降低成本和提高光電轉(zhuǎn)換效率是晶體硅太陽電池研究的重點和熱點。在硅片切片環(huán)節(jié),金剛線切割技術(shù)因其具有切割損耗低、生產(chǎn)效率高、環(huán)境污染少和線材斷裂少等優(yōu)點,已全面取代砂漿線切割技術(shù)。對于多晶硅片,金剛線切割形成的表面光滑,損傷小,使得各向同性的常規(guī)酸制絨工藝需要的缺陷密度達不到理想值。另外金剛線切割多晶硅片會形成大量非晶硅區(qū)域,阻礙酸對硅片的均勻刻蝕。因此,以往應用在砂漿線切割多晶硅片的常規(guī)酸刻蝕技術(shù)難以達到高效陷光的效果。采用銀離子輔助催化酸刻蝕法可制備出較理想的多晶硅絨面結(jié)構(gòu),但銀的高成本及含銀廢水的排放等問題阻礙了此技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應用,人們期望尋找到低成本的賤金屬催化劑或者無金屬成分的催化劑來替代銀。本文對金剛線切割多晶硅片的絨面制備進行了系統(tǒng)研究,提出了兩種不同制絨方法:醋酸銅輔助酸催化酸制絨和醇類有機添加劑輔助酸制絨。取得了以下創(chuàng)新結(jié)果:(1)采用醋酸銅輔助酸催化法制備金剛線切割多晶硅片絨面。系統(tǒng)研究了各實驗參數(shù)對所制備絨面光學性能的影響。研究得出了優(yōu)化的溶液配比和刻蝕反應參數(shù)。優(yōu)化的反應溫度和反應時間分別為25℃,5 min,優(yōu)化的溶液配比為氫氟酸:5 mol/L,過氧化氫含量:...

【文章頁數(shù)】：82 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
第二章 文獻綜述
    2.1 硅基太陽電池發(fā)展歷程
    2.2 太陽電池工作原理
        2.2.1 太陽電池器件結(jié)構(gòu)
        2.2.2 太陽電池光伏特性參數(shù)
    2.3 硅基太陽電池制備工藝
    2.4 光學損失及陷光原理
        2.4.1 光學損失
        2.4.2 幾何陷光原理
        2.4.3 減反射膜陷光原理
    2.5 多晶硅片切割方法
        2.5.1 砂漿線切割多晶硅片
        2.5.2 金剛線切割多晶硅片
    2.6 多晶硅片表面制絨方法
        2.6.1 干法制絨
        2.6.2 濕法制絨
        2.6.3 其他方法
    2.7 本文研究的目的、內(nèi)容及創(chuàng)新點
        2.7.1 研究目的及內(nèi)容
        2.7.2 研究創(chuàng)新點
第三章 實驗
    3.1 實驗試劑
    3.2 實驗設(shè)備
        3.2.1 激光劃片機
        3.2.2 其他實驗設(shè)備
    3.3 測試設(shè)備
        3.3.1 紫外/可見/近紅外分光光度計
        3.3.2 掃描電子顯微鏡(SEM)
        3.3.3 少子壽命儀
        3.3.4 太陽電池片效率分選機
        3.3.5 原子力顯微鏡
第四章 醋酸銅對金剛線切割多晶硅片表面陷光結(jié)構(gòu)的影響
    4.1 引言
    4.2 實驗
    4.3 結(jié)果與分析
        4.3.1 時間變化對表面形貌和反射率的影響
        4.3.2 溫度變化對表面形貌和反射率的影響
        4.3.3 醋酸銅含量變化對表面形貌和反射率的影響
        4.3.4 氫氟酸濃度對樣品表面形貌和反射率的影響
        4.3.5 過氧化氫濃度對樣品表面形貌和反射率的影響
        4.3.6 優(yōu)化反應條件下硅片的少子壽命和太陽電池的效率
        4.3.7 硅片在HF/Cu(CH₃COO)₂/H₂O₂體系下反應原理
    4.4 本章小結(jié)
第五章 添加劑對金剛線切割多晶硅片表面陷光結(jié)構(gòu)的影響
    5.1 引言
    5.2 實驗
    5.3 結(jié)果與討論
        5.3.1 不同種類添加劑對金剛線切割多晶硅片表面陷光結(jié)構(gòu)的影響
        5.3.2 聚乙二醇添加劑對金剛線切割多晶硅片表面陷光結(jié)構(gòu)的影響
    5.4 本章小結(jié)
第六章 總結(jié)及展望
參考文獻
致謝
個人簡歷
攻讀學位期間發(fā)表的學術(shù)論文與取得的其它研究成果



本文編號：3806524