【摘要】:由于能源危機的加重,清潔能源受到越來越多的關注,尤其是太陽能。太陽能電池是利用光伏效應直接將光能轉(zhuǎn)換為電能的光電子器件。薄膜太陽能電池的厚度通常為1-2μm,能有效的減少半導體材料的用量從而降低成本。與晶片基太陽能電池相比薄膜太陽能電池的光吸收效率較低,故其能量轉(zhuǎn)換效率較低。因此,發(fā)展一種能夠有效提高薄膜太陽能電池光吸收效率的技術非常重要。提高太陽能電池光吸收效率的傳統(tǒng)方法主要為表面粗化和制備抗反射膜。然而,表面粗化結(jié)構的尺寸約為10μm,無法應用于薄膜太陽能電池中;而亞微米的表面粗化能有效的提高光提取效率,但它同時也提高了少數(shù)截流子在表面和結(jié)處的再復合?狗瓷淠ぶ荒茉黾犹囟úㄩL的光吸收效率,而且沉積SiOx和SiNx為主要成分的抗反射膜需要昂貴的設備,增加了生產(chǎn)成本。表面等離激元共振(SPRs)是由入射電磁波誘導的金屬表面電子的集體振蕩現(xiàn)象,它能顯著增強金屬納米結(jié)構附近的電場強度,提高金屬納米結(jié)構的散射截面進而增強光在太陽能電池吸收層內(nèi)的光程,增強光吸收效率。SPRs的波長和強度不僅依賴于金屬納米結(jié)構的材料,還依賴于金屬納米結(jié)構的尺寸和形貌。在本論文中,我們采用物理和化學方法制備了Ag的等離激元納米結(jié)構并應用于GaInP太陽能電池。在本論文的內(nèi)容分為四個章節(jié)。分別為第一章緒論;第二章利用濺射和光誘導方法制備Ag納米等離激元結(jié)構;第三章利用自發(fā)電流置換方法在GaInP薄膜太陽能電池表面制備Ag納米等離激元結(jié)構提高其光電轉(zhuǎn)換效率;第四章結(jié)論和展望。主要的研究內(nèi)容和結(jié)論如下:(1)利用濺射-退火過程在GaInP薄膜太陽能電池表面直接制備Ag納米結(jié)構,通過改變?yōu)R射時間和退火溫度實現(xiàn)對Ag納米結(jié)構形貌的調(diào)控。研究發(fā)現(xiàn)在低溫(250℃)退火條件下,濺射時間只影響Ag納米顆粒的密度,而對納米顆粒的尺寸幾乎沒有影響;而在高溫(450℃)退火條件下,可以形成尺寸較大的Ag納米顆粒,有利于增強太陽能電池的光吸收。(2)利用光誘導方法實現(xiàn)對Ag納米顆粒尺寸和形貌的調(diào)控。首先利用紫外光照將光引發(fā)劑1173光解成具有還原性的自由基,它能將溶液中的Ag+還原成Ag原子并在溶液中成核并在穩(wěn)定劑檸檬酸鈉的作用下形成尺寸為~10 nm的球形Ag納米顆粒晶種。然后利用不同波長的單或雙束LEDs光源照射Ag納米晶種溶液,誘導Ag納米顆粒的生長。實驗結(jié)果表明在入射光的的調(diào)控下球形Ag納米晶種顆?梢赞D(zhuǎn)變?yōu)槭骟w、三角棱柱和環(huán)狀納米結(jié)構,而且溶液的顏色也會發(fā)生相應的變化。(3)通過自發(fā)電流置換反應在GaInP薄膜太陽能電池表層AlInP結(jié)構上制備Ag納米顆粒。研究結(jié)果表明當AlInP表面與濃度為10 mM的AgNO3溶液接觸時, AlInP導帶的電子會被Ag+捕獲并還原成Ag原子,在AlInP表面形成Ag納米顆粒。通過控制反應時間可以實現(xiàn)對Ag納米顆粒尺寸和密度調(diào)控。(4)研究了自發(fā)電流置換方法制備的Ag納米顆粒對GaInP薄膜太陽能電池性能的影響。實驗結(jié)果表明,GaInP薄膜太陽能電池的短路電流密度(Jsc)從14.9 mA/cm2增加到17.8 mA/cm2,增加了19.5%;功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)從15.2%增加到18.3%,增加了20.4%;而開路電壓(Voc)基本沒有發(fā)生變化。綜上所述,本論文利用濺射-退火、光誘導和自發(fā)電流置換反應分別實現(xiàn)了Ag納米等離激元結(jié)構的制備和形貌調(diào)控,并研究了Ag等離激元納米顆粒對太陽能電池性能的影響。研究發(fā)現(xiàn)由于Ag納米顆粒的表面等離激元效應,可以將GalnP薄膜太陽能電池的功率轉(zhuǎn)換效率提高20.4%。
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【學位授予單位】:山東大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2015
【分類號】:TM914.4
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本文編號:
2443462
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