Ag納米粒子的形貌對InGaN/Ga N多量子阱（MQWs）的光致發(fā)光（PL）效率有著顯著影響。本文采用離子束沉積（IBD）技術(shù)將Ag沉積在InGaN/Ga N MQWs上,然后通過快速熱退火處理制備Ag納米粒子。通過改變Ag的沉積時間獲得了具有不同Ag納米粒子形貌的樣品。用原子力顯微鏡對各樣品的Ag納米粒子形貌和尺寸進行了表征,并且測試了吸收譜、室溫和變溫PL譜及時間分辨光致發(fā)光（TRPL）譜。結(jié)果表明:隨著Ag沉積時間的延長,所得Ag納米粒子粒徑增大,粒子縱橫比先增大后減小且吸收譜峰紅移。由于不同形貌的Ag納米粒子在入射光作用下產(chǎn)生的局域表面等離激元（LSPs）與MQWs中激子耦合強度不同,光發(fā)射能力也不同,與沒有Ag納米粒子的樣品相比,沉積時間為15 s的樣品室溫PL積分強度被抑制6.74倍,沉積時間為25 s和35 s的樣品室溫PL積分強度分別增強1.55和1.72倍且峰位發(fā)生紅移,沉積時間為45 s的樣品室溫PL積分強度基本沒有變化。TRPL與變溫PL的測試結(jié)果證明,室溫PL積分強度的改變是由于LSPs與MQWs中的激子耦合作用引起的�？v橫比大且吸收譜與MQWs的PL譜交疊大... 

【文章來源】：發(fā)光學(xué)報. 2017,38(03)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

具有不同攤沉積時間的InGaN/GaN

第3期許恒，等:局域表面等離激元對InGaN/GaN多量子阱發(fā)光效率的影響3271.000.751555Depositiontime/sAspectratio0.500.250（b）253545406080100120140160406080100120140160Diameter/nmDensity/滋m-2AspectratioDiameter46.8Dersity02.0S51.51.00.52.0滋m1.51.00.5滋mnm22.30.32.0S31.51.00.52.0滋m1.51.00.5滋mnm34.0-0.92.0S41.51.00.52.0滋m1.51.00.5滋mnm2.002.0S11.51.00.52.0滋m1.51.00.5滋mnm0.62.0S21.51.00.52.0滋m1.51.00.5滋mnm（a）5.0圖1(a)具有不同Ag沉積時間的InGaN/GaNMQWs樣品表面AFM形貌圖;(b)各樣品Ag納米粒子的粒徑、縱橫比及密度統(tǒng)計圖。Fig．1(a)AFMimagesofsurfacemorphologyofInGaN/GaNMQWssampleswithdifferentAgdepositiontime．(b)Statisticalgraphofdiameter，aspectratioanddensityofAgnanoparticles．450650姿/nmAbsorbance/a.u.400500550600S2S4S3S5PLPLintensity/a.u.圖2室溫時Ag納米粒子吸收譜和InGaN/GaNMQWsPL譜對比圖Fig．2AbsorbancespectraofAgnanoparticlesandPLspec-trumofInGaN/GaNMQWsatroomtemperature420520姿/nmPLintensity/a.u.400440460480500×5S1S2S3S4S5圖3具有不同Ag沉積時間的InGaN/GaNMQWs樣品的室溫PL譜Fig．3ＲoomtemperaturePLspectraofInGaN/GaNMQWswithdifferentAgdepositiontime

第3期許恒，等:局域表面等離激元對InGaN/GaN多量子阱發(fā)光效率的影響3271.000.751555Depositiontime/sAspectratio0.500.250（b）253545406080100120140160406080100120140160Diameter/nmDensity/滋m-2AspectratioDiameter46.8Dersity02.0S51.51.00.52.0滋m1.51.00.5滋mnm22.30.32.0S31.51.00.52.0滋m1.51.00.5滋mnm34.0-0.92.0S41.51.00.52.0滋m1.51.00.5滋mnm2.002.0S11.51.00.52.0滋m1.51.00.5滋mnm0.62.0S21.51.00.52.0滋m1.51.00.5滋mnm（a）5.0圖1(a)具有不同Ag沉積時間的InGaN/GaNMQWs樣品表面AFM形貌圖;(b)各樣品Ag納米粒子的粒徑、縱橫比及密度統(tǒng)計圖。Fig．1(a)AFMimagesofsurfacemorphologyofInGaN/GaNMQWssampleswithdifferentAgdepositiontime．(b)Statisticalgraphofdiameter，aspectratioanddensityofAgnanoparticles．450650姿/nmAbsorbance/a.u.400500550600S2S4S3S5PLPLintensity/a.u.圖2室溫時Ag納米粒子吸收譜和InGaN/GaNMQWsPL譜對比圖Fig．2AbsorbancespectraofAgnanoparticlesandPLspec-trumofInGaN/GaNMQWsatroomtemperature420520姿/nmPLintensity/a.u.400440460480500×5S1S2S3S4S5圖3具有不同Ag沉積時間的InGaN/GaNMQWs樣品的室溫PL譜Fig．3ＲoomtemperaturePLspectraofInGaN/GaNMQWswithdifferentAgdepositiontime

【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
[1]利用表面等離激元技術(shù)提高發(fā)光二極管發(fā)光效率的研究[D]. 林異株.山東大學(xué) 2011



本文編號：3504287