本文關(guān)鍵詞：憶阻器單元溫度特性和高速開關(guān)特性研究

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【摘要】：憶阻器是一種具有記憶功能的新型非線性電阻,它的電阻大小由流經(jīng)其內(nèi)部功能層電荷的方向和數(shù)量決定,所以它能記憶器件每時每刻流經(jīng)的電荷量。憶阻器具有良好的非線性阻變特性,同時,還具有高速、高密度、易集成、計算與存儲融合等優(yōu)點,是下一代新型存儲器發(fā)展的一個重要方向。本文首先重點研究了憶阻器的變溫測試方法,并研制了憶阻器變溫測試系統(tǒng),通過測試來表征憶阻器單元的溫度特性,諸如閾值電壓、高低電阻值、穩(wěn)定性等參數(shù)的變化,最后對這些數(shù)據(jù)進行分析來研究溫度對憶阻器單元阻變過程的影響,并且嘗試對變溫條件下憶阻器單元阻變機理進行解釋。另外,本文搭建了憶阻器高速測試平臺,并對憶阻器單元進行了高速I-V測試分析。結(jié)果表明,憶阻器單元在最短在脈寬17ns的條件下仍能達到15倍的阻變窗口。以上研究對于憶阻器器件可靠性及其在存儲器和神經(jīng)網(wǎng)絡等方面的應用有一定的參考價值。
【學位授予單位】：華中科技大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TM501

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