本文關(guān)鍵詞：多孔ZnO納米花電子傳輸層對(duì)有機(jī)太陽(yáng)能電池性能的優(yōu)化　出處：《光電子.激光》2014年07期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：通過(guò)水熱法制備了多孔、單晶結(jié)構(gòu)的三維ZnO納米花材料。研究了不同生長(zhǎng)時(shí)間下(6h、9h和12h)的ZnO材料的形貌及光電性能。結(jié)果表明,反應(yīng)9h的多孔ZnO納米花材料具有較高透光率、低缺陷密度以及高載流子遷移率等優(yōu)點(diǎn),是較為理想的電子傳輸層材料。將這些材料應(yīng)用于有機(jī)太陽(yáng)能電池的制備,性能測(cè)試結(jié)果表明,以生長(zhǎng)時(shí)間為9h的多孔ZnO納米花材料作為電子傳輸層的器件性能最佳,與無(wú)ZnO修飾層的參比器件相比,其短路電流密度Jsc和光電轉(zhuǎn)化效率(PCE)明顯提高,分別達(dá)到了5.68mA/cm2和1.24%。
[Abstract]:The morphology and photoelectric properties of ZnO nano - materials with porous and single crystal structures were prepared by hydrothermal method . The results show that the porous ZnO nano - flower material with different growth time has the advantages of high light transmittance , low defect density , high carrier mobility , etc . It is an ideal electron transport layer material . The results show that the porous ZnO nano - flower material with the growth time of 9 h is the best device performance of the electron transport layer , and the short - circuit current density Jsc and the photoelectric conversion efficiency ( PCE ) are obviously improved compared with the reference devices without ZnO modified layer , respectively , which reach 5.68 mA / cm2 and 1.24 % respectively .

【作者單位】： 天津理工大學(xué)顯示材料與光電器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 天津市光電顯示材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：科技創(chuàng)新體系及條件平臺(tái)建設(shè)計(jì)劃(10SYSYJC28100) 天津市應(yīng)用基礎(chǔ)及前沿技術(shù)研究計(jì)劃(青年基金)(12JCQNJC01300) 天津市高等學(xué)�？萍及l(fā)展基金計(jì)劃(20100723)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： 1引言有機(jī)太陽(yáng)能電池在大規(guī)模生產(chǎn)低成本、柔性可卷曲的產(chǎn)品方面展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景[1,2]。但是,有機(jī)光伏材料存在激子擴(kuò)散長(zhǎng)度較短、電子傳輸速率較低的問(wèn)題,限制了其應(yīng)用。利用遷移率較高的無(wú)機(jī)納米材料作為電子傳輸層,可提高電子的傳導(dǎo)能力,以此提高器件的能量轉(zhuǎn)化效率[3，

本文編號(hào)：1392023