院;
【基金】：浙江省重點(diǎn)科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目(2010R50021 國家863計(jì)劃(SS2012AA053602,SS2012AA053603)~~
【分類號(hào)】：TM46

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本文編號(hào)：2475825