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一個(gè)通用的記憶器件模擬器

發(fā)布時(shí)間:2018-08-07 21:47
【摘要】:本文根據(jù)惠普憶阻器模型提出了一個(gè)新的接地憶阻器模擬等效電路.并以此為基礎(chǔ),采用常規(guī)的電子元件構(gòu)建了一個(gè)通用的記憶器件模擬器.該模擬器能在電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不變的情況下,通過改變接入元件的性質(zhì)能將接地憶阻器分別轉(zhuǎn)化為浮地憶阻器、浮地憶感器和浮地憶容器.由于該模擬器是浮地的,因而可以方便的與其他電子器件實(shí)現(xiàn)靈活的連接形式.Pspice仿真實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了模擬器的真確性和有效性.
[Abstract]:Based on the Hewlett-Packard (HP) model, a new analog equivalent circuit of earthing resistor is proposed in this paper. On this basis, a general memory device simulator is constructed using conventional electronic components. The simulator can transform the grounding resistor into a floating resistor, a floating sensor and a floating receptacle by changing the properties of the access element when the topology of the circuit is unchanged. Because the simulator is floating, it can be easily connected with other electronic devices. PSpice simulation results show that the simulator is true and effective.
【作者單位】: 湘潭大學(xué)信息工程學(xué)院;湘潭大學(xué)光電工程系;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:61176032)資助的課題~~
【分類號】:TM13

【參考文獻(xiàn)】

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1 賈林楠;黃安平;鄭曉虎;肖志松;王玫;;界面效應(yīng)調(diào)制憶阻器研究進(jìn)展[J];物理學(xué)報(bào);2012年21期

2 胡豐偉;包伯成;武花干;王春麗;;荷控憶阻器等效電路分析模型及其電路特性研究[J];物理學(xué)報(bào);2013年21期

【共引文獻(xiàn)】

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1 張永華;鄭芳林;熊大元;王永亮;;第四種基本電路元件憶阻器及其應(yīng)用[J];微納電子技術(shù);2013年12期

2 李智煒;劉海軍;徐欣;;憶阻逾滲導(dǎo)電模型中的初態(tài)影響[J];物理學(xué)報(bào);2013年09期

3 梁燕;于東升;陳昊;;基于模擬電路的新型憶感器等效模型[J];物理學(xué)報(bào);2013年15期

4 胡豐偉;包伯成;武花干;王春麗;;荷控憶阻器等效電路分析模型及其電路特性研究[J];物理學(xué)報(bào);2013年21期

5 容佳玲;陳峗漢;周潔;張雪;王立;曹進(jìn);;基于ITO/聚甲基丙烯酸甲酯/Al的有機(jī)阻變存儲器SPICE仿真[J];物理學(xué)報(bào);2013年22期

6 田曉波;徐暉;李清江;;橫截面積參數(shù)對鈦氧化物憶阻器導(dǎo)電特性的影響[J];物理學(xué)報(bào);2014年04期

7 楊芳艷;冷家麗;李清都;;基于Chua電路的四維超混沌憶阻電路[J];物理學(xué)報(bào);2014年08期

8 劉玉東;王連明;;基于憶阻器的spiking神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在圖像邊緣提取中的應(yīng)用[J];物理學(xué)報(bào);2014年08期

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條

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【二級參考文獻(xiàn)】

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2 張旭;周玉澤;閉強(qiáng);楊興華;俎云霄;;有邊界條件的憶阻元件模型及其性質(zhì)[J];物理學(xué)報(bào);2010年09期

3 鄭曉虎;黃安平;楊智超;肖志松;王玫;程國安;;稀土元素?fù)诫s的Hf基柵介質(zhì)材料研究進(jìn)展[J];物理學(xué)報(bào);2011年01期

4 包伯成;胡文;許建平;劉中;鄒凌;;憶阻混沌電路的分析與實(shí)現(xiàn)[J];物理學(xué)報(bào);2011年12期

5 宋德華;呂夢菲;任翔;李萌萌;俎云霄;;憶阻電路的基本性質(zhì)及其應(yīng)用[J];物理學(xué)報(bào);2012年11期

6 賈林楠;黃安平;鄭曉虎;肖志松;王玫;;界面效應(yīng)調(diào)制憶阻器研究進(jìn)展[J];物理學(xué)報(bào);2012年21期

7 李智煒;劉海軍;徐欣;;憶阻逾滲導(dǎo)電模型中的初態(tài)影響[J];物理學(xué)報(bào);2013年09期

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

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2 夏建榮,王炯;SB2204 型智能化介質(zhì)損耗測試儀[J];電測與儀表;1998年10期

3 葉秀羲;朱長青;石右仁;;基于USB總線的虛擬數(shù)字多用表設(shè)計(jì)[J];電測與儀表;2007年12期

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本文編號:2171445

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