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氧化物納米顆粒對(duì)有機(jī)太陽電池性能的影響

發(fā)布時(shí)間:2021-06-19 19:56
  有機(jī)太陽電池(OSCs)由于具有成本低、重量輕、柔性化、可卷對(duì)卷生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注。然而,由于有機(jī)材料具有激子擴(kuò)散長度較短和載流子遷移率較低的特點(diǎn),因此將活性層的厚度限制在100 nm左右,但這種做法降低了活性層的光吸收效率,從而影響了器件的性能。為了解決活性層的光吸收問題,通常引入光子晶體、襯底織構(gòu)化處理、金屬誘導(dǎo)局部表面等離激元共振等光管理方案來實(shí)現(xiàn)在不增加活性層厚度的情況下提高活性層的光吸收。本文主要研究氧化物納米顆粒對(duì)P3HT:PC61BM有機(jī)太陽電池性能的影響,探索并總結(jié)提高P3HT:PC61BM有機(jī)太陽電池性能的研究方案。本文的研究工作主要包括以下幾個(gè)方面:(1)通過改變活性層P3HT:PC61BM溶液的濃度和旋涂速度來控制薄膜厚度,進(jìn)而優(yōu)化器件性能。結(jié)果表明:P3HT和PC61BM溶液濃度為20 mg/mL,旋涂速度為1000 rpm/min,退火溫度為100 oC時(shí),退火時(shí)間為15 min,器件的性能最優(yōu),其光電轉(zhuǎn)換效率為2.11%。(2)研究了SiO

【文章來源】:蘭州大學(xué)甘肅省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:74 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

氧化物納米顆粒對(duì)有機(jī)太陽電池性能的影響


(a)世界能源發(fā)展趨勢(shì)(b)各類能源消費(fèi)量目前研究和開發(fā)的太陽電池主要是晶硅太陽電池和薄膜太陽電池,其中晶硅太陽電池已經(jīng)在實(shí)際生活中得到應(yīng)用,其光電轉(zhuǎn)換效率基本在8%20%范圍之

空間電荷區(qū)


圖 1.2 p-n 結(jié)空間電荷區(qū)工作過程是基于 p n 結(jié)的光生伏特效應(yīng)。當(dāng)太陽能量的光子能夠?qū)㈦娮訌墓矁r(jià)鍵中激發(fā),使得價(jià)共價(jià)鍵的束縛躍遷到導(dǎo)帶中成為自由電子,以在內(nèi)建電場的作用下,電子向 n 區(qū)運(yùn)動(dòng),空穴向形成了光生電場,其方向與內(nèi)建電場相反。光生部分使 p 區(qū)帶正電、n 區(qū)帶負(fù)電,從而產(chǎn)生光生電流。太陽能電池的等效電路如圖 1.3 所示。在電池時(shí),太陽電池可以看成是恒流源(光生電流太陽電池還包含有電阻,主要包含兩類,一類是電阻和金屬電極自身電阻等構(gòu)成的串聯(lián)電阻(Rs及半導(dǎo)體晶體內(nèi)部缺陷等引起的并聯(lián)電阻(Rsh

等效電路圖,太陽電池,等效電路


圖 1.2 p-n 結(jié)空間電荷區(qū)工作過程是基于 p n 結(jié)的光生伏特效應(yīng)。當(dāng)太陽能量的光子能夠?qū)㈦娮訌墓矁r(jià)鍵中激發(fā),使得價(jià)共價(jià)鍵的束縛躍遷到導(dǎo)帶中成為自由電子,以致在內(nèi)建電場的作用下,電子向 n 區(qū)運(yùn)動(dòng),空穴向形成了光生電場,其方向與內(nèi)建電場相反。光生部分使 p 區(qū)帶正電、n 區(qū)帶負(fù)電,從而產(chǎn)生光生電流。太陽能電池的等效電路如圖 1.3 所示。在電池時(shí),太陽電池可以看成是恒流源(光生電流太陽電池還包含有電阻,主要包含兩類,一類是電阻和金屬電極自身電阻等構(gòu)成的串聯(lián)電阻(Rs)及半導(dǎo)體晶體內(nèi)部缺陷等引起的并聯(lián)電阻(Rsh)

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Recent Advances to Understand Morphology Stability of Organic Photovoltaics[J]. Antonio Guerrero,Germà Garcia-Belmonte.  Nano-Micro Letters. 2017(01)
[2]PEO作陰極修飾層提高有機(jī)光伏電池的穩(wěn)定性[J]. 田慧,徐昊,楊利營,印壽根,Inganas Olle.  光電子.激光. 2010(06)
[3]Film thickness effect on the performance of small molecular solar cell[J]. LIN Hui,YU Jun-sheng,HUANG Jiang,and JIANG Ya-dong State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,School of Optoelectronic Information,University of Electronic Science and Technology of China (UESTC),Chengdu 610054,China.  Optoelectronics Letters. 2008(05)

碩士論文
[1]半導(dǎo)體發(fā)光材料的光學(xué)特性表征及分析[D]. 鄭大宇.煙臺(tái)大學(xué) 2008



本文編號(hào):3238443

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