同軸結(jié)構(gòu)半徑突變處補(bǔ)償電容的計(jì)算分析
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【摘要】:若同軸結(jié)構(gòu)的橫向尺寸遠(yuǎn)小于電磁波的波長(zhǎng),半徑突變處電場(chǎng)畸變的影響可以等效為一個(gè)補(bǔ)償電容。利用分離變量法,推導(dǎo)出了同軸結(jié)構(gòu)半徑突變處補(bǔ)償電容的精確計(jì)算模型,計(jì)算分析了半徑變化對(duì)補(bǔ)償電容值的影響規(guī)律,并與有限元軟件對(duì)比,驗(yàn)證了計(jì)算模型的正確性。同時(shí)討論了平行平板結(jié)構(gòu)尺寸突變處補(bǔ)償電容計(jì)算公式近似應(yīng)用于同軸結(jié)構(gòu)時(shí)的適用性,并給出了一個(gè)計(jì)算實(shí)例分析補(bǔ)償電容對(duì)時(shí)域波形的影響。
【作者單位】: 新能源電力系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(華北電力大學(xué));
【基金】:國(guó)家電網(wǎng)公司科技項(xiàng)目“特高壓GIS變電站VFTO關(guān)鍵技術(shù)應(yīng)用研究”資助
【分類號(hào)】:TM53;TM12
【正文快照】: 0引言在電力測(cè)試線、GIS套管、微波傳輸和耦合電路等同軸結(jié)構(gòu)中,常會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)體半徑的突變。半徑的突變會(huì)激發(fā)起高階電磁模式[1]。在單模工作狀態(tài)下,這些高階模式主要分布在突變處附近,沿兩側(cè)會(huì)呈指數(shù)衰減。文獻(xiàn)[2-4]基于全波的方法分析得出,高頻時(shí),在半徑突變處兩邊的外導(dǎo)體上
【相似文獻(xiàn)】
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2 黃文力;孫廣生;嚴(yán)萍;王玨;;納秒脈沖同軸結(jié)構(gòu)固體絕緣介質(zhì)尺寸優(yōu)化分析[J];電工電能新技術(shù);2006年02期
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,本文編號(hào):1303808
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