為研究與設(shè)計(jì)新型光波導(dǎo)和光學(xué)傳感器,通過(guò)參數(shù)匹配,并利用平面波展開的傳輸矩陣?yán)碚摷安悸搴斩ɡ?研究左右手材料光子晶體的能帶結(jié)構(gòu)、表面波局域電場(chǎng)分布等,結(jié)果表明:零平均折射率左右材料光子晶體能帶中存在的半封閉狀和封閉狀禁帶結(jié)構(gòu),且通帶中的能級(jí)曲線由高頻向低頻方向振蕩衰減并簡(jiǎn)并。添加表面覆蓋層介質(zhì)后,部分半封閉狀及封閉狀禁帶中出現(xiàn)正向波和反向波分立能級(jí),分立能級(jí)隨覆蓋層厚度增大向波矢減小方向移動(dòng),半封閉狀禁帶中的分立能級(jí)在覆蓋層厚度達(dá)到一定數(shù)值時(shí)出現(xiàn)分裂現(xiàn)象。禁帶中正向表面波局域電場(chǎng)極大值均處于覆蓋層與光子晶體表面交界處附近,并隨覆蓋層厚度增大或遠(yuǎn)離交界處而衰減,封閉狀禁帶對(duì)應(yīng)的局域電場(chǎng)極大值對(duì)覆蓋層厚度的響應(yīng)靈敏度弱于半封閉狀禁帶。禁帶中的反向表面波局域電場(chǎng)及其極大值均處于光子晶體內(nèi)部,而且隨覆蓋層厚度增大而增強(qiáng),封閉狀禁帶對(duì)反向表面波的局域限制作用、表面波與入射光的耦合作用、局域電場(chǎng)對(duì)覆蓋層厚度的響應(yīng)靈敏度等強(qiáng)于半封閉狀禁帶。

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