硒化銻薄膜太陽能電池:一維晶體結(jié)構(gòu)特性及其對器件性能影響研究
發(fā)布時間:2021-04-26 01:31
尋求原料豐富、低毒、低成本太陽能電池材料是研究人員長期追求的目標(biāo)。硒化銻(Sb2Se3)具有禁帶寬度合適(1.10 eV),組成元素豐度高且環(huán)境友好,吸光系數(shù)高(105 cm-1),物相簡單,單節(jié)電池S-Q效率極限大于30%等優(yōu)點,非常有潛力作為吸光層材料應(yīng)用于高效率、低成本薄膜太陽能電池。然而,與傳統(tǒng)的具有三維晶體結(jié)構(gòu)的電池吸光層材料如硅、銅銦鎵硒、碲化鎘等不同,Sb2Se3具有強各向異性的一維晶體結(jié)構(gòu):Sb和Se原子在[001]方向上通過共價鍵連接形成[Sb4Se6]n帶,[Sb4Se6]n帶在[100]和[010]方向通過弱范德華力堆疊。本課題主要圍繞Sb2Se3一維晶體結(jié)構(gòu)對太陽能電池中的載流子傳輸、晶界缺陷以及界面元素擴散的影響進...
【文章來源】:華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:111 頁
【學(xué)位級別】:博士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
1 緒論
1.1 引言
1.2 太陽能電池基礎(chǔ)知識
1.3 新型薄膜電池太陽能電池
1.4 硒化銻太陽能電池
1.5 本論文主要研究內(nèi)容
2 薄膜光伏器件制備與表征
2.1 太陽能電池材料表征
2.2 太陽能電池器件制備
2.3 器件測試與表征
2.4 本章小結(jié)
3 硒化銻太陽能電池應(yīng)用潛力研究
3.1 肼溶液法制備硒化銻薄膜
2Se3基本光伏性質(zhì)"> 3.2 Sb2Se3基本光伏性質(zhì)
3.3 器件性能與穩(wěn)定性
3.4 本章小結(jié)
4 硒化銻的一維取向與惰性晶界
4.1 理論計算證明硒化銻具有惰性晶界特點
2Se3器件"> 4.2 快速熱蒸發(fā)法制備CdS/Sb2Se3器件
4.3 硒化銻薄膜取向與器件性能的關(guān)系
4.4 硒化銻器件中晶界惰性的實驗驗證
2Se3器件效率及穩(wěn)定性"> 4.5 CdS/Sb2Se3器件效率及穩(wěn)定性
4.6 本章小結(jié)
2Se3器件界面擴散研究">5 CdS/Sb2Se3器件界面擴散研究
2Se3器件的物理表征"> 5.1 CdS/Sb2Se3器件的物理表征
5.2 元素界面擴散表征
2Se3器件中的淺埋同質(zhì)結(jié)"> 5.3 CdS/Sb2Se3器件中的淺埋同質(zhì)結(jié)
5.4 淺埋同質(zhì)結(jié)形成機理
5.5 本章小結(jié)
2Se3薄膜">6 誘導(dǎo)生長[001]取向的Sb2Se3薄膜
6.1 異質(zhì)外延生長簡介
2Se3各方向上的失配率"> 6.2 CdS與Sb2Se3各方向上的失配率
2Se3薄膜取向分析"> 6.3 CdS上沉積的Sb2Se3薄膜取向分析
2Se3薄膜"> 6.4 CdS襯底誘導(dǎo)生長[001]取向Sb2Se3薄膜
6.5 本章小結(jié)
7 總結(jié)與展望
7.1 研究內(nèi)容總結(jié)
7.2 主要創(chuàng)新點
7.3 對進一步研究的展望
致謝
參考文獻
附錄1 攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表的論文
附錄2 攻讀博士學(xué)位期間所獲獎勵
【參考文獻】:
期刊論文
[1]基于P-N結(jié)的太陽能電池伏安特性的分析與模擬[J]. 任駒,郭文閣,鄭建邦. 光子學(xué)報. 2006(02)
[2]太陽能電池基本特性測定實驗[J]. 茅傾青,潘立棟,陳駿逸,陸申龍. 物理實驗. 2004(11)
本文編號:3160471
【文章來源】:華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:111 頁
【學(xué)位級別】:博士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
1 緒論
1.1 引言
1.2 太陽能電池基礎(chǔ)知識
1.3 新型薄膜電池太陽能電池
1.4 硒化銻太陽能電池
1.5 本論文主要研究內(nèi)容
2 薄膜光伏器件制備與表征
2.1 太陽能電池材料表征
2.2 太陽能電池器件制備
2.3 器件測試與表征
2.4 本章小結(jié)
3 硒化銻太陽能電池應(yīng)用潛力研究
3.1 肼溶液法制備硒化銻薄膜
2Se3基本光伏性質(zhì)"> 3.2 Sb2Se3基本光伏性質(zhì)
3.3 器件性能與穩(wěn)定性
3.4 本章小結(jié)
4 硒化銻的一維取向與惰性晶界
4.1 理論計算證明硒化銻具有惰性晶界特點
2Se3器件"> 4.2 快速熱蒸發(fā)法制備CdS/Sb2Se3器件
4.3 硒化銻薄膜取向與器件性能的關(guān)系
4.4 硒化銻器件中晶界惰性的實驗驗證
2Se3器件效率及穩(wěn)定性"> 4.5 CdS/Sb2Se3器件效率及穩(wěn)定性
4.6 本章小結(jié)
2Se3器件界面擴散研究">5 CdS/Sb2Se3器件界面擴散研究
2Se3器件的物理表征"> 5.1 CdS/Sb2Se3器件的物理表征
5.2 元素界面擴散表征
2Se3器件中的淺埋同質(zhì)結(jié)"> 5.3 CdS/Sb2Se3器件中的淺埋同質(zhì)結(jié)
5.4 淺埋同質(zhì)結(jié)形成機理
5.5 本章小結(jié)
2Se3薄膜">6 誘導(dǎo)生長[001]取向的Sb2Se3薄膜
6.1 異質(zhì)外延生長簡介
2Se3各方向上的失配率"> 6.2 CdS與Sb2Se3各方向上的失配率
2Se3薄膜取向分析"> 6.3 CdS上沉積的Sb2Se3薄膜取向分析
2Se3薄膜"> 6.4 CdS襯底誘導(dǎo)生長[001]取向Sb2Se3薄膜
6.5 本章小結(jié)
7 總結(jié)與展望
7.1 研究內(nèi)容總結(jié)
7.2 主要創(chuàng)新點
7.3 對進一步研究的展望
致謝
參考文獻
附錄1 攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表的論文
附錄2 攻讀博士學(xué)位期間所獲獎勵
【參考文獻】:
期刊論文
[1]基于P-N結(jié)的太陽能電池伏安特性的分析與模擬[J]. 任駒,郭文閣,鄭建邦. 光子學(xué)報. 2006(02)
[2]太陽能電池基本特性測定實驗[J]. 茅傾青,潘立棟,陳駿逸,陸申龍. 物理實驗. 2004(11)
本文編號:3160471
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