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貴金屬/半導(dǎo)體復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的SERS特性及其免疫檢測(cè)應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2021-11-27 14:11
  表面增強(qiáng)拉曼散射(Surface-Enhanced Raman Scatting,SERS)光譜技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)各種檢測(cè)的無(wú)損、超高靈敏度和實(shí)時(shí)快速的特性,在生物醫(yī)學(xué)、化學(xué)和物理等各種分析檢測(cè)中得到了廣泛應(yīng)用。其中,基于SERS技術(shù)的免疫檢測(cè)已經(jīng)初步應(yīng)用于早期癌癥篩查的臨床試驗(yàn)中。目前,有標(biāo)記和無(wú)標(biāo)記免疫檢測(cè)法是基于SERS技術(shù)免疫檢測(cè)常用的兩種方法。其中,有標(biāo)記免疫檢測(cè)主要是基于“免疫基底-腫瘤標(biāo)志物-標(biāo)記免疫探針”的三明治結(jié)構(gòu)。由于傳統(tǒng)的基于貴金屬納米結(jié)構(gòu)的基底和探針,如金、銀和銅,資源匱乏,成本高以及穩(wěn)定性差等問題,近年來(lái),研究學(xué)者們致力于貴金屬/半導(dǎo)體復(fù)合材料作為SERS基底和探針等方面的研究,實(shí)驗(yàn)結(jié)果不僅獲得了更加理想的拉曼散射信號(hào),還獲得了穩(wěn)定性更高的基底和探針,更為重要的是拓寬了SERS光譜的應(yīng)用范圍,此外還豐富了SERS基底和探針的種類,因而開展這一領(lǐng)域的研究對(duì)SERS機(jī)制的探索具有重要的意義。本論文主要研究了金屬/半導(dǎo)體異質(zhì)納米結(jié)構(gòu)的SERS特性及其在基底在免疫檢測(cè)中的應(yīng)用。首先,利用還原劑檸檬酸鈉還原不同體積比的硝酸銀和四水合三水合氯金酸混合溶液合成了金銀合金納米粒子,... 

【文章來(lái)源】:江蘇大學(xué)江蘇省

【文章頁(yè)數(shù)】:60 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

貴金屬/半導(dǎo)體復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的SERS特性及其免疫檢測(cè)應(yīng)用


拉曼散射原理

免疫檢測(cè),三明治,納米粒子


貴金屬/半導(dǎo)體復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的 SERS 特性及其免疫檢測(cè)應(yīng)用貴金屬納米粒子可以極大地增強(qiáng)分子的拉曼信號(hào),傳統(tǒng)上被普遍地用作 SERS 基底。束等人將團(tuán)聚的銀納米粒子作為 SERS 基底[38], 金納米粒子作為探針實(shí)現(xiàn)了前列腫瘤標(biāo)志物 PSA 的高靈敏度的檢測(cè),如圖 1.2。團(tuán)聚的銀納米粒子具有比分散的納更強(qiáng)的信號(hào),這是由于“熱點(diǎn)”的增多即等離子共振引起的電磁場(chǎng)增強(qiáng)。此外,實(shí)底制備方法簡(jiǎn)單,直接在硅片上原位還原硝酸銀得到均一性較好的銀基底。研究學(xué)不斷的優(yōu)化基底結(jié)構(gòu),例如金屬的二聚體、核殼結(jié)構(gòu)和合金,獲得了具有更好 SER的基底。

形貌,電荷轉(zhuǎn)移過程,半導(dǎo)體,基底


)貴金屬/半導(dǎo)體復(fù)合材料 SERS 基底由于基于貴金屬的成本和資源,納米粒子容易團(tuán)聚和不穩(wěn)定性等問題限制了貴S 技術(shù)的應(yīng)用。隨著納米技術(shù)不斷深入的研究與發(fā)展,基于 SERS 的基底擴(kuò)展屬,金屬氧化物和半導(dǎo)體材料以及它們的復(fù)合材料,如圖 1.4[39]。其中不同形米結(jié)構(gòu)修飾的 TiO2復(fù)合納米結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出了很好的 SERS 特性。因此,其它特殊,如納米線、納米立方體和納米棒等,有很大的潛力用作穩(wěn)定性好、可重復(fù)使性好的 SERS 基底;谫F金屬/半導(dǎo)體復(fù)合微納米結(jié)構(gòu)粒子的基礎(chǔ)性質(zhì)的研究的學(xué)者,主要由于它們有著優(yōu)越的光學(xué)性質(zhì)。同時(shí),貴金屬/半導(dǎo)體復(fù)合材料也到SERS技術(shù)領(lǐng)域的研究,結(jié)合貴金屬的SERS活性強(qiáng)和半導(dǎo)體材料穩(wěn)定性好的了更為理想的拉曼信號(hào)。因此,大量的金屬/半導(dǎo)體復(fù)合材料基底被制備出來(lái),盡相同,形貌也各異,如金屬包半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),也有半導(dǎo)體包金屬結(jié)構(gòu),半導(dǎo)體圖 1.3 Si 和 Ge 半導(dǎo)體基底電荷轉(zhuǎn)移過程[44]Fig.1.3 Charge transfer process in Si and Ge Semiconductor substrate

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Investigating the light stability of solid-solution-based AgCl-AgBr and AgBr-T1I crystals[J]. Alexandr S.Korsakov,Alexandr E.Lvov,Dmitry S.Vrublevsky,Liya V.Zhukova.  Chinese Optics Letters. 2016(02)
[2]半導(dǎo)體納米材料作為表面增強(qiáng)拉曼散射基底的研究進(jìn)展[J]. 趙冰,徐蔚青,阮偉東,韓曉霞.  高等學(xué);瘜W(xué)學(xué)報(bào). 2008(12)



本文編號(hào):3522450

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