本文關(guān)鍵詞：憶阻器電路的混沌現(xiàn)象及其混沌同步

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【摘要】：記憶電阻器是具有記憶功能的非線性無源二端口器件,是繼電阻、電容和電感的第四種基本電路元器件。本文研究憶阻器電路的混沌現(xiàn)象及其混沌同步。用憶阻器替換蔡氏對偶混沌電路的非線性元件,構(gòu)造出一個基于憶阻器的蔡氏對偶振蕩電路,通過理論分析、數(shù)值模擬分析的方法,證明了該電路有豐富的混沌動力學(xué)行為；憶阻器參數(shù)取不同的初值,可以實(shí)現(xiàn)相軌跡從周期、混沌、收縮到定點(diǎn)的轉(zhuǎn)換。廣義記憶元件具有更廣泛性,其包含憶阻器、憶容器和憶感器。本文提出一種廣義記憶元件模型,并用數(shù)值仿真、電路設(shè)計實(shí)現(xiàn)的方法,實(shí)證了該模型的記憶元件特性；用該廣義記憶元件設(shè)計出一個僅包含一個非線性項(xiàng)的廣義記憶元件混沌電路。從理論分析、數(shù)值仿真及電路設(shè)計三個方面,證明了該電路的混沌存在性、存在復(fù)雜非線性動力學(xué)行為。用單向耦合和投影同步法,實(shí)現(xiàn)所提出的廣義記憶元件混沌電路同步控制,數(shù)值仿真結(jié)果表明在較短時間內(nèi)實(shí)現(xiàn)同步化目標(biāo)。設(shè)計了單向耦合同步的實(shí)現(xiàn)電路,電路運(yùn)行結(jié)果和數(shù)值分析仿真結(jié)果一致。最后將混沌同步技術(shù)應(yīng)用于保密通信中,設(shè)計出基于該廣義記憶元件混沌電路同步技術(shù)的保密通信實(shí)現(xiàn)方案,數(shù)值仿真結(jié)果表明方案可行。
【關(guān)鍵詞】：憶阻器電路 廣義記憶元件 混沌 同步技
【學(xué)位授予單位】：廣西大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TM501
【目錄】：

• 摘要4-5
• ABSTRACT5-9
• 第一章 緒論9-19
• 1.1 憶阻元件簡介9-11
• 1.2 憶阻器電路的混沌現(xiàn)象及其同步研究現(xiàn)狀11-17
• 1.2.1 憶阻器電路的混沌現(xiàn)象研究現(xiàn)狀11-14
• 1.2.2 憶阻器混沌電路同步研究現(xiàn)狀14-17
• 1.3 混沌同步在保密通信中應(yīng)用的研究17-18
• 1.4 本文主要內(nèi)容及結(jié)構(gòu)安排18-19
• 第二章 憶阻蔡氏對偶混沌電路19-25
• 2.1 憶阻蔡氏對偶混沌電路19-20
• 2.2 動力學(xué)行為研究20-21
• 2.2.1 穩(wěn)定性分析20-21
• 2.2.2 指數(shù)分維數(shù)及耗散性21
• 2.3 數(shù)值模擬研究21-24
• 2.3.1 時域波形圖及相圖21-22
• 2.3.2 相軌跡與初始值的關(guān)系22-24
• 2.4 本章小結(jié)24-25
• 第三章 廣義記憶元件的模型25-30
• 3.1 憶阻元件的模型25-28
• 3.2 廣義記憶元件的模型28-29
• 3.3 本章小結(jié)29-30
• 第四章 廣義記憶元件的振蕩電路30-40
• 4.1 基于廣義記憶元件的振蕩電路30
• 4.2 廣義記憶元件及其電路原理30-32
• 4.3 廣義記憶元件混沌系統(tǒng)32-35
• 4.4 廣義記憶元件混沌系統(tǒng)動力學(xué)行為35-37
• 4.5 廣義記憶元件混沌系統(tǒng)的電路實(shí)現(xiàn)37-39
• 4.6 本章小結(jié)39-40
• 第五章 基于憶阻器的混沌同步研究40-51
• 5.1 基于憶阻器混沌系統(tǒng)的單向耦合混沌同步控制40-42
• 5.2 基于單向耦合混沌同步控制的電路實(shí)現(xiàn)42-44
• 5.3 基于憶阻器混沌系統(tǒng)的投影同步控制44-46
• 5.4 基于憶阻器混沌同步在保密通信中的應(yīng)用研究46-50
• 5.4.1 混沌保密通信原理47-48
• 5.4.2 基于單向耦合同步的憶阻器混沌保密通信實(shí)驗(yàn)48-50
• 5.5 本章小結(jié)50-51
• 第六章 總結(jié)51-52
• 參考文獻(xiàn)52-57
• 致謝57-58
• 攻讀學(xué)位期間發(fā)表論文情況58

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號：1082896