同軸結(jié)構(gòu)半徑突變處補償電容的計算分析
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【摘要】:若同軸結(jié)構(gòu)的橫向尺寸遠小于電磁波的波長,半徑突變處電場畸變的影響可以等效為一個補償電容。利用分離變量法,推導(dǎo)出了同軸結(jié)構(gòu)半徑突變處補償電容的精確計算模型,計算分析了半徑變化對補償電容值的影響規(guī)律,并與有限元軟件對比,驗證了計算模型的正確性。同時討論了平行平板結(jié)構(gòu)尺寸突變處補償電容計算公式近似應(yīng)用于同軸結(jié)構(gòu)時的適用性,并給出了一個計算實例分析補償電容對時域波形的影響。
【作者單位】: 新能源電力系統(tǒng)國家重點實驗室(華北電力大學(xué));
【基金】:國家電網(wǎng)公司科技項目“特高壓GIS變電站VFTO關(guān)鍵技術(shù)應(yīng)用研究”資助
【分類號】:TM53;TM12
【正文快照】: 0引言在電力測試線、GIS套管、微波傳輸和耦合電路等同軸結(jié)構(gòu)中,常會出現(xiàn)導(dǎo)體半徑的突變。半徑的突變會激發(fā)起高階電磁模式[1]。在單模工作狀態(tài)下,這些高階模式主要分布在突變處附近,沿兩側(cè)會呈指數(shù)衰減。文獻[2-4]基于全波的方法分析得出,高頻時,在半徑突變處兩邊的外導(dǎo)體上
【相似文獻】
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,本文編號:1303808
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