異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池硅襯底絨面陷光結(jié)構(gòu)的優(yōu)化
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【摘要】:硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽(yáng)電池作為備受關(guān)注的新型高效太陽(yáng)電池,是在單晶硅表面沉積非晶硅薄膜制備而成的。將絨面結(jié)構(gòu)的單晶硅襯底應(yīng)用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池,可以減少光的反射,增強(qiáng)光吸收的效率,從而提高太陽(yáng)電池短路電流密度。利用濕法化學(xué)腐蝕對(duì)單晶硅襯底表面進(jìn)行制絨,通過(guò)優(yōu)化影響絨面形貌的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù),包括異丙醇濃度、時(shí)間、襯底類型和硅酸鈉的含量,最終通過(guò)在n型單晶硅襯底上制絨,使波長(zhǎng)為1011 nm處最低反射率從制絨前的34.7%降低到了9.14%,將制絨襯底應(yīng)用到異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池上,短路電流由32.06 m A/cm-2提升到36.16 m A/cm-2,有效地改善了SHJ太陽(yáng)電池的性能。
【作者單位】: 河北工業(yè)大學(xué)信息功能材料研究所;南開(kāi)大學(xué)光電子薄膜器件與技術(shù)研究所 光電子薄膜器件與技術(shù)天津市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 光電信息技術(shù)科學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國(guó)家973計(jì)劃(2011CBA00706,2011CBA00707) 天津市重大科技支撐計(jì)劃(11TXSYGX22100) 高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金(20120031110039)
【分類號(hào)】:TM914.4
【正文快照】: 2南開(kāi)大學(xué)光電子薄膜器件與技術(shù)研究所,光電子薄膜器件與技術(shù)天津市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,光電信息技術(shù)科學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,天津300071the performance of SHJ solar cells.1引言硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽(yáng)電池是帶有本征薄層的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池,它是在晶體硅襯底上沉積非晶硅薄膜制備而成的。它
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,本文編號(hào):1193828
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