SiC_P/Al復(fù)合材料具有高熱導(dǎo)率、高強(qiáng)度、低熱膨脹系數(shù)、低密度等優(yōu)異性能,其作為電子封裝材料的作用受到眾多研究工作者的重視。無壓熔滲法作為一種制備含高體積分?jǐn)?shù)SiC復(fù)合材料的有效方法,具有制備工藝簡單、可近凈成形等優(yōu)點(diǎn)。目前SiC_P/Al復(fù)合材料的制備工藝和原理已經(jīng)研究的比較成熟,但其工業(yè)化生產(chǎn)在國內(nèi)未得到推廣,生產(chǎn)的產(chǎn)品性能也與國外有一定的差距,需要進(jìn)一步提高。本文采用添加Al₂O₃助燒劑來改善SiC顆粒的結(jié)合,通過掃描電鏡（SEM）、電子散射能譜（EDS）、X射線衍射儀（XRD）等技術(shù)分析了添加氧化鋁助燒劑對(duì)原料處理、預(yù)制件制備、熔滲溫度、熔滲時(shí)間、復(fù)合材料的界面反應(yīng)和物理性能的影響。主要為:（1）研究了HCl和HF的混合酸對(duì)SiC粉料中的雜質(zhì)和顆粒表面氧化層的去除效果;分別將SiC顆粒在1600℃氧氣和2050℃氬氣中進(jìn)行高溫預(yù)處理,分析了SiC顆粒的鈍化情況;SiC顆粒預(yù)氧化后在顆粒表面生成一層致密的SiO₂薄膜,且SiO₂的結(jié)構(gòu)為方石英;通過自... 

【文章來源】：合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

封裝層次Fig1.1Packingarrangement

鑄造法鑄造法[11]是一種適用于工業(yè)化生產(chǎn)顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料的鑄造法生產(chǎn) SiCp/Al 復(fù)合材料基本原理是將 SiC 顆粒在外力的合金熔體中，通過一定方式的外力攪拌使 SiC 顆粒均勻分布在后澆鑄成形，其原理示意圖如圖 1.2。其優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)流程簡單產(chǎn)成本低廉，容易實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。該方法存在的問題有：了提高增強(qiáng)效果要求加入小尺寸增強(qiáng)體顆粒，通常是 10～30與鋁合金熔體之間的潤濕性差，不易進(jìn)入和均勻分散在鋁合金顆粒易出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象；力攪拌容易造成鋁合金熔體的氧化和大量空氣的吸入，破壞iC 顆粒和鋁合金之間存在密度差異，在停止攪拌或澆鑄的過程粒下沉現(xiàn)象，造成 SiC 顆粒在鋁合金基體中分布均勻性差；高復(fù)合材料中 SiC 顆粒體積分?jǐn)?shù)易出現(xiàn)攪拌負(fù)荷增大，復(fù)合，因此用此法只能制備 SiC 體積分?jǐn)?shù)不超過 20%的 SiCp/Al 復(fù)

效改善液態(tài)鋁和 SiC 陶瓷顆粒間的浸潤性，促進(jìn) SiC SiCp/Al復(fù)合材料雖然存在一定的局限性，難以制備出Al 復(fù)合材料滿足電子封裝的要求，但其在制備過程中的技術(shù)對(duì)于其它方法制備SiCp/Al復(fù)合材料有很高的一種常見的壓力鑄造制備 SiCp/Al 復(fù)合材料的方法，一定形狀的 SiC 多孔預(yù)制件，然后將 SiC 預(yù)制件放入度，最后向鑄型模具中澆入液態(tài)的金屬鋁或鋁合金，液體滲入預(yù)制件，去壓冷卻后得到 SiCp/Al 復(fù)合材料1.3。由于可以在鋁液進(jìn)入預(yù)制件時(shí)施加一定外部壓力，工藝穩(wěn)定性好，能有效減少產(chǎn)物的氣孔和縮孔，對(duì)低。缺點(diǎn)是對(duì)模具的耐壓性和氣密性要求高，生產(chǎn)成薄壁的零件。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]SiC顆粒表面處理及制備工藝對(duì)SiCp/6066Al復(fù)合材料組織和性能的影響[D]. 孫旭煒.西南大學(xué) 2006



本文編號(hào)：3334344