介紹了電子束真空氣相沉積(EBPVD)鍍膜技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)、國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀,并對其關(guān)鍵技術(shù):材料的高速電子束蒸發(fā)過程在真空和工藝參數(shù)控制下的物質(zhì)的沉積、成分和組織結(jié)構(gòu)的控制等方面進(jìn)行了分析。簡要論述了其硬件條件,以便為鋼鈦復(fù)合材料的制備提供解決思路。

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【部分圖文】：

圖1　硫化錫晶體結(jié)構(gòu)示意圖

從而構(gòu)成一個(gè)高度扭曲的八面體結(jié)構(gòu)。在每個(gè)層內(nèi),原子通過共價(jià)鍵結(jié)合,層與層之間則由范德華力結(jié)合。結(jié)構(gòu)如圖1所示,表1列出了基本的物理性能及光電參數(shù)。表1　硫化錫的基本性能參數(shù)Table1　ThebasicpropertiesoftinsulfideProperties....

圖1 電子槍的結(jié)構(gòu)原理

與合金相似,純金屬以單個(gè)原子的形式蒸發(fā)。然而,對于大多數(shù)合金而言,液態(tài)合金上面的氣相組成并不等于合金的平均成分。合金會(huì)發(fā)生分餾,這導(dǎo)致冷凝在基體表面的凝析層會(huì)含有最多的揮發(fā)組分。采用不同的蒸發(fā)方法,可得到厚度均勻的多組分金屬材料的混合物[7]。3.2.1成分控制

圖2 電子束鍍合金膜原理

化合物的蒸發(fā)(如氧化物、碳化物和硼化物等)通常伴隨有初始分子種類的變化。許多難熔化合物的特征是與初始分子解離,生成氣態(tài)產(chǎn)物。例如在蒸發(fā)過程中形成氧、鋁、醛等。只有在解離產(chǎn)物的揮發(fā)性基本相同的情況下,才有可能從一個(gè)來源直接蒸發(fā)得到不改變化合物初始組成的蒸發(fā)冷凝產(chǎn)品。難熔氧化物如(A....

圖3 結(jié)構(gòu)分區(qū)示意

電子射束蒸發(fā)的純金屬和耐火材料氧化物、碳化物、硼化物類型的化合物以及隨后的水蒸氣凝結(jié)襯底在較寬的溫度范圍內(nèi)Ts,導(dǎo)致形成三個(gè)有特色的構(gòu)造帶與極限溫度T1和T2[9]。圖3給出了結(jié)構(gòu)分區(qū)的示意,具體取決于相應(yīng)的溫度Ts/Tm。其中,Tm為熔化溫度(K)。通過對上述區(qū)域熱激活過程活化....

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