InGaN材料屬于直接帶隙半導(dǎo)體,不僅具有出色的吸收系數(shù)（比GaN材料高出一個(gè)數(shù)量級(jí)）,更為重要的是其能帶可調(diào),幾乎與可見(jiàn)光完全匹配,因此InGaN材料在制造太陽(yáng)能電池方面具有天然優(yōu)勢(shì)。近年來(lái)隨著空間技術(shù)的不斷發(fā)展,并結(jié)合InGaN材料出色的抗輻照特性,InGaN太陽(yáng)能電池受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。雖然InGaN太陽(yáng)能電池在理論上有很高的光電轉(zhuǎn)換效率,但實(shí)際制造中由于InGaN太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)復(fù)雜,如氧化銦錫（ITO,Indium Tin Oxides）電極的厚度、有源區(qū)結(jié)構(gòu)、p-GaN或n-GaN的生長(zhǎng)以及刻蝕深度的控制等并不理想,使得InGaN太陽(yáng)能電池效率較低,還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到工業(yè)生產(chǎn)的需要。此外,由于InGaN太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)復(fù)雜,當(dāng)引入Co⁶⁰γ射線和質(zhì)子等輻照后,輻照對(duì)器件表面或有源區(qū)的影響更為復(fù)雜,所有這些情況給InGaN太陽(yáng)能電池制造及其輻照效應(yīng)的研究帶來(lái)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。在此背景下,本文主要從InGaN太陽(yáng)能電池的研制和輻射效應(yīng)兩個(gè)方面進(jìn)行研究,深入分析了極化效應(yīng)下光生載流子在InGaN/GaN多量子阱區(qū)域的隧穿機(jī)制,通過(guò)利用應(yīng)力釋放對(duì)遂穿效應(yīng)的改善作用,研制出具... 

【文章來(lái)源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：114 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

990-2016年世界各地區(qū)能源占比圖和2016年世界能量分布圖

圖1.4 InGaN 和 GaAs 在輻照下電學(xué)(a)和光學(xué)(b)特性退化的比較多結(jié)太陽(yáng)能電池對(duì)高能粒子的損傷更為敏感，高能粒子轟擊后產(chǎn)生的缺陷表面為光生載流子有效的輻射中心，所以 GaAs、GaInP 等材料對(duì)高能粒子的損傷很。而對(duì)于窄禁帶 InN 來(lái)說(shuō)，其輻射引入的表面費(fèi)米能級(jí)在導(dǎo)帶以上，不能成為有復(fù)合中心，故對(duì)輻照的敏感性不強(qiáng)。近年來(lái)對(duì) InGaN 材料的輻照效應(yīng)研究如下：2001 年，Goodman S.A.等人對(duì) n-GaN 材料做了一個(gè)系統(tǒng)研究[64]

圖4.9 ITO 薄膜的 XPS 全譜掃描圖后根據(jù)碳元素的位置確定其他元素的結(jié)合能。而對(duì)于 ITO 薄膜中的氧 XPS 測(cè)試如圖 4.10 所示，此圖是輻照后 ITO 測(cè)量 XPS 的氧元素的掃描僅僅給出氧狀態(tài)的經(jīng)驗(yàn)結(jié)合能掃描圖形，如圖 4.10 所示。但是仍需要SPEAK41 進(jìn)行處理，處理后氧狀態(tài)掃描圖如 4.12b 所示。534 532 530 5282.0x1044.0x1046.0x1048.0x1041.0x105Intensity(a.u.)O1sO1s Scan AO1s Scan B

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]A Mini Review: Can Graphene Be a Novel Material for Perovskite Solar Cell Applications?[J]. Eng Liang Lim,Chi Chin Yap,Mohammad Hafizuddin Hj Jumali,Mohd Asri Mat Teridi,Chin Hoong Teh.  Nano-Micro Letters. 2018(02)



本文編號(hào)：3324019