近20年來(lái),有機(jī)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,人們對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體器件的研究不斷深入,其中,有機(jī)電致發(fā)光二極管(OLED)被公認(rèn)為下一代平板顯示和固體照明最理想的技術(shù),而器件的穩(wěn)定性是決定OLED能否實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的重要因素,穩(wěn)定性除了受到器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的影響外,發(fā)光層作為主體層其自身的穩(wěn)定性也是影響器件穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。發(fā)光層穩(wěn)定性受許多方面影響,如光穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性、溶劑穩(wěn)定性等。本論文選取經(jīng)典藍(lán)光電致發(fā)光聚合物——聚辛基芴(PFO)為研究對(duì)象,對(duì)PFO各相態(tài)間的轉(zhuǎn)變機(jī)理進(jìn)行了研究。PFO是一種具有多相態(tài)性的共軛聚合物,除非晶相外還有β相、α相和液晶相N相等,其中非晶相在器件實(shí)際使用中最常用,β相具有最純正的藍(lán)光發(fā)射、且能與非晶相自摻雜顯著提高器件效率,α相是性能優(yōu)異的高結(jié)晶相。因此本文選取非晶相和β相作為PFO熱穩(wěn)定性的研究對(duì)象,表征了非晶相和β相PFO在熱退火過(guò)程中的微結(jié)構(gòu)變化。此外還對(duì)尚未有學(xué)者探索過(guò)的α相PFO的熏蒸過(guò)程進(jìn)行了表征,研究了α相PFO的溶劑穩(wěn)定性。經(jīng)研究,對(duì)于PFO薄膜,(1)80-100°C為相轉(zhuǎn)變溫度區(qū)間,當(dāng)溫度低于80°C時(shí),無(wú)法為分子主鏈運(yùn)動(dòng)提供足夠能量,當(dāng)溫度高于100...

【文章頁(yè)數(shù)】：64 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 有機(jī)電致發(fā)光
        1.2.1 有機(jī)電致發(fā)光簡(jiǎn)史
        1.2.2 研究進(jìn)展及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程
        1.2.3 國(guó)內(nèi)研究現(xiàn)狀
    1.3 課題背景及研究目的和意義
        1.3.1 聚芴類電致發(fā)光材料
        1.3.2 聚辛基芴簡(jiǎn)介
        1.3.3 后處理對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)的影響
        1.3.4 本論文的研究意義和主要工作
第2章 非晶相PFO薄膜熱退火過(guò)程的原位表征
    2.1 前言
    2.2 實(shí)驗(yàn)部分
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
        2.2.2 樣品制備
        2.2.3 實(shí)驗(yàn)儀器
        2.2.4 表征方法
    2.3 結(jié)果與討論
        2.3.1 原位2D-GIXRD表征
        2.3.2 原位GIXRD表征
        2.3.3 原位紫外可見吸收光譜圖
    2.4 本章小結(jié)
第3章 β相PFO薄膜熱退火過(guò)程中相轉(zhuǎn)變行為研究
    3.1 前言
    3.2 實(shí)驗(yàn)部分
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
        3.2.2 樣品制備
        3.2.3 實(shí)驗(yàn)儀器
        3.2.4 表征方法
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 離位紫外可見吸收光譜圖
        3.3.2 離位熒光光譜圖
        3.3.3 原位紫外可見光譜圖
        3.3.4 原位升溫過(guò)程中的GIXRD表征
        3.3.5 離位熱退火過(guò)程中的GIXRD表征
    3.4 本章小結(jié)
第4章 α相PFO薄膜熏蒸過(guò)程的原位表征及原位溶劑蒸氣處理測(cè)試功能開發(fā)
    4.1 前言
    4.2 實(shí)驗(yàn)部分
        4.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
        4.2.2 樣品制備
        4.2.3 實(shí)驗(yàn)儀器
        4.2.4 基于X射線衍射儀的原位溶劑蒸氣處理裝置的搭建
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1 原位紫外可見吸收光譜圖
        4.3.2 溶劑蒸氣處理過(guò)程中的GIXRD表征
        4.3.3 溶劑蒸氣處理過(guò)程中的2D-GIXRD表征
    4.4 本章小結(jié)
第5章 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
作者簡(jiǎn)介
攻讀碩士學(xué)位期間研究成果



本文編號(hào)：3808792