不同狀態(tài)下絕緣子電場(chǎng)分析與檢測(cè)研究
發(fā)布時(shí)間:2021-01-17 07:42
隨著電力行業(yè)的迅速發(fā)展,大量的絕緣子被應(yīng)用于電力系統(tǒng)的輸變電線路中,而劣化絕緣子的存在則直接威脅著電力系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)輸電線路絕緣子串存在劣化絕緣子時(shí),絕緣電阻降低,絕緣強(qiáng)度下降,很容易發(fā)生閃絡(luò),對(duì)電網(wǎng)的安全構(gòu)成嚴(yán)重威脅。因此,亟需對(duì)不同狀態(tài)絕緣子電場(chǎng)進(jìn)行分析并研究出合適的劣化絕緣子檢測(cè)方法。本文首先分析了懸式瓷質(zhì)絕緣子的結(jié)構(gòu)與劣化原理,以及絕緣子串的空間電位分布,并利用有限元仿真軟件Infolytica ElecNet建立了懸式瓷質(zhì)絕緣子串的結(jié)構(gòu)模型進(jìn)行仿真研究。仿真計(jì)算了16片XP-160型絕緣子串與16片XWP-160型絕緣子串的空間電場(chǎng)分布。通過改變絕緣子片的絕緣電阻和相對(duì)介電常數(shù)來模擬絕緣子片的不同狀態(tài),計(jì)算出兩種型號(hào)絕緣子串不同狀態(tài)下的電場(chǎng)分布后,進(jìn)一步研究了絕緣子串的電場(chǎng)變化規(guī)律。論文研究表明,絕緣子劣化程度(即絕緣電阻)與劣化絕緣子的片數(shù)對(duì)空間電場(chǎng)的分布有著很大的影響,劣化程度越深,電場(chǎng)畸變?cè)酱?劣化絕緣子片數(shù)越多,電場(chǎng)畸變也越大。且不同狀態(tài)下的絕緣子片的電場(chǎng)值變化隨著劣化程度的不同(絕緣電阻)成線性變化。最后分析了以泡克爾斯效應(yīng)為原理的光電電場(chǎng)檢測(cè)法,并基于上述...
【文章來源】:沈陽工業(yè)大學(xué)遼寧省
【文章頁數(shù)】:64 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
單片懸式絕緣子結(jié)構(gòu)圖
沈陽工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文10具體建模步驟如下:(1)根據(jù)絕緣子參數(shù)及結(jié)構(gòu)圖建立絕緣子截面構(gòu)造線,檢測(cè)各部件構(gòu)造線是否獨(dú)立且保證其組成封閉圖形,同時(shí)還要保證各部件結(jié)合處構(gòu)造線為緊密相連。圖2.2XWP-160型懸式絕緣子Fig.2.2XWP-160suspensioninsulator圖2.3XP-160型懸式絕緣子Fig.2.3XP-160suspensioninsulator(2)平移絕緣子截面構(gòu)造線,在平移過程中選擇平移距離為絕緣子結(jié)構(gòu)高度,操作次數(shù)選擇15次并保留原有構(gòu)造線。這樣就得到一串16片絕緣子組成的絕緣子串的截面構(gòu)造線。(3)在絕緣子串兩端重復(fù)步驟(1)(2)制作絕緣子與鐵塔相連的金具以及導(dǎo)線夾。(4)檢查各金具機(jī)械連接處的構(gòu)造線是否緊密相連并且無重合現(xiàn)象,確保在形成三維模型時(shí)不產(chǎn)生結(jié)構(gòu)重合。(5)檢查無誤后將上一步所得構(gòu)造線以Y軸為中心進(jìn)行360°旋轉(zhuǎn),形成幾個(gè)閉合的空間。(6)根據(jù)結(jié)構(gòu)圖圖對(duì)閉合空間添加對(duì)應(yīng)的材料。絕緣子串模型見圖2.4,圖2.5。圖2.4XP-160型絕緣子仿真模型Fig.2.4XP-160suspensioninsulatorsimulationmodel圖2.5XWP-160型絕緣子仿真模型Fig.2.5XWP-160suspensioninsulatorsimulationmodel
沈陽工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文10具體建模步驟如下:(1)根據(jù)絕緣子參數(shù)及結(jié)構(gòu)圖建立絕緣子截面構(gòu)造線,檢測(cè)各部件構(gòu)造線是否獨(dú)立且保證其組成封閉圖形,同時(shí)還要保證各部件結(jié)合處構(gòu)造線為緊密相連。圖2.2XWP-160型懸式絕緣子Fig.2.2XWP-160suspensioninsulator圖2.3XP-160型懸式絕緣子Fig.2.3XP-160suspensioninsulator(2)平移絕緣子截面構(gòu)造線,在平移過程中選擇平移距離為絕緣子結(jié)構(gòu)高度,操作次數(shù)選擇15次并保留原有構(gòu)造線。這樣就得到一串16片絕緣子組成的絕緣子串的截面構(gòu)造線。(3)在絕緣子串兩端重復(fù)步驟(1)(2)制作絕緣子與鐵塔相連的金具以及導(dǎo)線夾。(4)檢查各金具機(jī)械連接處的構(gòu)造線是否緊密相連并且無重合現(xiàn)象,確保在形成三維模型時(shí)不產(chǎn)生結(jié)構(gòu)重合。(5)檢查無誤后將上一步所得構(gòu)造線以Y軸為中心進(jìn)行360°旋轉(zhuǎn),形成幾個(gè)閉合的空間。(6)根據(jù)結(jié)構(gòu)圖圖對(duì)閉合空間添加對(duì)應(yīng)的材料。絕緣子串模型見圖2.4,圖2.5。圖2.4XP-160型絕緣子仿真模型Fig.2.4XP-160suspensioninsulatorsimulationmodel圖2.5XWP-160型絕緣子仿真模型Fig.2.5XWP-160suspensioninsulatorsimulationmodel
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]低值瓷絕緣子紅外檢測(cè)溫差閾值研究[J]. 陳楠,陳高洋,李鴻澤,陸倚鵬,朱向前,尹駿剛. 電力工程技術(shù). 2019(01)
[2]110kV復(fù)合絕緣子電場(chǎng)分布影響因素[J]. 曹雯,麻煥成,林曉煥,申巍,王洋. 電網(wǎng)與清潔能源. 2015(07)
[3]基于光電電場(chǎng)傳感器的復(fù)合絕緣子內(nèi)部絕緣故障檢測(cè)[J]. 李嬋虓,牛犇,曾嶸,余占清,張福增. 高電壓技術(shù). 2014(08)
[4]超聲無損檢測(cè)及其在電力絕緣子探傷中的應(yīng)用[J]. 范興明,馬世偉,張?chǎng)?凌斯. 高壓電器. 2014(03)
[5]電線電纜絕緣電阻檢測(cè)及需要注意的問題[J]. 李枚. 機(jī)械工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化與質(zhì)量. 2012(01)
[6]一種智能絕緣電阻測(cè)試儀設(shè)計(jì)[J]. 李志得. 電測(cè)與儀表. 2011(05)
[7]固體絕緣材料絕緣電阻測(cè)量的不確定度評(píng)定[J]. 黃慧潔,邵愛鳳. 低壓電器. 2009(11)
[8]應(yīng)用紫外法檢測(cè)低值(零值)絕緣子的實(shí)驗(yàn)研究[J]. 袁昌武,何為,陳濤. 重慶科技學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2008(01)
[9]光學(xué)電壓互感器的電場(chǎng)分布對(duì)測(cè)量的影響[J]. 肖悅娛. 高電壓技術(shù). 2007(05)
[10]應(yīng)用有限元法計(jì)算覆冰合成絕緣子電位分布[J]. 司馬文霞,邵進(jìn),楊慶. 高電壓技術(shù). 2007(04)
博士論文
[1]基于非接觸式的劣化絕緣子檢測(cè)方法的研究[D]. 陳濤.重慶大學(xué) 2006
碩士論文
[1]淋雨復(fù)合支柱絕緣子電場(chǎng)分布仿真研究[D]. 王振華.華南理工大學(xué) 2017
[2]瓷絕緣子串帶電檢測(cè)機(jī)器人研究[D]. 仲亮.山東大學(xué) 2016
[3]基于紅外檢測(cè)方法的劣化絕緣子便攜式帶電檢測(cè)系統(tǒng)研發(fā)[D]. 伍也凡.湖南大學(xué) 2015
[4]基于有限元的污穢絕緣子電場(chǎng)分布的分析[D]. 張青杰.河北科技大學(xué) 2014
[5]瓷絕緣子狀態(tài)檢測(cè)方法的研究[D]. 葛永超.華北電力大學(xué) 2013
[6]基于光學(xué)電場(chǎng)傳感器的絕緣子劣化檢測(cè)技術(shù)研究[D]. 于洪海.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2012
[7]瓷質(zhì)懸式絕緣子劣化非接觸式檢測(cè)方法的研究[D]. 夏強(qiáng)峰.重慶大學(xué) 2010
[8]光子晶體光纖雙折射特性的研究及應(yīng)用[D]. 岳洋.南開大學(xué) 2007
本文編號(hào):2982469
【文章來源】:沈陽工業(yè)大學(xué)遼寧省
【文章頁數(shù)】:64 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
單片懸式絕緣子結(jié)構(gòu)圖
沈陽工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文10具體建模步驟如下:(1)根據(jù)絕緣子參數(shù)及結(jié)構(gòu)圖建立絕緣子截面構(gòu)造線,檢測(cè)各部件構(gòu)造線是否獨(dú)立且保證其組成封閉圖形,同時(shí)還要保證各部件結(jié)合處構(gòu)造線為緊密相連。圖2.2XWP-160型懸式絕緣子Fig.2.2XWP-160suspensioninsulator圖2.3XP-160型懸式絕緣子Fig.2.3XP-160suspensioninsulator(2)平移絕緣子截面構(gòu)造線,在平移過程中選擇平移距離為絕緣子結(jié)構(gòu)高度,操作次數(shù)選擇15次并保留原有構(gòu)造線。這樣就得到一串16片絕緣子組成的絕緣子串的截面構(gòu)造線。(3)在絕緣子串兩端重復(fù)步驟(1)(2)制作絕緣子與鐵塔相連的金具以及導(dǎo)線夾。(4)檢查各金具機(jī)械連接處的構(gòu)造線是否緊密相連并且無重合現(xiàn)象,確保在形成三維模型時(shí)不產(chǎn)生結(jié)構(gòu)重合。(5)檢查無誤后將上一步所得構(gòu)造線以Y軸為中心進(jìn)行360°旋轉(zhuǎn),形成幾個(gè)閉合的空間。(6)根據(jù)結(jié)構(gòu)圖圖對(duì)閉合空間添加對(duì)應(yīng)的材料。絕緣子串模型見圖2.4,圖2.5。圖2.4XP-160型絕緣子仿真模型Fig.2.4XP-160suspensioninsulatorsimulationmodel圖2.5XWP-160型絕緣子仿真模型Fig.2.5XWP-160suspensioninsulatorsimulationmodel
沈陽工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文10具體建模步驟如下:(1)根據(jù)絕緣子參數(shù)及結(jié)構(gòu)圖建立絕緣子截面構(gòu)造線,檢測(cè)各部件構(gòu)造線是否獨(dú)立且保證其組成封閉圖形,同時(shí)還要保證各部件結(jié)合處構(gòu)造線為緊密相連。圖2.2XWP-160型懸式絕緣子Fig.2.2XWP-160suspensioninsulator圖2.3XP-160型懸式絕緣子Fig.2.3XP-160suspensioninsulator(2)平移絕緣子截面構(gòu)造線,在平移過程中選擇平移距離為絕緣子結(jié)構(gòu)高度,操作次數(shù)選擇15次并保留原有構(gòu)造線。這樣就得到一串16片絕緣子組成的絕緣子串的截面構(gòu)造線。(3)在絕緣子串兩端重復(fù)步驟(1)(2)制作絕緣子與鐵塔相連的金具以及導(dǎo)線夾。(4)檢查各金具機(jī)械連接處的構(gòu)造線是否緊密相連并且無重合現(xiàn)象,確保在形成三維模型時(shí)不產(chǎn)生結(jié)構(gòu)重合。(5)檢查無誤后將上一步所得構(gòu)造線以Y軸為中心進(jìn)行360°旋轉(zhuǎn),形成幾個(gè)閉合的空間。(6)根據(jù)結(jié)構(gòu)圖圖對(duì)閉合空間添加對(duì)應(yīng)的材料。絕緣子串模型見圖2.4,圖2.5。圖2.4XP-160型絕緣子仿真模型Fig.2.4XP-160suspensioninsulatorsimulationmodel圖2.5XWP-160型絕緣子仿真模型Fig.2.5XWP-160suspensioninsulatorsimulationmodel
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]低值瓷絕緣子紅外檢測(cè)溫差閾值研究[J]. 陳楠,陳高洋,李鴻澤,陸倚鵬,朱向前,尹駿剛. 電力工程技術(shù). 2019(01)
[2]110kV復(fù)合絕緣子電場(chǎng)分布影響因素[J]. 曹雯,麻煥成,林曉煥,申巍,王洋. 電網(wǎng)與清潔能源. 2015(07)
[3]基于光電電場(chǎng)傳感器的復(fù)合絕緣子內(nèi)部絕緣故障檢測(cè)[J]. 李嬋虓,牛犇,曾嶸,余占清,張福增. 高電壓技術(shù). 2014(08)
[4]超聲無損檢測(cè)及其在電力絕緣子探傷中的應(yīng)用[J]. 范興明,馬世偉,張?chǎng)?凌斯. 高壓電器. 2014(03)
[5]電線電纜絕緣電阻檢測(cè)及需要注意的問題[J]. 李枚. 機(jī)械工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化與質(zhì)量. 2012(01)
[6]一種智能絕緣電阻測(cè)試儀設(shè)計(jì)[J]. 李志得. 電測(cè)與儀表. 2011(05)
[7]固體絕緣材料絕緣電阻測(cè)量的不確定度評(píng)定[J]. 黃慧潔,邵愛鳳. 低壓電器. 2009(11)
[8]應(yīng)用紫外法檢測(cè)低值(零值)絕緣子的實(shí)驗(yàn)研究[J]. 袁昌武,何為,陳濤. 重慶科技學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2008(01)
[9]光學(xué)電壓互感器的電場(chǎng)分布對(duì)測(cè)量的影響[J]. 肖悅娛. 高電壓技術(shù). 2007(05)
[10]應(yīng)用有限元法計(jì)算覆冰合成絕緣子電位分布[J]. 司馬文霞,邵進(jìn),楊慶. 高電壓技術(shù). 2007(04)
博士論文
[1]基于非接觸式的劣化絕緣子檢測(cè)方法的研究[D]. 陳濤.重慶大學(xué) 2006
碩士論文
[1]淋雨復(fù)合支柱絕緣子電場(chǎng)分布仿真研究[D]. 王振華.華南理工大學(xué) 2017
[2]瓷絕緣子串帶電檢測(cè)機(jī)器人研究[D]. 仲亮.山東大學(xué) 2016
[3]基于紅外檢測(cè)方法的劣化絕緣子便攜式帶電檢測(cè)系統(tǒng)研發(fā)[D]. 伍也凡.湖南大學(xué) 2015
[4]基于有限元的污穢絕緣子電場(chǎng)分布的分析[D]. 張青杰.河北科技大學(xué) 2014
[5]瓷絕緣子狀態(tài)檢測(cè)方法的研究[D]. 葛永超.華北電力大學(xué) 2013
[6]基于光學(xué)電場(chǎng)傳感器的絕緣子劣化檢測(cè)技術(shù)研究[D]. 于洪海.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2012
[7]瓷質(zhì)懸式絕緣子劣化非接觸式檢測(cè)方法的研究[D]. 夏強(qiáng)峰.重慶大學(xué) 2010
[8]光子晶體光纖雙折射特性的研究及應(yīng)用[D]. 岳洋.南開大學(xué) 2007
本文編號(hào):2982469
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