直流GIL電極表面納米復(fù)合薄膜對(duì)放電及微粒的綜合抑制機(jī)理研究
發(fā)布時(shí)間:2021-06-12 03:42
隨著可再生能源發(fā)電和高壓直流輸電的發(fā)展,對(duì)復(fù)雜環(huán)境下長距離輸電可靠性提出了更高要求,直流GIL這種特殊輸電媒介是解決該問題的理想方案。金屬微粒污染問題是限制直流GIL技術(shù)發(fā)展主要問題之一,金屬微粒在直流電壓下活躍度更強(qiáng),影響設(shè)備絕緣安全。因此,研究直流電壓下金屬微粒啟舉特性、運(yùn)動(dòng)特性及微粒導(dǎo)致的氣隙擊穿特性,并采取適當(dāng)方法抑制金屬微;钚,具有重大工程實(shí)用價(jià)值。本文搭建了平行板金屬微粒運(yùn)動(dòng)觀測實(shí)驗(yàn)平臺(tái),模擬GIL中稍不均勻電場環(huán)境,使用高速相機(jī)對(duì)不同金屬微粒運(yùn)動(dòng)情況進(jìn)行觀測。結(jié)果表明:金屬微粒啟舉電壓隨微粒密度增大而增大;球形金屬微粒啟舉電壓隨半徑增大而增大;線形金屬微粒啟舉電壓隨半徑增大而增大,與其長度無關(guān);片狀金屬微粒啟舉電壓隨厚度增大而增大,與其長度和寬度無關(guān)。當(dāng)線形和片狀金屬微粒數(shù)量增加時(shí),由于電場畸變作用,發(fā)生啟舉時(shí)電壓與單個(gè)微粒時(shí)相比減小。直流電壓極性不影響金屬微粒啟舉電壓幅值。球形金屬微粒啟舉后在電極間進(jìn)行碰撞反射角隨機(jī)的往復(fù)運(yùn)動(dòng),本文對(duì)其導(dǎo)致氣隙擊穿的過程進(jìn)行了分析。線形和片狀金屬微粒在不同直流電壓極性下呈現(xiàn)不同運(yùn)動(dòng)特性,正極性下會(huì)在下電極表面進(jìn)行旋轉(zhuǎn)、跳躍等運(yùn)動(dòng),負(fù)極...
【文章來源】:山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:84 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1?GIL結(jié)構(gòu)示意圖??
山東大學(xué)碩士學(xué)位論文??_??圖1.1?GIL結(jié)構(gòu)示意圖??輸送斿丨rtMVA??6〇3〇5^——TOO——__1422——?0?? ̄E?500?/??彡架空輸電群路??g?400??J?300??¥?200??r?XLPE電^一???00?1?000?I?500?2?000?2?500??額定電流/?A??圖1.2架空線、聚乙烯電纜和GIL線路損耗對(duì)比W??目前,交流GIL輸電技術(shù)已經(jīng)進(jìn)行了工程應(yīng)用,直流GIL工程應(yīng)用仍在進(jìn)一步??探索當(dāng)中。拉西瓦水電站750kVGIL安裝過程中,采用豎井安裝方式解決了?207米??垂直落差帶來的線路連接問題,體現(xiàn)了?GIL線路敷設(shè)靈活的特點(diǎn)。圖1.3為GIL隧??道和GIL豎井安裝方式的現(xiàn)場圖。GIL安裝還可采用通道共享技術(shù),在城市內(nèi)部輸電??線路建設(shè)中,與城市通信、供水通道共享,節(jié)約城市空間。隨著國民社會(huì)用電需求量??的提高和新能源發(fā)電裝機(jī)容量的增加,采用特高壓直流輸電方式將偏遠(yuǎn)地區(qū)的電能輸??送到負(fù)荷中心是一種比較經(jīng)濟(jì)性的選擇。GIL因其獨(dú)特的優(yōu)勢在特高壓輸電領(lǐng)域彌補(bǔ)??了架空線和電纜的局限性,具有廣闊的應(yīng)用前景。如何研發(fā)適用于直流輸電的GIL??并保證其穩(wěn)定可靠運(yùn)行,是我國發(fā)展特高壓直流輸電亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)問題,也是??當(dāng)今世界范圍內(nèi)研究關(guān)注的熱點(diǎn)問題。??2??
山東大學(xué)碩士學(xué)位論文??圓S??(a)?GIL隧道?(b)?GIL堅(jiān)井??圖1.3?GIL陡道與豎井敷設(shè)方式??圖1.4為金屬微粒引發(fā)的設(shè)備絕緣擊穿燒蝕實(shí)物圖。直流GIL同樣面臨金屬微粒??污染引發(fā)絕緣失效的威脅,GIL在裝配和運(yùn)行時(shí)難以避免會(huì)產(chǎn)生金屬微粒,由于直流??電壓保持極性不變,金屬微粒容易發(fā)生氣隙之間的來回貫穿運(yùn)動(dòng)。固定的金屬微粒對(duì)??整體的絕緣影響有限,但是運(yùn)動(dòng)的金屬微粒會(huì)對(duì)電場產(chǎn)生不斷變化的畸變作用,運(yùn)動(dòng)??過程伴有局部放電現(xiàn)象,局部放電會(huì)導(dǎo)致金屬微粒運(yùn)動(dòng)更加劇烈并且軌跡不可預(yù)測,??進(jìn)一步使局部放電更為嚴(yán)重導(dǎo)致氣隙擊穿,對(duì)絕緣產(chǎn)生威脅[5]。??圖1.4金屬微粒導(dǎo)致設(shè)備擊穿燒蝕??金屬微粒的存在威脅GIL設(shè)備的絕緣,研宄直流GIL中金屬微粒的荷電特性、??啟舉特性、運(yùn)動(dòng)特性與金屬微粒導(dǎo)致的氣隙擊穿特性,對(duì)于GIL絕緣設(shè)計(jì)以及采取??合理的措施抑制金屬微粒的運(yùn)動(dòng),有重要指導(dǎo)作用。GIL中的電場屬于稍不均勻電場,??對(duì)GIL中金屬微粒通常采用楔形電極或平板電極進(jìn)行研究。本文采用平行板電極,??通過實(shí)驗(yàn)的手段,對(duì)球形、線形和片狀金屬微粒分別進(jìn)行研究,獲得金屬微粒的啟舉??特性、運(yùn)動(dòng)特性以及金屬微粒導(dǎo)致的氣隙擊穿特性,在此基礎(chǔ)上選擇電極表面涂覆納??米復(fù)合薄膜的方式研究該措施抑制金屬微粒啟舉和運(yùn)動(dòng)的效果。本文從實(shí)驗(yàn)入手,定??3??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]氣體絕緣輸電線路(GIL)的應(yīng)用及發(fā)展[J]. 劉軍. 電子技術(shù)與軟件工程. 2019(23)
[2]交流環(huán)保GIL中微粒運(yùn)動(dòng)規(guī)律及陷阱抑制措施研究[J]. 詹振宇,宋曼青,律方成,李志兵,劉焱,劉偉,謝慶. 中國電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2019(S1)
[3]聚倍半硅氧烷/聚酰亞胺復(fù)合材料制備及性能研究[J]. 龐天亮,范超,鞠冬寶,李嘉文,周宏. 化學(xué)工程師. 2019(07)
[4]石墨烯-聚酰亞胺納米復(fù)合材料的制備及應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 周成飛. 橡塑技術(shù)與裝備. 2019(12)
[5]聚酰亞胺/納米SiO2-Al2O3耐電暈薄膜的介電特性[J]. 楊瑞宵,陳昊,范勇,趙偉. 電機(jī)與控制學(xué)報(bào). 2019(09)
[6]直流GIL金屬微粒陷阱捕捉概率與優(yōu)化設(shè)計(jì)[J]. 王健,倪瀟茹,王志遠(yuǎn),李慶民,李成榕. 高電壓技術(shù). 2018(12)
[7]中空玻璃微球/聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備及性能研究[J]. 馬馨雨,劉立柱,翁凌,董馨茜. 化工新型材料. 2018(12)
[8]苯硫醚聚酰亞胺電極覆膜材料合成及直流應(yīng)力下對(duì)金屬微粒運(yùn)動(dòng)特性的抑制作用[J]. 黃旭煒,倪瀟茹,王健,李慶民,林俊,王忠東. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(20)
[9]微粒陷阱對(duì)直流稍不均勻場中球狀自由導(dǎo)電微粒運(yùn)動(dòng)的影響規(guī)律[J]. 汪佛池,曹東亮,楊磊,劉宏宇,李志兵,齊玉娟. 高電壓技術(shù). 2018(09)
[10]等離子體復(fù)合薄膜沉積抑制金屬微粒啟舉[J]. 程顯,徐暉,王瑞雪,高遠(yuǎn),章程,邵濤. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(20)
博士論文
[1]交流運(yùn)行電壓下GIS中金屬顆粒運(yùn)動(dòng)行為及放電特征[D]. 季洪鑫.華北電力大學(xué)(北京) 2017
[2]直流GIL金屬微粒的荷電運(yùn)動(dòng)機(jī)制與治理方法研究[D]. 王健.華北電力大學(xué)(北京) 2017
碩士論文
[1]等離子體射流薄膜沉積對(duì)微放電抑制的研究[D]. 徐暉.鄭州大學(xué) 2019
本文編號(hào):3225882
【文章來源】:山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:84 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1?GIL結(jié)構(gòu)示意圖??
山東大學(xué)碩士學(xué)位論文??_??圖1.1?GIL結(jié)構(gòu)示意圖??輸送斿丨rtMVA??6〇3〇5^——TOO——__1422——?0?? ̄E?500?/??彡架空輸電群路??g?400??J?300??¥?200??r?XLPE電^一???00?1?000?I?500?2?000?2?500??額定電流/?A??圖1.2架空線、聚乙烯電纜和GIL線路損耗對(duì)比W??目前,交流GIL輸電技術(shù)已經(jīng)進(jìn)行了工程應(yīng)用,直流GIL工程應(yīng)用仍在進(jìn)一步??探索當(dāng)中。拉西瓦水電站750kVGIL安裝過程中,采用豎井安裝方式解決了?207米??垂直落差帶來的線路連接問題,體現(xiàn)了?GIL線路敷設(shè)靈活的特點(diǎn)。圖1.3為GIL隧??道和GIL豎井安裝方式的現(xiàn)場圖。GIL安裝還可采用通道共享技術(shù),在城市內(nèi)部輸電??線路建設(shè)中,與城市通信、供水通道共享,節(jié)約城市空間。隨著國民社會(huì)用電需求量??的提高和新能源發(fā)電裝機(jī)容量的增加,采用特高壓直流輸電方式將偏遠(yuǎn)地區(qū)的電能輸??送到負(fù)荷中心是一種比較經(jīng)濟(jì)性的選擇。GIL因其獨(dú)特的優(yōu)勢在特高壓輸電領(lǐng)域彌補(bǔ)??了架空線和電纜的局限性,具有廣闊的應(yīng)用前景。如何研發(fā)適用于直流輸電的GIL??并保證其穩(wěn)定可靠運(yùn)行,是我國發(fā)展特高壓直流輸電亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)問題,也是??當(dāng)今世界范圍內(nèi)研究關(guān)注的熱點(diǎn)問題。??2??
山東大學(xué)碩士學(xué)位論文??圓S??(a)?GIL隧道?(b)?GIL堅(jiān)井??圖1.3?GIL陡道與豎井敷設(shè)方式??圖1.4為金屬微粒引發(fā)的設(shè)備絕緣擊穿燒蝕實(shí)物圖。直流GIL同樣面臨金屬微粒??污染引發(fā)絕緣失效的威脅,GIL在裝配和運(yùn)行時(shí)難以避免會(huì)產(chǎn)生金屬微粒,由于直流??電壓保持極性不變,金屬微粒容易發(fā)生氣隙之間的來回貫穿運(yùn)動(dòng)。固定的金屬微粒對(duì)??整體的絕緣影響有限,但是運(yùn)動(dòng)的金屬微粒會(huì)對(duì)電場產(chǎn)生不斷變化的畸變作用,運(yùn)動(dòng)??過程伴有局部放電現(xiàn)象,局部放電會(huì)導(dǎo)致金屬微粒運(yùn)動(dòng)更加劇烈并且軌跡不可預(yù)測,??進(jìn)一步使局部放電更為嚴(yán)重導(dǎo)致氣隙擊穿,對(duì)絕緣產(chǎn)生威脅[5]。??圖1.4金屬微粒導(dǎo)致設(shè)備擊穿燒蝕??金屬微粒的存在威脅GIL設(shè)備的絕緣,研宄直流GIL中金屬微粒的荷電特性、??啟舉特性、運(yùn)動(dòng)特性與金屬微粒導(dǎo)致的氣隙擊穿特性,對(duì)于GIL絕緣設(shè)計(jì)以及采取??合理的措施抑制金屬微粒的運(yùn)動(dòng),有重要指導(dǎo)作用。GIL中的電場屬于稍不均勻電場,??對(duì)GIL中金屬微粒通常采用楔形電極或平板電極進(jìn)行研究。本文采用平行板電極,??通過實(shí)驗(yàn)的手段,對(duì)球形、線形和片狀金屬微粒分別進(jìn)行研究,獲得金屬微粒的啟舉??特性、運(yùn)動(dòng)特性以及金屬微粒導(dǎo)致的氣隙擊穿特性,在此基礎(chǔ)上選擇電極表面涂覆納??米復(fù)合薄膜的方式研究該措施抑制金屬微粒啟舉和運(yùn)動(dòng)的效果。本文從實(shí)驗(yàn)入手,定??3??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]氣體絕緣輸電線路(GIL)的應(yīng)用及發(fā)展[J]. 劉軍. 電子技術(shù)與軟件工程. 2019(23)
[2]交流環(huán)保GIL中微粒運(yùn)動(dòng)規(guī)律及陷阱抑制措施研究[J]. 詹振宇,宋曼青,律方成,李志兵,劉焱,劉偉,謝慶. 中國電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2019(S1)
[3]聚倍半硅氧烷/聚酰亞胺復(fù)合材料制備及性能研究[J]. 龐天亮,范超,鞠冬寶,李嘉文,周宏. 化學(xué)工程師. 2019(07)
[4]石墨烯-聚酰亞胺納米復(fù)合材料的制備及應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 周成飛. 橡塑技術(shù)與裝備. 2019(12)
[5]聚酰亞胺/納米SiO2-Al2O3耐電暈薄膜的介電特性[J]. 楊瑞宵,陳昊,范勇,趙偉. 電機(jī)與控制學(xué)報(bào). 2019(09)
[6]直流GIL金屬微粒陷阱捕捉概率與優(yōu)化設(shè)計(jì)[J]. 王健,倪瀟茹,王志遠(yuǎn),李慶民,李成榕. 高電壓技術(shù). 2018(12)
[7]中空玻璃微球/聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備及性能研究[J]. 馬馨雨,劉立柱,翁凌,董馨茜. 化工新型材料. 2018(12)
[8]苯硫醚聚酰亞胺電極覆膜材料合成及直流應(yīng)力下對(duì)金屬微粒運(yùn)動(dòng)特性的抑制作用[J]. 黃旭煒,倪瀟茹,王健,李慶民,林俊,王忠東. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(20)
[9]微粒陷阱對(duì)直流稍不均勻場中球狀自由導(dǎo)電微粒運(yùn)動(dòng)的影響規(guī)律[J]. 汪佛池,曹東亮,楊磊,劉宏宇,李志兵,齊玉娟. 高電壓技術(shù). 2018(09)
[10]等離子體復(fù)合薄膜沉積抑制金屬微粒啟舉[J]. 程顯,徐暉,王瑞雪,高遠(yuǎn),章程,邵濤. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(20)
博士論文
[1]交流運(yùn)行電壓下GIS中金屬顆粒運(yùn)動(dòng)行為及放電特征[D]. 季洪鑫.華北電力大學(xué)(北京) 2017
[2]直流GIL金屬微粒的荷電運(yùn)動(dòng)機(jī)制與治理方法研究[D]. 王健.華北電力大學(xué)(北京) 2017
碩士論文
[1]等離子體射流薄膜沉積對(duì)微放電抑制的研究[D]. 徐暉.鄭州大學(xué) 2019
本文編號(hào):3225882
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