發(fā)布時間：2018-05-14 07:53

  本文選題：表面介質(zhì)阻擋放電 + 納秒脈沖��； 參考：《高電壓技術(shù)》2014年10期

【摘要】：表面介質(zhì)阻擋放電(DBD)在氣體流動控制方面有著巨大的應用前景。利用自制的納秒和微秒脈沖電源進行表面DBD實驗,比較了電壓幅值、介質(zhì)厚度、電極水平間距等對兩種激勵下表面DBD電特性的影響并進行了分析。實驗中兩種電源激勵的表面介質(zhì)阻擋放電能量均在mJ量級,上升沿瞬時最大功率達到幾十kW。實驗結(jié)果表明:在脈沖上升沿有多次放電,微秒脈沖上升沿放電次數(shù)比納秒脈沖多;隨著電壓幅值上升,放電次數(shù)減少;介質(zhì)越薄,放電越激烈,能量越大;電極水平間距對表面DBD放電有影響,間距0 mm時能量消耗最大;施加脈沖電壓頻率越大,放電等離子體的亮度越大;微秒脈沖放電的等離子體區(qū)域要大于納秒脈沖放電。
[Abstract]:Surface dielectric barrier discharge (DBD) has great application prospect in gas flow control. The effects of voltage amplitude, dielectric thickness and electrode horizontal spacing on the electrical properties of surface DBD under two excitations were compared and analyzed by using the home-made nanosecond and microsecond pulse power supply for surface DBD experiments. In the experiment, the surface dielectric barrier discharge energy excited by two kinds of power sources is in the order of MJ, and the maximum power at the rising edge is several tens of kW. The experimental results show that there are many discharge times at the rising edge of the pulse and more times at the rise edge of the microsecond pulse than the nanosecond pulse, the discharge times decrease with the increase of the voltage amplitude, the thinner the dielectric, the more intense the discharge and the greater the energy. The horizontal electrode spacing has an effect on the surface DBD discharge. The maximum energy consumption is obtained when the gap is 0 mm. The higher the pulse voltage frequency is, the greater the brightness of the discharge plasma is, and the plasma region of the microsecond pulse discharge is larger than that of the nanosecond pulse discharge.
【作者單位】： 中國科學院電工研究所;中國科學院大學;中國科學院電力電子與電氣驅(qū)動重點實驗室;中國人民解放軍裝備學院;
【基金】：國家自然科學基金(51222701;11205244)~~
【分類號】：TM85

【參考文獻】

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1 王新新;;介質(zhì)阻擋放電及其應用[J];高電壓技術(shù);2009年01期

2 車學科;聶萬勝;豐松江;馮必鳴;;介質(zhì)阻隔面放電的結(jié)構(gòu)參數(shù)[J];高電壓技術(shù);2009年09期

3 梁華;李應紅;賈敏;張盛志;白軍興;;等離子體氣動激勵的能量轉(zhuǎn)化過程分析[J];高電壓技術(shù);2010年12期

4 趙小虎;李應紅;岳太鵬;吳云;朱濤;羅志煌;;等離子體氣動激勵抑制高負荷壓氣機葉柵流動分離的實驗研究[J];高電壓技術(shù);2011年06期

5 李清泉;許光可;房新振;郝玲艷;王寶華;;沿面型介質(zhì)阻擋放電的數(shù)值仿真計算[J];高電壓技術(shù);2012年07期

6 李鋼;楊凌元;聶超群;朱俊強;徐燕驥;;等離子體激勵頻率對壓氣機擴穩(wěn)效果的影響[J];高電壓技術(shù);2012年07期

7 姜慧;邵濤;車學科;章程;李文峰;嚴萍;;納秒脈沖表面放電等離子體影響因素的實驗研究[J];高電壓技術(shù);2012年07期

8 李和平;陳國旭;王志斌;葛楠;包成玉;;采用多電極結(jié)構(gòu)的大面積表面介質(zhì)阻擋放電特性(英文)[J];高電壓技術(shù);2013年09期

9 車學科;聶萬勝;田希暉;侯志勇;程鈺鋒;周鵬輝;;SDBD等離子體中正、負離子的動量傳遞效率[J];高電壓技術(shù);2014年04期

10 宋慧敏;張喬根;李應紅;賈敏;吳云;梁華;;Plasma Sheet Actuator Driven by Repetitive Nanosecond Pulses with a Negative DC Component[J];Plasma Science and Technology;2012年04期

【共引文獻】

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1 吳云亞;闞加榮;陳權(quán);;中小功率臭氧發(fā)生器高壓變壓器設計[J];磁性材料及器件;2011年02期

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3 王曉靜;孫才新;李成祥;米彥;;多針-同軸電極介質(zhì)阻擋放電的傳輸電荷產(chǎn)生條件分析[J];重慶大學學報;2011年09期

4 趙遠濤;張若兵;王黎明;關(guān)志成;;雙極性脈沖電壓下介質(zhì)阻擋放電及其滌綸表面改性[J];高電壓技術(shù);2009年09期

5 方志;楊浩;司瓊;鄭向陽;解向前;;利用介質(zhì)阻擋放電處理提高太陽能電池板背膜表面能[J];高電壓技術(shù);2010年02期

6 李興旺;李紀文;吳云飛;葉齊政;;絲網(wǎng)輔助氣液兩相體介質(zhì)阻擋放電及在水處理中的應用[J];高電壓技術(shù);2010年03期

7 高旭東;孫保民;肖海平;尹水娥;柳峗;白培爍;;間隙距離對DBD脫除NO_x的影響及機理分析[J];高電壓技術(shù);2010年08期

8 邵先軍;馬躍;李婭西;張增輝;張冠軍;;大氣壓短間隙Ar介質(zhì)阻擋輝光放電的模擬分析[J];高電壓技術(shù);2010年08期

9 韓文赫;蔡憶昔;王軍;孫傳紅;鄭榮耀;;空氣介質(zhì)阻擋放電型間接低溫等離子體系統(tǒng)性能實驗分析[J];高電壓技術(shù);2010年12期

10 張貴新;董晉陽;王長全;;放電參數(shù)對無極燈發(fā)光特性的影響[J];高電壓技術(shù);2011年03期

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3 童家峗;空氣等離子體預處理提高穿心蓮種子活力的研究[D];廣州中醫(yī)藥大學;2012年

4 王曉靜;大氣壓介質(zhì)阻擋放電多針—同軸反應器結(jié)構(gòu)優(yōu)化及降解甲醛試驗研究[D];重慶大學;2012年

5 楊德正;大氣壓納秒脈沖介質(zhì)阻擋放電光譜特性與應用基礎研究[D];大連理工大學;2012年

6 宋新新;大氣壓介質(zhì)阻擋放電特性的理論研究[D];山東大學;2013年

7 陳波;大氣壓脈沖介質(zhì)阻擋放電特性及放電參數(shù)效應研究[D];山東大學;2013年

8 吳云飛;介質(zhì)阻擋放電圖像識別方法及均勻性影響研究[D];華中科技大學;2013年

9 于大海;旋轉(zhuǎn)電極均勻介質(zhì)阻擋放電及應用研究[D];華中科技大學;2013年

10 唐首鋒;介質(zhì)阻擋放電再生活性炭及其反應器放大研究[D];大連理工大學;2013年

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3 王加偉;DBD時空演化與等效電路模型的關(guān)聯(lián)性研究[D];大連海事大學;2011年

4 涂恩來;大氣壓氦氣多脈沖介質(zhì)阻擋放電模式與演化過程研究[D];華南理工大學;2011年

5 李海波;介質(zhì)阻擋放電電源的研究與設計[D];山東大學;2011年

6 耿振;介質(zhì)阻擋放電等離子體在材料表面改性中的應用[D];長春理工大學;2011年

7 王曉琳;DBD等離子體在生物醫(yī)學中的應用研究[D];長春理工大學;2011年

8 白海英;介質(zhì)阻擋放電轉(zhuǎn)化甲醇和甲烷研究[D];天津大學;2010年

9 王新輝;介質(zhì)阻擋放電等離子體去除柴油機中氮氧化物的研究[D];天津大學;2010年

10 李興旺;基于空間周期性邊界的DBD相關(guān)問題研究[D];華中科技大學;2011年

【二級參考文獻】

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1 劉勇;李清泉;;電流體動力等離子體發(fā)生器特性實驗研究[J];電工電能新技術(shù);2009年02期

2 于達仁,武志文,鄂鵬,A.I.Bugrova;穩(wěn)態(tài)等離子體發(fā)動機磁場設計的發(fā)展及其展望[J];中國工程科學;2005年04期

3 宋慧敏;李應紅;魏灃亭;張樸;;等離子體電流體動力激勵器的建模與仿真[J];高電壓技術(shù);2006年03期

4 李益文;李應紅;張百靈;吳云;蘇長兵;梁華;;鋸齒等離子體氣動激勵器放電特性與加速效應[J];高電壓技術(shù);2008年01期

5 吳云;李應紅;蘇長兵;李益文;宋慧敏;;等離子體氣動激勵系統(tǒng)的諧振特性實驗研究[J];高電壓技術(shù);2008年01期

6 龍凱華;邵濤;嚴萍;金其龍;;高壓納秒脈沖下介質(zhì)阻擋放電的仿真研究[J];高電壓技術(shù);2008年06期

7 王新新;;介質(zhì)阻擋放電及其應用[J];高電壓技術(shù);2009年01期

8 姜春陽;夏勝國;鄒鑫;何俊佳;;介質(zhì)阻擋放電邊緣電場對甲烷燃燒強化的影響[J];高電壓技術(shù);2009年01期

9 梁華;李應紅;吳云;武衛(wèi);馬清源;;等離子體氣動激勵的數(shù)值仿真[J];高電壓技術(shù);2009年05期

10 何麗娟;李堅;梁文俊;金毓\，

本文編號：1887025