發(fā)布時間：2018-06-04 23:52

  本文選題：IGBT + PSPICE仿真��； 參考：《電源技術(shù)》2014年12期

【摘要】：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)閥是柔性直流換流系統(tǒng)的核心,建立實用準(zhǔn)確的IGBT模型,對于模擬電磁騷擾源具有非常重要的意義。在IGBT等效電路基礎(chǔ)上,采用復(fù)合模型法構(gòu)造IGBT寬頻等效電路模型,利用PSPICE軟件的模型參數(shù)提取程序Parts分別提取功率MOSFET和BJT的模型參數(shù)。在此基礎(chǔ)上,從IGBT的導(dǎo)電機理出發(fā),用二極管的勢壘電容表征其內(nèi)部的壓控寄生電容,建立其等效電路模型,并利用IGBT數(shù)據(jù)手冊和計算相結(jié)合的方式提取寄生參數(shù),仿真其穩(wěn)態(tài)、動態(tài)特性。仿真結(jié)果和廠家給出的實測結(jié)果的對比,驗證了該模型的正確性。
[Abstract]:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) valve is the core of flexible DC commutation system. It is very important to establish a practical and accurate IGBT model for simulating electromagnetic disturbance source. On the basis of IGBT equivalent circuit, the IGBT broadband equivalent circuit model is constructed by compound model method, and the model parameters of power MOSFET and BJT are extracted by the model parameter extraction program Parts of PSPICE software, respectively. On this basis, based on the conduction mechanism of IGBT, the internal voltage-controlled parasitic capacitance is characterized by the barrier capacitance of the diode, the equivalent circuit model is established, and the parasitic parameters are extracted by the combination of IGBT data manual and calculation. The steady and dynamic characteristics are simulated. The correctness of the model is verified by comparing the simulation results with the measured results.
【作者單位】： 華北電力大學(xué)新能源電力系統(tǒng)國家重點實驗室;國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院電力電子研究所;
【基金】：國家電網(wǎng)公司科技項目(DL17201200040)
【分類號】：TM721.1

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本文編號：1979420