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W/BDD薄膜電極制備及其電化學(xué)性能研究

發(fā)布時(shí)間:2024-12-07 03:11
   利用化學(xué)氣相沉積(CVD)法研制了一種鎢基硼摻雜金剛石(W/BDD)薄膜電極,通過掃描電鏡和Raman光譜考察了W/BDD薄膜電極的性能,通過電化學(xué)方法測(cè)定了其在LiCl-KCl熔鹽中的電化學(xué)窗口和電化學(xué)性能。結(jié)果表明,研制的W/BDD薄膜電極的BDD薄膜有較好的微觀結(jié)構(gòu);W/BDD薄膜電極在LiCl-KCl熔鹽中的電化學(xué)窗口約為3.5 V(-2.5~1.0 V,相對(duì)于Ag/AgCl參比極電位);電解過程中,氧離子不與W/BDD薄膜電極表面BDD薄膜層的碳反應(yīng),直接被氧化為氧原子;長(zhǎng)時(shí)間電解不會(huì)改變電極表面薄膜層的形貌和結(jié)構(gòu)。

【文章頁數(shù)】:6 頁

【文章目錄】:
1 實(shí)驗(yàn)
    1.1 主要試劑與儀器
    1.2 方法
        1) W/BDD薄膜電極制備
        2) W/BDD 薄膜電極的電化學(xué)窗口測(cè)試
        3) 氧離子在W/BDD薄膜電極上的氧化過程
        4) 表征分析
2 結(jié)果與討論
    2.1 W/BDD 薄膜電極的表征
    2.2 W/BDD 薄膜電極的電化學(xué)窗口測(cè)試
    2.3 氧離子在 W/BDD 薄膜電極上的氧化過程
    2.4 W/BDD薄膜電極的穩(wěn)定性
3 結(jié)論



本文編號(hào):4014701

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