貴金屬/半導體復合納米結構的SERS特性及其免疫檢測應用
發(fā)布時間:2021-11-27 14:11
表面增強拉曼散射(Surface-Enhanced Raman Scatting,SERS)光譜技術能夠實現(xiàn)各種檢測的無損、超高靈敏度和實時快速的特性,在生物醫(yī)學、化學和物理等各種分析檢測中得到了廣泛應用。其中,基于SERS技術的免疫檢測已經初步應用于早期癌癥篩查的臨床試驗中。目前,有標記和無標記免疫檢測法是基于SERS技術免疫檢測常用的兩種方法。其中,有標記免疫檢測主要是基于“免疫基底-腫瘤標志物-標記免疫探針”的三明治結構。由于傳統(tǒng)的基于貴金屬納米結構的基底和探針,如金、銀和銅,資源匱乏,成本高以及穩(wěn)定性差等問題,近年來,研究學者們致力于貴金屬/半導體復合材料作為SERS基底和探針等方面的研究,實驗結果不僅獲得了更加理想的拉曼散射信號,還獲得了穩(wěn)定性更高的基底和探針,更為重要的是拓寬了SERS光譜的應用范圍,此外還豐富了SERS基底和探針的種類,因而開展這一領域的研究對SERS機制的探索具有重要的意義。本論文主要研究了金屬/半導體異質納米結構的SERS特性及其在基底在免疫檢測中的應用。首先,利用還原劑檸檬酸鈉還原不同體積比的硝酸銀和四水合三水合氯金酸混合溶液合成了金銀合金納米粒子,...
【文章來源】:江蘇大學江蘇省
【文章頁數(shù)】:60 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
拉曼散射原理
貴金屬/半導體復合納米結構的 SERS 特性及其免疫檢測應用貴金屬納米粒子可以極大地增強分子的拉曼信號,傳統(tǒng)上被普遍地用作 SERS 基底。束等人將團聚的銀納米粒子作為 SERS 基底[38], 金納米粒子作為探針實現(xiàn)了前列腫瘤標志物 PSA 的高靈敏度的檢測,如圖 1.2。團聚的銀納米粒子具有比分散的納更強的信號,這是由于“熱點”的增多即等離子共振引起的電磁場增強。此外,實底制備方法簡單,直接在硅片上原位還原硝酸銀得到均一性較好的銀基底。研究學不斷的優(yōu)化基底結構,例如金屬的二聚體、核殼結構和合金,獲得了具有更好 SER的基底。
)貴金屬/半導體復合材料 SERS 基底由于基于貴金屬的成本和資源,納米粒子容易團聚和不穩(wěn)定性等問題限制了貴S 技術的應用。隨著納米技術不斷深入的研究與發(fā)展,基于 SERS 的基底擴展屬,金屬氧化物和半導體材料以及它們的復合材料,如圖 1.4[39]。其中不同形米結構修飾的 TiO2復合納米結構表現(xiàn)出了很好的 SERS 特性。因此,其它特殊,如納米線、納米立方體和納米棒等,有很大的潛力用作穩(wěn)定性好、可重復使性好的 SERS 基底;谫F金屬/半導體復合微納米結構粒子的基礎性質的研究的學者,主要由于它們有著優(yōu)越的光學性質。同時,貴金屬/半導體復合材料也到SERS技術領域的研究,結合貴金屬的SERS活性強和半導體材料穩(wěn)定性好的了更為理想的拉曼信號。因此,大量的金屬/半導體復合材料基底被制備出來,盡相同,形貌也各異,如金屬包半導體結構,也有半導體包金屬結構,半導體圖 1.3 Si 和 Ge 半導體基底電荷轉移過程[44]Fig.1.3 Charge transfer process in Si and Ge Semiconductor substrate
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Investigating the light stability of solid-solution-based AgCl-AgBr and AgBr-T1I crystals[J]. Alexandr S.Korsakov,Alexandr E.Lvov,Dmitry S.Vrublevsky,Liya V.Zhukova. Chinese Optics Letters. 2016(02)
[2]半導體納米材料作為表面增強拉曼散射基底的研究進展[J]. 趙冰,徐蔚青,阮偉東,韓曉霞. 高等學;瘜W學報. 2008(12)
本文編號:3522450
【文章來源】:江蘇大學江蘇省
【文章頁數(shù)】:60 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
拉曼散射原理
貴金屬/半導體復合納米結構的 SERS 特性及其免疫檢測應用貴金屬納米粒子可以極大地增強分子的拉曼信號,傳統(tǒng)上被普遍地用作 SERS 基底。束等人將團聚的銀納米粒子作為 SERS 基底[38], 金納米粒子作為探針實現(xiàn)了前列腫瘤標志物 PSA 的高靈敏度的檢測,如圖 1.2。團聚的銀納米粒子具有比分散的納更強的信號,這是由于“熱點”的增多即等離子共振引起的電磁場增強。此外,實底制備方法簡單,直接在硅片上原位還原硝酸銀得到均一性較好的銀基底。研究學不斷的優(yōu)化基底結構,例如金屬的二聚體、核殼結構和合金,獲得了具有更好 SER的基底。
)貴金屬/半導體復合材料 SERS 基底由于基于貴金屬的成本和資源,納米粒子容易團聚和不穩(wěn)定性等問題限制了貴S 技術的應用。隨著納米技術不斷深入的研究與發(fā)展,基于 SERS 的基底擴展屬,金屬氧化物和半導體材料以及它們的復合材料,如圖 1.4[39]。其中不同形米結構修飾的 TiO2復合納米結構表現(xiàn)出了很好的 SERS 特性。因此,其它特殊,如納米線、納米立方體和納米棒等,有很大的潛力用作穩(wěn)定性好、可重復使性好的 SERS 基底;谫F金屬/半導體復合微納米結構粒子的基礎性質的研究的學者,主要由于它們有著優(yōu)越的光學性質。同時,貴金屬/半導體復合材料也到SERS技術領域的研究,結合貴金屬的SERS活性強和半導體材料穩(wěn)定性好的了更為理想的拉曼信號。因此,大量的金屬/半導體復合材料基底被制備出來,盡相同,形貌也各異,如金屬包半導體結構,也有半導體包金屬結構,半導體圖 1.3 Si 和 Ge 半導體基底電荷轉移過程[44]Fig.1.3 Charge transfer process in Si and Ge Semiconductor substrate
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Investigating the light stability of solid-solution-based AgCl-AgBr and AgBr-T1I crystals[J]. Alexandr S.Korsakov,Alexandr E.Lvov,Dmitry S.Vrublevsky,Liya V.Zhukova. Chinese Optics Letters. 2016(02)
[2]半導體納米材料作為表面增強拉曼散射基底的研究進展[J]. 趙冰,徐蔚青,阮偉東,韓曉霞. 高等學;瘜W學報. 2008(12)
本文編號:3522450
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