半導(dǎo)體金屬氧化物氣體傳感器因制作簡(jiǎn)單、成本低廉、響應(yīng)值高和穩(wěn)定性好等優(yōu)勢(shì)被廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、安全警報(bào)、室內(nèi)環(huán)境以及疾病診斷等多個(gè)領(lǐng)域。以In₂O₃和SnO₂為典型代表的n型半導(dǎo)體金屬氧化物,由于具有寬禁帶、導(dǎo)電性好、熱穩(wěn)定性強(qiáng)、易構(gòu)筑微觀形貌以及優(yōu)良的光電特性等特點(diǎn),被廣泛用于氣體傳感器、光電催化及轉(zhuǎn)化和磁學(xué)等領(lǐng)域。近年來(lái),研究成果不斷涌現(xiàn),然發(fā)展進(jìn)步的背后顯露出不可忽視的局限:單一半導(dǎo)體氣體傳感器在檢測(cè)過(guò)程中穩(wěn)定性較差、監(jiān)測(cè)靈敏度較低、選擇性較差以及對(duì)穩(wěn)定性較高的氣體分子檢測(cè)難度較大等。對(duì)其進(jìn)行修飾改性是提高氣體傳感器的靈敏度、穩(wěn)定性和選擇性行之有效的方法之一。貴金屬由于具有優(yōu)良的催化活性,可以加快材料表面層的電子轉(zhuǎn)移,從而達(dá)到提高氣敏性能的目的。本論文通過(guò)簡(jiǎn)單的浸漬法對(duì)特定形貌的In₂O₃和SnO₂半導(dǎo)體材料進(jìn)行微量貴金屬的修飾,并系統(tǒng)的研究了相關(guān)氣敏性能,實(shí)現(xiàn)了對(duì)有毒有害氣體實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)的目的。本文取得了以下的研究成果:（1）使用簡(jiǎn)單的浸漬法在納米片組... 

【文章來(lái)源】：吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
附表1 實(shí)驗(yàn)藥品及試劑
附表2 表征儀器
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 半導(dǎo)體金屬氧化物氣體傳感器概述
        1.2.1 半導(dǎo)體金屬氧化物氣體傳感器的研究進(jìn)展
        1.2.2 半導(dǎo)體金屬氧化物氣體傳感器的性能指標(biāo)
        1.2.3 半導(dǎo)體金屬氧化物氣體傳感器的氣敏機(jī)理
    1.3 半導(dǎo)體金屬氧化物氣敏材料概述
        1.3.1 常見(jiàn)半導(dǎo)體金屬氧化物氣敏材料概述
        1.3.2 半導(dǎo)體金屬氧化物氣敏材料的制備方法
    1.4 修飾對(duì)半導(dǎo)體金屬氧化物氣體傳感器氣敏性質(zhì)的影響
    1.5 本論文的選題立意及工作內(nèi)容
    參考文獻(xiàn)
2O₃空心納米微球?qū)pb級(jí)別甲醛氣敏性能的提升研究">第2章 Pt修飾的In₂O₃空心納米微球?qū)pb級(jí)別甲醛氣敏性能的提升研究
    2.1 引言
    2.2 實(shí)驗(yàn)部分
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)原料及試劑
2O₃納米復(fù)合材料的合成">        2.2.2 Pt修飾的In₂O₃納米復(fù)合材料的合成
        2.2.3 樣品表征
        2.2.4 氣體傳感器元件的制作
    2.3 結(jié)果與討論
2O₃微球和Pt修飾的In₂O₃復(fù)合材料的形貌表征">        2.3.1 多孔In₂O₃微球和Pt修飾的In₂O₃復(fù)合材料的形貌表征
2O₃多孔納米材料的氣敏性能研究">        2.3.2 Pt修飾In₂O₃多孔納米材料的氣敏性能研究
        2.3.3 氣敏機(jī)理
    2.4 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
2O₃超薄納米片對(duì)丙酮的高選擇性監(jiān)測(cè)">第3章 雙金屬Pt-Au納米催化劑修飾的In₂O₃超薄納米片對(duì)丙酮的高選擇性監(jiān)測(cè)
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)部分
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑及原料
xAu_y?In₂O₃納米片的合成">        3.2.2 Pt_xAu_y?In₂O₃納米片的合成
        3.2.3 材料表征及相關(guān)儀器
        3.2.4 氣體傳感器件的制作和測(cè)試
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 材料晶體分析及其形貌表征
xAu_y?In₂O₃納米片的氣敏性質(zhì)研究">        3.3.2 Pt_xAu_y?In₂O₃納米片的氣敏性質(zhì)研究
xAu_y?In₂O₃納米片的氣敏機(jī)理">        3.3.3 Pt_xAu_y?In₂O₃納米片的氣敏機(jī)理
    3.4 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
2納米微球低溫選擇性檢測(cè)一氧化碳">第4章 Pd修飾的SnO₂納米微球低溫選擇性檢測(cè)一氧化碳
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)部分
        4.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
2納米微球的合成">        4.2.2 Pd修飾的SnO₂納米微球的合成
        4.2.3 樣品的表征
        4.2.4 氣體傳感器元件的制作及測(cè)試
    4.3 結(jié)果與討論
2微球的結(jié)構(gòu)及形貌表征">        4.3.1 Pd-SnO₂微球的結(jié)構(gòu)及形貌表征
2微球的氣敏性能研究">        4.3.2 多孔4mol%Pd-SnO₂微球的氣敏性能研究
    4.4 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第5章 結(jié)論與展望
作者簡(jiǎn)介
碩士期間研究成果
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]In2O3電子結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)的第一性原理計(jì)算[J]. 張富春,張志勇,張威虎,閻軍峰,贠江妮.  化學(xué)學(xué)報(bào). 2008(16)



本文編號(hào)：3090239