PERC太陽(yáng)能電池鋁背場(chǎng)性能研究
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【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-12011年-2017年全球光伏新增及累計(jì)裝機(jī)容量太陽(yáng)能電池技術(shù)豐富,種類(lèi)繁多,根據(jù)其發(fā)展歷程,可將其大致分為三代:第一
華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文容量已超過(guò)415GW;2018年預(yù)計(jì)全球光伏新增裝機(jī)容量為100.05GW,光伏產(chǎn)現(xiàn)良好的發(fā)展勢(shì)頭。根據(jù)國(guó)際能源署(IEA)預(yù)測(cè),到2030年,全球光伏累計(jì)總量將增加至1721GW,截至2050年有望達(dá)到4670GW....
圖1-2常規(guī)晶體硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖
鈣鈦礦太陽(yáng)能電池具有成本低、制備工藝擴(kuò)散距離及壽命長(zhǎng)、電荷傳遞特性好等優(yōu)點(diǎn),具有很大太陽(yáng)能電池采用的傳統(tǒng)鈣鈦礦材料含Pb,對(duì)環(huán)境易造成影響易發(fā)生水解,導(dǎo)致電池的穩(wěn)定性很差,嚴(yán)重影響電池能電池未來(lái)發(fā)展的技術(shù)挑戰(zhàn)則在于尋求鈣鈦礦材料的Pb穩(wěn)定性等問(wèn)題。在光伏產(chǎn)業(yè),各類(lèi)發(fā)展較為成熟的....
圖1-3所示的電路模型,它是
在減反射膜上方印刷有柵狀正銀電極,正銀電極需穿透減反歐姆接觸,用來(lái)收集電子。在硅片的下表面印刷有鋁背場(chǎng)和收集空穴,同時(shí)在P型硅襯底背面形成摻雜濃度更高的P+背表襯底之間形成P+/P濃度高低結(jié),一方面可以適當(dāng)提高電池的以抑制電子向背表面運(yùn)動(dòng),對(duì)襯底內(nèi)的光生少子具有一定的主要....
圖1-4實(shí)際晶體硅太陽(yáng)能電池等效電路
華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文()=01(1)02(21)是基區(qū)和發(fā)射區(qū)中載流子復(fù)合產(chǎn)生的飽和暗電流,I02是空間電荷生的飽和暗電流,q為單位電荷電量,KB為玻爾茲曼常數(shù),T為....
本文編號(hào):3965874
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