雙極電壓比較器電離輻射損傷及劑量率效應分析
本文關鍵詞: 雙極電壓比較器 Coγ輻照 劑量率效應 輻射損傷 出處:《物理學報》2014年02期 論文類型:期刊論文
【摘要】:為了對雙極電壓比較器在電離輻射環(huán)境下的損傷變化特征及其劑量率效應進行研究,選擇一組器件,在不同偏置條件下進行60Coγ高低劑量率的輻照和退火試驗.結(jié)果表明:電壓比較器的電源電流、偏置電流及失調(diào)電壓等多個關鍵參數(shù)都有不同程度的蛻變;偏置條件對于電壓比較器的輻射響應有很大影響;此外,不同公司生產(chǎn)的同種型號電路表現(xiàn)出不同的劑量率效應;通過對測試結(jié)果分析,系統(tǒng)地討論了各參數(shù)變化的原因,并結(jié)合電離損傷退火特性,探討了各劑量率效應形成的機理.研究結(jié)果對工程應用考核提供了參考,而且為設計抗輻射加固器件提供了依據(jù).
[Abstract]:In order to study the damage characteristics and dose rate effect of bipolar voltage comparator in ionizing radiation environment, a group of devices are selected. The irradiation and annealing experiments at high and low dose rate of 60Co 緯 were carried out under different bias conditions. The results showed that the power supply current of the voltage comparator was obtained. Many key parameters, such as bias current and offset voltage, all have different degrees of metamorphosis. The bias condition has great influence on the radiation response of the voltage comparator. In addition, the same type of circuits produced by different companies show different dose-rate effects; Through the analysis of the test results, the causes of the variation of the parameters are systematically discussed, and the mechanism of the formation of each dose rate effect is discussed in combination with the characteristics of ionization damage annealing. The results provide a reference for engineering application evaluation. It also provides a basis for the design of radiation-resistant reinforcement devices.
【作者單位】: 中國科學院特殊環(huán)境功能材料與器件重點實驗室 新疆電子信息材料與器件重點實驗室 中國科學院新疆理化技術研究所;中國科學院大學;
【分類號】:TM714.2
【正文快照】: 1引言電壓比較器被廣泛用于模數(shù)接口、自動控制、電平監(jiān)測以及波形變化等領域,是航天電子器件不可或缺的一員.然而,工作在這些電離輻射環(huán)境中的半導體器件,不可避免地要遭受電離輻照的影響.電離輻照引起晶體管基極電流增加,增益減少等,這些參數(shù)對于電壓比較器有著至關重要的
【參考文獻】
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