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電弧三維電磁場模型參數(shù)對GIS中VFTO的影響

發(fā)布時間:2020-08-22 02:12
【摘要】:隔離開關(guān)操作產(chǎn)生的特快速暫態(tài)過電壓(VFTO)對一次設備的絕緣和二次設備安全穩(wěn)定運行產(chǎn)生很大的危害。電弧模型對VFTO理論分析有很大影響�;趯崪y電弧等效電阻,應用三維瞬態(tài)電磁場模型,分析了隔離開關(guān)操作過程中圓柱形電弧模型半徑變化對VFTO分布的影響�;谑噶縿討B(tài)位,討論了應用三維有限元法分析GIS內(nèi)部瞬態(tài)電磁波初始條件的設定。根據(jù)實測電弧等效電阻,用導電媒質(zhì)建立了用于3D電磁分析的電弧模型。對比了不同電弧模型半徑下電源側(cè)、空載母線側(cè)和電弧處VFTO波形及峰值。通過分析發(fā)現(xiàn)當電弧模型的半徑下降到一定數(shù)值后,半徑開始對VFTO分布有較大的影響,其對電弧處電壓響應幅值的影響最明顯;隨著電弧模型半徑的減小VFTO在時間上發(fā)生滯后,電弧模型半徑的減小對電源側(cè)、負載側(cè)和電弧處時間滯后影響程度基本相同。因此在應用3D電磁場模型分析VFTO時,電弧模型半徑應盡量與實際相符。

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本文編號:2800129

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