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特高壓氣體絕緣開關(guān)設(shè)備的隔離開關(guān)殘余電荷電壓仿真分析

發(fā)布時(shí)間:2018-03-23 18:10

  本文選題:特高壓 切入點(diǎn):氣體絕緣開關(guān)設(shè)備 出處:《高電壓技術(shù)》2014年12期


【摘要】:為研究特高壓氣體絕緣開關(guān)設(shè)備的隔離開關(guān)殘余電荷電壓特性及其仿真方法,首先分析了殘余電荷電壓的幾種影響因素;并在真型試驗(yàn)平臺(tái)上開展了大量試驗(yàn)研究,對(duì)氣體絕緣開關(guān)設(shè)備隔離開關(guān)分閘空載短母線所產(chǎn)生的觸頭間隙重復(fù)擊穿過(guò)程進(jìn)行了分析。基于試驗(yàn)結(jié)果,采用一元線性回歸法得到觸頭間隙的擊穿特性表達(dá)式,并在此基礎(chǔ)上得到了殘余電荷電壓統(tǒng)計(jì)特性的仿真方法。結(jié)果表明,觸頭間隙正、負(fù)極性擊穿電壓之比約為1.3:1;正極性擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度在22~26 k V/mm之間。減小隔離開關(guān)開斷速度,增大正、負(fù)極性擊穿電壓之差,降低SF6絕緣耐受強(qiáng)度都可以降低高幅值殘余電荷電壓的出現(xiàn)概率。
[Abstract]:In order to study the characteristics and simulation methods of residual charge voltage in isolator of UHV gas insulated switchgear, several influencing factors of residual charge voltage are analyzed firstly, and a large number of experimental studies are carried out on the real test platform. In this paper, the repeated breakdown process of contact gap caused by non-load short busbar in isolating switch of gas insulated switchgear is analyzed. Based on the test results, the breakdown characteristic expression of contact gap is obtained by using the univariate linear regression method. The simulation method for the statistical characteristics of residual charge voltage is obtained. The results show that the ratio of positive contact gap to negative breakdown voltage is about 1.3: 1, and the positive breakdown electric field intensity is between 22 ~ 26k V/mm. Increasing the difference between positive and negative breakdown voltage and decreasing SF6 insulation resistance can reduce the probability of high amplitude residual charge voltage.
【作者單位】: 中國(guó)電力科學(xué)研究院;國(guó)家電網(wǎng)公司;電力規(guī)劃設(shè)計(jì)總院;華北電力大學(xué);
【基金】:國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目(973計(jì)劃)(2011CB209405) 國(guó)家電網(wǎng)公司科技項(xiàng)目(GY71 13 035;GY71 12 028)~~
【分類號(hào)】:TM564

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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2 汪l

本文編號(hào):1654592


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