在陽極氧化法制備有序TiO₂納米管陣列（TiO₂ NTAs）的基礎(chǔ)上,通過氣氛保護(hù)退火實(shí)現(xiàn)碳改性處理（C-TiO₂NTAs）,并進(jìn)一步采用水浴沉積工藝可控制備VO₂/C-TiO₂納米管復(fù)合陣列（VO₂/C-TiO₂ NTAs）。采用X射線衍射（XRD）、X射線光電子能譜（XPS）、場發(fā)射掃描電鏡（FESEM）和場發(fā)射透射電鏡（TEM）對(duì)VO₂/C-TiO₂ NTAs的物相、成分和形貌進(jìn)行表征,利用循環(huán)伏安（CV）、恒電流充放電（GCD）以及電化學(xué)阻抗譜（EIS）測試VO₂/C-TiO₂ NTAs的超電容性能。結(jié)果表明:在濃度為0.01 mol/L的VOSO4溶液中90℃沉積3 h,VO₂/C-TiO₂ NTAs的比電容最佳,當(dāng)電流密度為1 A/g、比電容為316 F/g,且經(jīng)過1000次恒電流循環(huán)充放電后...

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【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
    1.1 樣品制備
        1.1.1 鈦片預(yù)處理
        1.1.2 C-Ti O2NTAs制備
        1.1.3 VO2/C-Ti O2NTAs的制備
    1.2 樣品表征
    1.3 電化學(xué)性能測試
2 結(jié)果與討論
    2.1 FESEM分析
    2.2 TEM分析
    2.3 XRD分析
    2.4 Raman分析
    2.5 XPS分析
    2.6 比表面積分析
    2.7 CV分析
    2.8 GCD分析
    2.9 EIS分析
    2.1 0 循環(huán)穩(wěn)定性分析
3 結(jié)論



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