【摘要】：為了抑制大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的關(guān)斷電壓尖峰,提出了一種有源門極控制方法及其優(yōu)化方法。該控制方法采用電容反饋關(guān)斷電壓上升率來控制驅(qū)動電路,通過具備定時功能的高速高增益放大器降低反饋電容的容值,補償集電極電流輸出響應(yīng)相對于有源門極控制信號的延時,并保證所提出的有源門極控制方法僅在IGBT關(guān)斷過程中工作,提高了電路工作的可靠性。通過SABER仿真分析了關(guān)鍵參數(shù)對該方法抑制關(guān)斷電壓尖峰效果的影響,提出了一套品質(zhì)因數(shù)評價體系,用于定量評估不同參數(shù)下的控制效果。風(fēng)力發(fā)電變流器在極端工況下的實驗結(jié)果表明,所提出的方法使用較小容值的反饋電容依然能夠在僅有400 V電壓裕量的嚴厲條件下降低電流下降速率,從而保證了IGBT的安全工作。
[Abstract]:In order to suppress the turn-off voltage spike of high power insulated gate bipolar transistor (IGBT), an active gate control method and its optimization method are proposed. In this control method, capacitor feedback turn-off voltage rise rate is used to control drive circuit, and the capacity of feedback capacitance is reduced by high speed and high gain amplifier with timing function. Compensation collector current output response to the active gate control signal delay, and ensure that the proposed active gate control method only in the IGBT turn off process, improve the reliability of the circuit. The effect of key parameters on the suppression of turn-off voltage spike is analyzed by SABER simulation. A set of quality factor evaluation system is proposed to quantitatively evaluate the control effect under different parameters. The experimental results of wind power converters under extreme conditions show that the proposed method can reduce the current drop rate under the severe condition of only 400 V voltage margin. In order to ensure the safety of IGBT work.
【作者單位】： 電力設(shè)備電氣絕緣國家重點實驗室;西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(50707025)~~
【分類號】：TM46;TN322.8

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本文編號：2253243