在光伏行業(yè)中,Si₃N₄和SiC顆粒常作為異質(zhì)形核的籽晶,輔助生長(zhǎng)多晶硅鑄錠,同時(shí)Si₃N₄涂層還可以防止坩堝壁與硅錠間的粘連。然而,此過程不可避免會(huì)導(dǎo)致硅中N、C元素的污染,并在凝固過程中形成Si₃N₄和SiC顆粒夾雜,對(duì)硅錠的電學(xué)性能及出成率均造成極大危害。如何利用Si₃N₄和SiC顆粒的異質(zhì)形核作用,輔助生長(zhǎng)出高性能的多晶硅,并在后續(xù)工藝中將其充分去除,是一個(gè)重要的研究課題。本論文研究了多晶硅定向凝固過程中Si₃N₄和SiC硬質(zhì)顆粒與Si的位向關(guān)系以及其對(duì)鑄錠電學(xué)性能的影響。同時(shí)研究了感應(yīng)熔煉過程中電磁場(chǎng)對(duì)Si₃N₄和SiC硬質(zhì)顆粒分凝行為的影響。本研究主要得到的結(jié)論如下:(1)β-Si₃N₄顆粒為六角棒狀,SiC顆粒為立方塊狀。硅中硬質(zhì)顆粒的存在會(huì)引起金屬雜質(zhì)的富集,使硅錠的...

【文章頁(yè)數(shù)】：63 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展對(duì)晶體硅材料的需求與要求
        1.1.1 光伏產(chǎn)業(yè)對(duì)晶體硅材料的需求
        1.1.2 太陽(yáng)能級(jí)多晶體硅種雜質(zhì)含量的要求
    1.2 多晶硅中Si₃N₄/SiC顆粒的異質(zhì)形核作用
    1.3 硅中Si₃N₄/SiC硬質(zhì)顆粒的分離與提純
        1.3.1 Si₃N₄/SiC硬質(zhì)顆粒對(duì)晶硅材料性能的影響
        1.3.2 硅中硬質(zhì)顆粒的分離與提純
    1.4 本課題研究現(xiàn)狀
    1.5 本課題研究的目的和內(nèi)容
2 實(shí)驗(yàn)原理及分析方法
    2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與原料
        2.1.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
        2.1.2 實(shí)驗(yàn)原料
    2.2 實(shí)驗(yàn)原理及過程
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)原理
        2.2.2 實(shí)驗(yàn)過程
    2.3 樣品制備及檢測(cè)
        2.3.1 切片及取樣
        2.3.2 分析設(shè)備與分析方法
3 多晶硅中Si₃N₄與Si的位向關(guān)系
    3.1 多晶硅中硬質(zhì)顆粒形態(tài)及分布
    3.2 硬質(zhì)顆粒對(duì)多晶硅電性能的影響
    3.3 Si與 Si₃N₄ 相界面的研究
    3.4 基于edge-to-edge模型的Si與 Si₃N₄ 位向關(guān)系的研究
        3.4.1 edge-to-edge模型
        3.4.2 Si與 Si₃N₄ 位向關(guān)系的研究
    3.5 本章小結(jié)
4 多晶硅中SiC與 Si的位向關(guān)系
    4.1 多晶硅中SiC顆粒形態(tài)及分布
    4.2 Si與 SiC相界面的研究
    4.3 基于Turnbull-Vonnegut公式的Si與 SiC位向關(guān)系的研究
        4.3.1 Turnbull-Vonnegut公式
        4.3.2 Si與 SiC位向關(guān)系的研究
    4.4 本章小結(jié)
5 感應(yīng)熔煉去除硅中硬質(zhì)顆粒的研究
    5.1 感應(yīng)熔煉對(duì)硅中硬質(zhì)顆粒去除作用的理論基礎(chǔ)
    5.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及方法
    5.3 感應(yīng)熔煉后多晶硅鑄錠中硬質(zhì)顆粒的分布
    5.4 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文情況
致謝



本文編號(hào)：3794115