發(fā)布時(shí)間：2021-03-19 21:39

　　近年來,隨著柔性電路、柔性顯示等技術(shù)的迅速發(fā)展,要求電子產(chǎn)品所用的聚合物基底材料在耐高溫、低介電損耗、高力學(xué)強(qiáng)度、低熱膨脹系數(shù)（CTE）等方面的性能進(jìn)一步提高。聚酰亞胺（PI）材料具有優(yōu)異的綜合性能,在微電子行業(yè)有著廣泛的應(yīng)用。然而,傳統(tǒng)聚酰亞胺薄膜的CTE值偏高,在很大程度上限制了其在柔性電子設(shè)備上的應(yīng)用。因此在保持材料良好綜合性能的同時(shí),降低聚酰亞胺薄膜的CTE值是這類材料發(fā)展的重要方向。本文主要通過無機(jī)填料共混、高溫?zé)崽幚怼⒍嘣簿鄣确椒ㄖ苽涞虲TE且綜合性能優(yōu)異的聚酰亞胺薄膜材料。首先以PMDA-ODA型PI作為聚酰亞胺基體,分別選用云母、海泡石兩種硅酸鹽和三種不同的Si02作為填料制備復(fù)合薄膜,然后在綜合性能最佳的PI/SiO2復(fù)合膜的基礎(chǔ)上,對(duì)其進(jìn)行不同溫度的高溫?zé)崽幚?以期進(jìn)一步降低薄膜的CTE,同時(shí)探究最佳熱處理溫度。后期則通過多元共聚的方法,分別制備出PMDA-ODA-PDA、PMDA-TPEQ-PDA、PMDA-ODPA-PDA 及 PMDA-BPDA-PDA 型聚酰亞胺薄膜,探究剛性單體的種類及用量對(duì)聚酰亞胺薄膜的性能特別是CTE的影響,并探討了聚酰亞胺主鏈結(jié)構(gòu)的... 

【文章來源】：南京理工大學(xué)江蘇省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：92 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖２．１聚釀亞胺／？酸鹽復(fù)合膜的制備工藝路線圖??制備聚酰亞胺復(fù)合膜采用原位復(fù)合法，首先合成聚酰胺酸溶液，同時(shí)將云母或海泡??１５??

?Ｗａｖｅｎｕｍｂｅｒ／ｃｍ??圖２．２兩種ＰＩ復(fù)合膜的紅外光譜圖：（ａ）云母復(fù)合膜；（ｂ）海泡石復(fù)合膜??兩種ＰＩ復(fù)合膜的紅外光譜圖如圖２．２所示。聚酰亞胺的特征吸收峰見表２．５。???表２．５聚酰亞胺基團(tuán)的特征吸收峰???特征吸收峰?ＣＯ不對(duì)稱伸縮?Ｃ＝０對(duì)稱伸縮?Ｃ－Ｎ伸縮?Ｃ＝０彎曲??文獻(xiàn)值（ｃｔｒｆ１）?１７８０?１７２０?Ｂ８０?７２５??從圖中可以看出，兩種類型的聚酰亞胺復(fù)合膜都出現(xiàn)了聚酰亞胺的特征吸收峰，經(jīng)??熱亞胺化后，紅外譜圖上出現(xiàn)了?１７８０?ｃｎｆ１附近酰亞胺環(huán)上Ｃ＝０的不對(duì)稱伸縮振動(dòng)峰，??１７２０?ｃｍ—１附近酰亞胺環(huán)上００的對(duì)稱伸縮振動(dòng)，１３８０?ｃｎＴ１附近酰亞胺環(huán)上Ｃ－Ｎ基團(tuán)的??伸縮振動(dòng)，以及７２５?ｃｍ＇１附近酰亞胺環(huán)上００的彎曲振動(dòng)峰；另外，在ＭＳＯｃｎｆ１附近??沒有出現(xiàn)吸收峰，對(duì)應(yīng)為ＰＡＡ酰胺鍵的Ｃ＝０的特征吸收峰，說明所有樣品均己完成酰??亞胺化且具有較高的酰亞胺化程度。從紅外譜圖中我們可以觀察到，云母改性的聚酰亞??胺復(fù)合膜出現(xiàn)了在１０２８和７８０?ｃｍ—１的特征吸收峰，對(duì)應(yīng)為云母中Ｓｉ－０－Ｓｉ和Ａ１－０－Ａ１基??團(tuán)的特征吸收峰

會(huì)導(dǎo)致力學(xué)性能大幅下降。??２．３．４?Ｐ１復(fù)合膜的ＣＴＥ??兩種ＰＩ復(fù)合膜的ＴＭＡ曲線如圖２．３所示，ＴＭＡ記錄了材料受熱時(shí)其體積、面積、??長(zhǎng)度隨溫度變化的程度，通過ＴＭＡ可以計(jì)算材料的熱膨脹系數(shù)，即ＣＴＥ值。對(duì)于ＰＩ??薄膜材料，一般通過其線性ＣＴＥ來表征薄膜的尺寸穩(wěn)定性，ＣＴＥ值越低，說明材料的??１７??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[10]新型含酯基結(jié)構(gòu)的具有低線膨脹系數(shù)和吸水性的聚酰亞胺的合成[J]. 矯龍,宋永要,李巖,孫寧偉,陳春海,趙曉剛,黨國棟.  高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報(bào). 2014(10)

博士論文
[1]新型功能性聚酰亞胺的合成與性能研究[D]. 黃孝華.上海交通大學(xué) 2011

碩士論文
[1]含脂環(huán)的改性聚酰亞胺的合成及表征[D]. 許蕓蕓.東華大學(xué) 2007



本文編號(hào)：3090270