本文選題：光學(xué)設(shè)計(jì)　切入點(diǎn)：陷光結(jié)構(gòu)　出處：《光學(xué)學(xué)報(bào)》2014年04期 　論文類(lèi)型：期刊論文

【摘要】：利用光散射與導(dǎo)模共振的理論,設(shè)計(jì)了一種薄膜太陽(yáng)能電池的陷光結(jié)構(gòu),對(duì)硫?qū)倩衔锉∧ぬ?yáng)能電池進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì),選擇多孔氧化鋁薄膜(PAA)作為散射層,模型結(jié)構(gòu)層厚度為:窗口層(AZO)320nm,緩沖層(In2S3)65nm,吸收層(SnS)660nm。研究結(jié)果表明,光散射與導(dǎo)模共振相結(jié)合的薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)能夠提高自身的光吸收率,其中由光散射結(jié)構(gòu)提高的全光譜吸收率約為3%。本設(shè)計(jì)可以?xún)?yōu)化薄膜太陽(yáng)能電池的吸收光譜,提高其對(duì)近紅外波段的光吸收能力,在波長(zhǎng)950nm位置的吸收率達(dá)到85%,增強(qiáng)了薄膜太陽(yáng)能電池的光利用率。
[Abstract]:The use of light scattering and the guided mode resonance theory, designed a light trapping structure of thin film solar cells, the chalcogenide thin film solar cell optimized design, selection of porous alumina films (PAA) as a scattering layer, model layer thickness of window layer (AZO) 320nm, (In2S3) 65nm buffer layer the absorption layer, (SnS) 660nm. results showed that the thin film solar cell structure and light scattering of guided mode resonance combination can improve their light absorption rate, which increased from light scattering structure of the absorption rate is about 3%. absorption spectra in order to optimize the design of thin film solar cells, improve the near infrared band the optical absorption at the wavelength of 950nm, the position of the absorption rate reached 85%, enhanced thin film solar cell light utilization rate.

【作者單位】： 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61076063)
【分類(lèi)號(hào)】：TM914.4

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本文編號(hào)：1617071