本文關(guān)鍵詞：憶阻器單元溫度特性和高速開關(guān)特性研究

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【摘要】：憶阻器是一種具有記憶功能的新型非線性電阻,它的電阻大小由流經(jīng)其內(nèi)部功能層電荷的方向和數(shù)量決定,所以它能記憶器件每時(shí)每刻流經(jīng)的電荷量。憶阻器具有良好的非線性阻變特性,同時(shí),還具有高速、高密度、易集成、計(jì)算與存儲(chǔ)融合等優(yōu)點(diǎn),是下一代新型存儲(chǔ)器發(fā)展的一個(gè)重要方向。本文首先重點(diǎn)研究了憶阻器的變溫測試方法,并研制了憶阻器變溫測試系統(tǒng),通過測試來表征憶阻器單元的溫度特性,諸如閾值電壓、高低電阻值、穩(wěn)定性等參數(shù)的變化,最后對這些數(shù)據(jù)進(jìn)行分析來研究溫度對憶阻器單元阻變過程的影響,并且嘗試對變溫條件下憶阻器單元阻變機(jī)理進(jìn)行解釋。另外,本文搭建了憶阻器高速測試平臺(tái),并對憶阻器單元進(jìn)行了高速I-V測試分析。結(jié)果表明,憶阻器單元在最短在脈寬17ns的條件下仍能達(dá)到15倍的阻變窗口。以上研究對于憶阻器器件可靠性及其在存儲(chǔ)器和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等方面的應(yīng)用有一定的參考價(jià)值。
【學(xué)位授予單位】：華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TM501

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