本文關(guān)鍵詞：10MJ高溫超導(dǎo)環(huán)形磁體電磁優(yōu)化設(shè)計

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【摘要】：隨著超導(dǎo)技術(shù)的發(fā)展,大容量、高場強的高溫超導(dǎo)磁體已成為未來超導(dǎo)磁體的主要發(fā)展方向。文中以10MJ高溫超導(dǎo)環(huán)形磁體為研究對象,以磁體的總用線量為優(yōu)化目標(biāo),采用二代YBCO帶材進(jìn)行了環(huán)形磁體的電磁優(yōu)化設(shè)計,利用遺傳算法和有限元建模獲得了磁體的最小總用線量,分析了在滿足磁體儲能量的情況下,線圈的內(nèi)直徑和線圈個數(shù)對環(huán)形磁體臨界電流、總用線量的影響。
【作者單位】： 華中科技大學(xué)強電磁工程與新技術(shù)國家重點實驗室超導(dǎo)中心;
【分類號】：TM26
【正文快照】： 1引言隨著高溫超導(dǎo)帶材制備技術(shù)的日益進(jìn)步以及帶材性能的不斷提升,其在強電領(lǐng)域的應(yīng)用得到了極大推廣。二代高溫超導(dǎo)帶材具有高臨界磁場、高臨界電流密度、高臨界溫度等特點,其基底可以由合金制造,并且可以通過合金來加強,具有較好的機械特性。因此,二代高溫超導(dǎo)帶材在大容量

【參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：1148830