鈣鈦礦因其帶隙可調(diào)使其具備優(yōu)異的光電性能,從而成為良好的發(fā)光材料。又因制作成本低等特點在商業(yè)界廣受歡迎。但由于制作的影響導(dǎo)致量子產(chǎn)率相對低,所以鈣鈦礦在應(yīng)用方面存在一定的局限性。表面缺陷是導(dǎo)致量子產(chǎn)量低的原因,研究發(fā)現(xiàn)還原氧化石墨烯可直接復(fù)合,通過所發(fā)射的光在還原氧化石墨烯表面形成表面等離激元共振,從而可提高量子產(chǎn)率。本文采取熱注入法來完成本文有關(guān)鈣鈦礦材料的制備。對鈣鈦礦材料進行表征發(fā)現(xiàn),鈣鈦礦量子點尺寸在12 nm左右,呈立方體形狀。還原氧化石墨烯因結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、高導(dǎo)熱性能、高導(dǎo)電性能、高電子遷移速率和高表面積等優(yōu)點,快速成為物理、化學、生物等領(lǐng)域研究的熱點。還原氧化石墨烯的復(fù)合材料在研究中具有極大發(fā)展?jié)撃?在某些材料中,加入微量的還原氧化石墨烯可提高其原有的性質(zhì)。采用哈默法來制備還原氧化石墨烯,可以去除鈣鈦礦表面的缺陷,進而可提高鈣鈦的量子產(chǎn)率。本文主要研究通過原位溶液反應(yīng)將Cs Pb Br3鈣鈦礦量子點（Pe QD）摻入還原氧化石墨烯（RGO）納米薄片中,構(gòu)成Cs Pb Br3量子點/還原氧化石墨烯（Pe QD/RGO）復(fù)合材料。研究發(fā)現(xiàn),通過改變RGO的量,PLQY可以從46%到... 

【文章來源】：河南大學河南省

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

鈣鈦礦的結(jié)構(gòu)圖

還原氧化石墨烯與CsPbBr3復(fù)合材料的光學性質(zhì)研究4半導(dǎo)體發(fā)光的原理。半導(dǎo)體發(fā)光可以分為電致發(fā)光和光致發(fā)光。電致發(fā)光的原理如1-2所示：圖1-2電致發(fā)光原理圖在半導(dǎo)體器件中PN結(jié)是最簡單的結(jié)構(gòu)。在N區(qū)由于參雜原因使得電子的濃度遠高于空穴濃度，在P區(qū)因空穴大量存在，所以其濃度遠高于電子的濃度。在不加電壓的情況下，滿足靜態(tài)平衡。在PN結(jié)兩端加電壓時會使得電子和空穴有更多可能通過結(jié)區(qū)，而且會發(fā)生大概率的電子空穴復(fù)合。從而發(fā)生了能量的轉(zhuǎn)換，即電子和空穴的動能轉(zhuǎn)換為光能和熱能。光致發(fā)光的原理如1-3所示:圖1-3光致發(fā)光原理圖在半導(dǎo)體器件上投射一束光時，處于價帶（Ev）的電子會立刻吸收光子的能量。進而價帶的電子因能量高而不穩(wěn)定，所以會躍遷到導(dǎo)帶（Ec）。而導(dǎo)帶中的電子處于不平衡狀態(tài)，會從激發(fā)態(tài)釋放能量到穩(wěn)定的基態(tài)，而能量是以光能的形式釋放。

還原氧化石墨烯與CsPbBr3復(fù)合材料的光學性質(zhì)研究4半導(dǎo)體發(fā)光的原理。半導(dǎo)體發(fā)光可以分為電致發(fā)光和光致發(fā)光。電致發(fā)光的原理如1-2所示：圖1-2電致發(fā)光原理圖在半導(dǎo)體器件中PN結(jié)是最簡單的結(jié)構(gòu)。在N區(qū)由于參雜原因使得電子的濃度遠高于空穴濃度，在P區(qū)因空穴大量存在，所以其濃度遠高于電子的濃度。在不加電壓的情況下，滿足靜態(tài)平衡。在PN結(jié)兩端加電壓時會使得電子和空穴有更多可能通過結(jié)區(qū)，而且會發(fā)生大概率的電子空穴復(fù)合。從而發(fā)生了能量的轉(zhuǎn)換，即電子和空穴的動能轉(zhuǎn)換為光能和熱能。光致發(fā)光的原理如1-3所示:圖1-3光致發(fā)光原理圖在半導(dǎo)體器件上投射一束光時，處于價帶（Ev）的電子會立刻吸收光子的能量。進而價帶的電子因能量高而不穩(wěn)定，所以會躍遷到導(dǎo)帶（Ec）。而導(dǎo)帶中的電子處于不平衡狀態(tài)，會從激發(fā)態(tài)釋放能量到穩(wěn)定的基態(tài)，而能量是以光能的形式釋放。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]銫鉛鹵化物鈣鈦礦型平面異質(zhì)結(jié)LED的應(yīng)用與發(fā)展[J]. 章樓文,沈少立,李露穎,張智,劉逆霜,高義華.  無機材料學報. 2019(01)
[2]旋涂法制備量子點LED功能層材料的研究進展[J]. 崔賀鳳,李曉云,郭美玲.  微納電子技術(shù). 2018(04)
[3]量子點發(fā)光二極管的研究進展[J]. 陳雯柏,馬航,葉繼興,李鄧化.  激光與光電子學進展. 2017(11)
[4]二階非線性光學超支化高分子研究進展[J]. 唐潤理,陳紅,李倩倩,李振.  武漢大學學報(理學版). 2015(01)
[5]基于LabVIEW的Z掃描測量系統(tǒng)設(shè)計[J]. 應(yīng)祥岳,徐鐵峰.  計算機測量與控制. 2008(04)

博士論文
[1]基于量子點的電致發(fā)光器件關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 馬航.北京交通大學 2017

碩士論文
[1]無機鈣鈦礦納米材料的制備及其發(fā)光器件[D]. 劉昌鍵.南京郵電大學 2019
[2]表面等離子體激元局域發(fā)光增強效應(yīng)研究[D]. 于丹丹.天津工業(yè)大學 2019
[3]碲化鉍與石墨烯復(fù)合材料的三階非線性光學性質(zhì)的研究[D]. 高亞鴿.河南大學 2018



本文編號：3522465