鈣鈦礦電池光功能層的形貌調(diào)控
發(fā)布時間:2021-04-14 04:01
有機(jī)/無機(jī)雜化鈣鈦礦材料具有較高的吸收系數(shù)、較長的載流子擴(kuò)散長度,可以調(diào)節(jié)的帶隙,可在低溫下溶液法制備等優(yōu)點(diǎn),成為太陽能電池、電致發(fā)光及光電探測器等光電器件的研究熱點(diǎn)。但是在大晶粒、高質(zhì)量薄膜制備等方面上仍然相當(dāng)困難,薄膜結(jié)晶機(jī)理研究仍然較少。本文針對鈣鈦礦材料存在的這些問題,研究了鈣鈦礦薄膜的后處理和大有機(jī)離子鹵化物摻雜對鈣鈦礦形貌和結(jié)晶的影響,探討了制備高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜的方法,以及改善的薄膜質(zhì)量對太陽能電池器件性能的提高。本文的主要研究內(nèi)容如下:(1)利用MASCN溶液后處理MAPbI3薄膜,改善薄膜結(jié)晶尺寸,提高電池的性能。采用MASCN溶液后處理MAPbI3薄膜,制備出結(jié)晶顆粒大小在1μm,結(jié)晶性較好的薄膜。優(yōu)化了 MASCN溶液的濃度,當(dāng)MASCN溶液濃度為4mg ml-1時,得到的薄膜結(jié)晶顆粒均勻,致密性良好,結(jié)晶好的MAPbI3薄膜。MASCN溶液后處理可以減少薄膜表面和內(nèi)部的缺陷,提高載流子的提取效率,將鈣鈦礦電池的效率從14.29%提高到17.83%,同還可以有效地減小J-V滯后效應(yīng)。(2)制備了大晶粒的2D/3D復(fù)合鈣鈦礦薄膜,有效減少了薄膜內(nèi)部的缺陷,消除了器件的...
【文章來源】:北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:138 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1-2碲化鎘、砷化鎵和銅銦鎵硒化物薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖[8]
??二:??圖1-2碲化鎘、砷化鎵和銅銦鎵硒化物薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖[8]。??Figure?1-2.?Schematic?of?GaAs?solar?cells?(a),?CIGS?solar?cells?(b),?CdTe?solar?cells?(c)[81.??碲化鎘是直接帶隙半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為1.45?eV,光譜吸收范圍比較寬,??材料對溫度變化不敏感,具有較好的環(huán)境穩(wěn)定性。經(jīng)過不斷的發(fā)展,碲化鎘薄膜電??池的效率不斷提高,目前這類電池的光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了22.1%[6』,具有很好的應(yīng)??用前景。但是由于Cd材料對環(huán)境有害,而且Te元素是稀有元素,含量稀少,限制了??其在市場的應(yīng)用。GaAs薄膜的禁帶寬度為1.42?eV,擁有很強(qiáng)的光吸收譜,較高的??電子遷移率,并可以通過氣相沉積等方法制備,能量轉(zhuǎn)換效率也比較高,NREL認(rèn)??證的能量轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了27.8%[6]
Crystal?structure?of?cubic?perovskite?ABX3[14].??鈣鈦礦材料通常是具有立方體結(jié)構(gòu)的ABX3,最早被發(fā)現(xiàn)的鈣鈦礦材料是??CaTiCb,這一結(jié)構(gòu)是根據(jù)俄羅斯的地質(zhì)學(xué)家L.A.Perovski命名的。從圖1-4中可以??看出,在ABX3結(jié)構(gòu)中,A代表1價有機(jī)陽離子,位于立方晶體結(jié)構(gòu)的八個頂角,??B為2價金屬離子,位于體心,X—種鹵族元素(I、C1或者Br),位于六個面心,??保持系統(tǒng)的電中性。其中A的離子半徑大小必須能夠填充到鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中,即A??必須可以填充到BX6的八面體結(jié)構(gòu)框架中[32]。通常A材料選用MA、FA??Ethylammonium(EA)和Cs+等,這些半徑較小的有機(jī)陽離子,B選用Pb2+、Sn2+或??Ge2+。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)是否穩(wěn)定是由離子之間的距離決定的,不同的離子組成鈣鈦礦??ABX3所形成的結(jié)構(gòu)的概率和晶體穩(wěn)定性可以通過容忍因子t和八面體因子g來確??定[33】。容忍因子t定義為A和X之間的距離與B和X之間的距離比值,可由下面??公式來表示,通過t的值可以確定鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。??⑴)??其中Ra、Rb、Rx分別代表A、B、X離子的半徑
本文編號:3136617
【文章來源】:北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:138 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1-2碲化鎘、砷化鎵和銅銦鎵硒化物薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖[8]
??二:??圖1-2碲化鎘、砷化鎵和銅銦鎵硒化物薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖[8]。??Figure?1-2.?Schematic?of?GaAs?solar?cells?(a),?CIGS?solar?cells?(b),?CdTe?solar?cells?(c)[81.??碲化鎘是直接帶隙半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為1.45?eV,光譜吸收范圍比較寬,??材料對溫度變化不敏感,具有較好的環(huán)境穩(wěn)定性。經(jīng)過不斷的發(fā)展,碲化鎘薄膜電??池的效率不斷提高,目前這類電池的光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了22.1%[6』,具有很好的應(yīng)??用前景。但是由于Cd材料對環(huán)境有害,而且Te元素是稀有元素,含量稀少,限制了??其在市場的應(yīng)用。GaAs薄膜的禁帶寬度為1.42?eV,擁有很強(qiáng)的光吸收譜,較高的??電子遷移率,并可以通過氣相沉積等方法制備,能量轉(zhuǎn)換效率也比較高,NREL認(rèn)??證的能量轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了27.8%[6]
Crystal?structure?of?cubic?perovskite?ABX3[14].??鈣鈦礦材料通常是具有立方體結(jié)構(gòu)的ABX3,最早被發(fā)現(xiàn)的鈣鈦礦材料是??CaTiCb,這一結(jié)構(gòu)是根據(jù)俄羅斯的地質(zhì)學(xué)家L.A.Perovski命名的。從圖1-4中可以??看出,在ABX3結(jié)構(gòu)中,A代表1價有機(jī)陽離子,位于立方晶體結(jié)構(gòu)的八個頂角,??B為2價金屬離子,位于體心,X—種鹵族元素(I、C1或者Br),位于六個面心,??保持系統(tǒng)的電中性。其中A的離子半徑大小必須能夠填充到鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中,即A??必須可以填充到BX6的八面體結(jié)構(gòu)框架中[32]。通常A材料選用MA、FA??Ethylammonium(EA)和Cs+等,這些半徑較小的有機(jī)陽離子,B選用Pb2+、Sn2+或??Ge2+。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)是否穩(wěn)定是由離子之間的距離決定的,不同的離子組成鈣鈦礦??ABX3所形成的結(jié)構(gòu)的概率和晶體穩(wěn)定性可以通過容忍因子t和八面體因子g來確??定[33】。容忍因子t定義為A和X之間的距離與B和X之間的距離比值,可由下面??公式來表示,通過t的值可以確定鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。??⑴)??其中Ra、Rb、Rx分別代表A、B、X離子的半徑
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