本文選題：復(fù)合電極　切入點：納米針陣列　出處：《電池》2014年06期

【摘要】：通過陽極氧化法在銅基體上生成Cu(OH)2納米針陣列,以此為基體,使用脈沖電沉積法制備Cu(OH)2-Sb Sn前驅(qū)體,在400℃下煅燒2 h,得到Cu-O-Sb-Sn復(fù)合電極。用XRD、SEM和充放電測試,分析產(chǎn)物物相組成、形貌結(jié)構(gòu)與電化學(xué)性能的關(guān)系。熱處理后,具有納米針陣列的Cu-O-Sb-Sn復(fù)合電極性能較好。以0.15 m A/cm2的電流密度在0.01~1.80 V充放電,首次可逆容量密度為1.68 m Ah/cm2,第50次循環(huán)的可逆容量密度為1.15 m Ah/cm2。熱處理過程中生成的復(fù)雜多相和穩(wěn)定的納米針陣列結(jié)構(gòu),可提供足夠的空間來緩解活性物質(zhì)在充放電過程中的體積變化。
[Abstract]:The Cu(OH)2 nano-needle arrays were prepared by anodizing method on copper substrate. The precursor of Cu(OH)2-Sb Sn was prepared by pulse electrodeposition method. The Cu-O-Sb-Sn composite electrode was obtained by calcination at 400 鈩，

本文編號：1701817