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變電站內(nèi)智能組件電磁干擾耦合模型的研究

發(fā)布時(shí)間:2017-11-12 22:22

  本文關(guān)鍵詞:變電站內(nèi)智能組件電磁干擾耦合模型的研究


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【摘要】:隨著智能電網(wǎng)的逐步發(fā)展,變電站內(nèi)智能組件就地化作為新的發(fā)展方向已逐步啟動(dòng)。近年來(lái)已發(fā)生多起因下放到變電站開(kāi)關(guān)場(chǎng)內(nèi)的智能電子設(shè)備受到干擾而導(dǎo)致智能組件失效的案例。為此,本文以變電站內(nèi)瞬態(tài)電磁干擾對(duì)智能組件的耦合模型為主要研究?jī)?nèi)容。首先,本文研究了雷擊變電站附近桿塔時(shí),變電站接地網(wǎng)地電位升對(duì)智能組件的耦合模型。結(jié)合實(shí)際變電站接地網(wǎng),使用A TP-EMTP和CDEGS軟件建立了變電站局部模型和變電站接地網(wǎng)模型,仿真得到雷擊變電站附近桿塔時(shí),接地網(wǎng)關(guān)心節(jié)點(diǎn)處的地電位升。然后基于多導(dǎo)體傳輸線(MTL)理論,使用時(shí)域頻域(TDFD)變換法建立了二次電纜模型。以地電位升為激勵(lì)源,結(jié)合二次電纜模型,仿真得到智能組件端口的騷擾電壓。其次,本文通過(guò)對(duì)GIS設(shè)備的建模,研究了GIS外殼暫態(tài)電位升(TEV)對(duì)智能組件的干擾耦合模型。通過(guò)仿真得到了由TEV引起的智能組件端口的騷擾電壓。最后,本文在北開(kāi)電氣高壓試驗(yàn)大廳進(jìn)行了沖擊測(cè)試,測(cè)量得到智能組件端口的騷擾電壓,并在遼寧省電力公司多個(gè)不同電壓等級(jí)的變電站和換流站內(nèi),針對(duì)智能組件典型工作環(huán)境,進(jìn)行了穩(wěn)態(tài)輻射騷擾測(cè)試工作。本文的工作為變電站內(nèi)智能組件電磁兼容可靠性檢測(cè)及防護(hù)設(shè)計(jì)提供了依據(jù)。
【學(xué)位授予單位】:華北電力大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類(lèi)號(hào)】:TM63

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 竇慧;變電站電磁干擾對(duì)二次電纜的耦合的研究[D];山東大學(xué);2010年



本文編號(hào):1177879

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