發(fā)布時(shí)間：2017-11-06 18:31

  本文關(guān)鍵詞：憶阻器模型和憶阻混沌電路的研究與仿真

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【摘要】：本課題主要研究的是憶阻器新模型的建立和應(yīng)用。憶阻器是美籍華裔科學(xué)家和研究者蔡少棠于1971年首先提出的,蔡少棠教授對(duì)憶阻器的定義是:一種由電荷量和磁通量共同決定的二端非線性的電路元件。但由于當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展不成熟,蔡少棠教授對(duì)憶阻器的提出并沒有引起人們的廣泛關(guān)注,直到2008年開始,憶阻器的研究才有了飛速發(fā)展,惠普公司的實(shí)驗(yàn)室在這一年用納米材料制造出了世界首個(gè)物理憶阻器件。憶阻器具有非線性的特征,可以使一些憶阻電路產(chǎn)生混沌行為。憶阻混沌電路與普通混沌電路一樣對(duì)電路參數(shù)極其敏感,同時(shí)對(duì)初始值也極度依賴。憶阻器具有記性功能和納米尺度特性,因此它在人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、模擬電路等領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用。目前應(yīng)用較多的憶阻器模型包括惠普模型、Joglekar、Biolek、Prodomakis等窗口函數(shù)模型和Pickett模型,本文通過研究這幾種憶阻器模型的基本特征和它們所存在的不足,設(shè)計(jì)出了一個(gè)閾值憶阻模型,并仿真分析改進(jìn)后憶阻器的電壓電流曲線和時(shí)域波形圖等有關(guān)憶阻器特性的圖形,仿真結(jié)果符合憶阻器特性。在改進(jìn)的憶阻器模型的基礎(chǔ)上,建立一個(gè)三階憶阻器混沌電路,并且對(duì)此混沌電路進(jìn)行動(dòng)力學(xué)分析。為了進(jìn)一步驗(yàn)證模型的合理性,根據(jù)數(shù)學(xué)模型搭建了仿真電路,其結(jié)果與數(shù)值仿真基本一致。在應(yīng)用方面,進(jìn)行憶阻混沌電路系統(tǒng)的保密通信初步的研究。通過數(shù)值仿真分析得出,該設(shè)計(jì)可以對(duì)信號(hào)進(jìn)行加密處理,加密之后的信號(hào)呈現(xiàn)出雜亂無章、偽隨機(jī)的特點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,解密之后的信號(hào)與信源信號(hào)相差無幾,利用憶阻混沌電路進(jìn)行語音加密的方法在理論上可行。
【學(xué)位授予單位】：湖南科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TM132;O415.5

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本文編號(hào)：1148890