本文關(guān)鍵詞：基于熱光伏電池GaSb多晶薄膜的可控生長（英文）　出處：《紅外與毫米波學報》2015年04期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： GaSb薄膜 擇優(yōu)取向 熱光伏(TPV)

【摘要】：采用物理氣相沉積(PVD)法在ITO透明導電襯底上制備GaSb多晶薄膜.研究了襯底溫度及薄膜厚度對GaSb薄膜結(jié)構(gòu)特性、電學特性以及光學特性的影響.在一定條件下生長的GaSb薄膜擇優(yōu)取向由GaSb(111)晶向轉(zhuǎn)變?yōu)镚aSb(220)晶向,這是在玻璃襯底上生長GaSb薄膜沒有發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象.擇優(yōu)取向改變?yōu)?220)晶向的GaSb薄膜具有更高的霍爾遷移率.因為這種薄膜材料具有更少的晶粒間界和更少的缺陷.經(jīng)優(yōu)化后的GaSb薄膜的光學吸收系數(shù)在104cm~(-1)以上,適用于熱光伏薄膜太陽電池中.
[Abstract]:GaSb polycrystalline films were prepared on transparent conductive ITO substrates by physical vapor deposition (PvD) method. The structure characteristics of GaSb films were investigated by substrate temperature and thickness. Under certain conditions, the preferred orientation of GaSb thin films changed from GaSbC111) to GaSbN220). This is a phenomenon not found in the growth of GaSb thin films on glass substrates. The crystalline GaSb thin films have higher Hall mobility, because the films have less intergranular boundaries and fewer defects. The optical absorption coefficient of the optimized GaSb films is 104 cm ~ (-1). -1) above. Suitable for thermal photovoltaic thin film solar cells.
【作者單位】： 南開大學電子信息與光學工程學院電子科學與工程系;天津市光電子薄膜器件與技術(shù)重點實驗室;
【基金】：Supported by the National High Technology Research and Development Program of China(2011AA050513) National Basic Research Program of China(2012CB934201)
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： IntroductionThermophotovoltaic devices are basically photovolta-ic solar cells that utilize the thermal infrared radiation ofa heated source to directly generate electric power.Sys-tem modelling and analysis indicates that low-bandgap(0.25 to 0.7 e V)TPV

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本文編號：1375409