發(fā)布時間：2021-04-14 00:30

　　在氣體絕緣變電站（GIS）中,盆式絕緣子表面電荷的存在會使局部電場發(fā)生畸變,嚴重時還會降低沿面閃絡(luò)電壓。為此,研制了一種用于實際252 k V GIS盆式絕緣子表面電荷的3維測量裝置,可以對盆式絕緣子表面電荷進行全徑向、全角度測量。參考實際盆式絕緣子的絕緣設(shè)計裕度及其沿面閃絡(luò)特性,設(shè)計了閃絡(luò)試驗?zāi)Ｐ?分別針對直流、交流電壓作用下絕緣子表面電荷對沿面閃絡(luò)電壓的影響開展了研究。結(jié)果表明:在交流電壓和直流電壓作用下,隨著表面電荷積累量的增加,絕緣子沿面閃絡(luò)電壓有所減小;相比于交流電壓50 k V作用1 h工況下,在53 k V交流電壓作用3 h工況下,盆式絕緣子的沿面閃絡(luò)電壓降低了10.2%,而直流電壓下,絕緣子的沿面閃絡(luò)電壓最大可降低23.0%,這說明了絕緣子表面電荷的存在對其沿面閃絡(luò)電壓具有明顯的影響,在絕緣設(shè)計時需予以重視。研究結(jié)果可為GIS及氣體絕緣輸電線路（GIL）絕緣子的絕緣設(shè)計提供參考。 

【文章來源】：高電壓技術(shù). 2017,43(03)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁


本文編號：3136300