發(fā)布時(shí)間：2021-08-10 14:11

　　高陶瓷含量SiC/Al復(fù)合材料具有高比強(qiáng)度、高比剛度、高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)以及低密度等優(yōu)點(diǎn)，是航空航天領(lǐng)域用大功率電子器件用理想的管殼材料。熔體真空壓力浸滲多孔陶瓷是制備SiC/Al復(fù)合材料的重要工藝手段，但所制備的SiC/Al復(fù)合材料易出現(xiàn)孔隙和分層開(kāi)裂等缺陷。本文基于鑄造仿真模擬軟件ProCAST，對(duì)真空壓力浸滲工藝的全程進(jìn)行數(shù)值模擬研究，以期深入分析復(fù)合材料缺陷產(chǎn)生機(jī)制，優(yōu)化復(fù)合材料浸滲工藝，制備出合格的SiC/Al復(fù)合材料。主要研究成果如下。掌握了熔體在復(fù)雜三維連通微孔內(nèi)浸滲充型過(guò)程和凝固冷卻過(guò)程的數(shù)值模擬技術(shù)。采用ProCAST的Inverse模塊實(shí)現(xiàn)了數(shù)值模擬模型中界面換熱系數(shù)的優(yōu)化，提高了模擬的精度；突破了基于多孔陶瓷真實(shí)孔隙特征建模技術(shù)，準(zhǔn)確再現(xiàn)了三維連通復(fù)雜孔隙內(nèi)熔體充型過(guò)程流動(dòng)停頓的特殊現(xiàn)象；通過(guò)采用簡(jiǎn)化微孔模型建模技術(shù)，獲得了微米孔隙中熔體充型流動(dòng)中壓力損失數(shù)據(jù)，以及熔體凝固冷卻過(guò)程中殘余應(yīng)力的分布。準(zhǔn)確預(yù)報(bào)了復(fù)合材料板內(nèi)縮松位置和殘余應(yīng)力分布，科學(xué)解釋了復(fù)合材料內(nèi)孔隙和分層開(kāi)裂的形成機(jī)制。通過(guò)對(duì)真空氣壓浸滲過(guò)程的模擬發(fā)現(xiàn)，熔體在復(fù)雜三維連通微米孔隙中充型流動(dòng)時(shí)... 

【文章來(lái)源】：北京理工大學(xué)北京市 211工程院校 985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：100 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

DIP型封裝結(jié)構(gòu)示意圖

固態(tài)金是過(guò)成態(tài)成型法是以金屬或成形和燒結(jié)圖 1.2 SiCP/或用金屬粉結(jié)，制造金/Al 復(fù)合材料粉末（或金金屬材料、料主要制備屬粉末與非復(fù)合以及各備方法非金屬粉末各種類型制末的制品

以金屬或形和燒結(jié)Cs 的傳統(tǒng)或用金屬粉結(jié)，制造金統(tǒng)工藝。圖粉末（或金金屬材料、圖 1.3 是粉屬粉末與非復(fù)合以及各粉末冶金的非金屬粉末各種類型制的流程圖。末制

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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[3]壓力浸滲制備Al2O3p/ZL104復(fù)合材料及有限元模擬[D]. 鐘娟.哈爾濱工程大學(xué) 2006
[4]電子封裝SiCp/Al 復(fù)合材料性能及影響因素研究[D]. 王磊.南昌航空工業(yè)學(xué)院 2006
[5]氣壓浸滲法制備Al/SiCp電子封裝材料的研究[D]. 閆慶.西北工業(yè)大學(xué) 2006



本文編號(hào)：3334207