半導體金屬氧化物氣體傳感器因制作簡單、成本低廉、響應值高和穩(wěn)定性好等優(yōu)勢被廣泛應用于環(huán)境監(jiān)測、安全警報、室內環(huán)境以及疾病診斷等多個領域。以In₂O₃和SnO₂為典型代表的n型半導體金屬氧化物,由于具有寬禁帶、導電性好、熱穩(wěn)定性強、易構筑微觀形貌以及優(yōu)良的光電特性等特點,被廣泛用于氣體傳感器、光電催化及轉化和磁學等領域。近年來,研究成果不斷涌現,然發(fā)展進步的背后顯露出不可忽視的局限:單一半導體氣體傳感器在檢測過程中穩(wěn)定性較差、監(jiān)測靈敏度較低、選擇性較差以及對穩(wěn)定性較高的氣體分子檢測難度較大等。對其進行修飾改性是提高氣體傳感器的靈敏度、穩(wěn)定性和選擇性行之有效的方法之一。貴金屬由于具有優(yōu)良的催化活性,可以加快材料表面層的電子轉移,從而達到提高氣敏性能的目的。本論文通過簡單的浸漬法對特定形貌的In₂O₃和SnO₂半導體材料進行微量貴金屬的修飾,并系統(tǒng)的研究了相關氣敏性能,實現了對有毒有害氣體實時監(jiān)測的目的。本文取得了以下的研究成果:（1）使用簡單的浸漬法在納米片組... 

【文章來源】：吉林大學吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：102 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
附表1 實驗藥品及試劑
附表2 表征儀器
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 半導體金屬氧化物氣體傳感器概述
        1.2.1 半導體金屬氧化物氣體傳感器的研究進展
        1.2.2 半導體金屬氧化物氣體傳感器的性能指標
        1.2.3 半導體金屬氧化物氣體傳感器的氣敏機理
    1.3 半導體金屬氧化物氣敏材料概述
        1.3.1 常見半導體金屬氧化物氣敏材料概述
        1.3.2 半導體金屬氧化物氣敏材料的制備方法
    1.4 修飾對半導體金屬氧化物氣體傳感器氣敏性質的影響
    1.5 本論文的選題立意及工作內容
    參考文獻
2O₃空心納米微球對ppb級別甲醛氣敏性能的提升研究">第2章 Pt修飾的In₂O₃空心納米微球對ppb級別甲醛氣敏性能的提升研究
    2.1 引言
    2.2 實驗部分
        2.2.1 實驗原料及試劑
2O₃納米復合材料的合成">        2.2.2 Pt修飾的In₂O₃納米復合材料的合成
        2.2.3 樣品表征
        2.2.4 氣體傳感器元件的制作
    2.3 結果與討論
2O₃微球和Pt修飾的In₂O₃復合材料的形貌表征">        2.3.1 多孔In₂O₃微球和Pt修飾的In₂O₃復合材料的形貌表征
2O₃多孔納米材料的氣敏性能研究">        2.3.2 Pt修飾In₂O₃多孔納米材料的氣敏性能研究
        2.3.3 氣敏機理
    2.4 本章小結
    參考文獻
2O₃超薄納米片對丙酮的高選擇性監(jiān)測">第3章 雙金屬Pt-Au納米催化劑修飾的In₂O₃超薄納米片對丙酮的高選擇性監(jiān)測
    3.1 引言
    3.2 實驗部分
        3.2.1 實驗試劑及原料
xAu_y?In₂O₃納米片的合成">        3.2.2 Pt_xAu_y?In₂O₃納米片的合成
        3.2.3 材料表征及相關儀器
        3.2.4 氣體傳感器件的制作和測試
    3.3 結果與討論
        3.3.1 材料晶體分析及其形貌表征
xAu_y?In₂O₃納米片的氣敏性質研究">        3.3.2 Pt_xAu_y?In₂O₃納米片的氣敏性質研究
xAu_y?In₂O₃納米片的氣敏機理">        3.3.3 Pt_xAu_y?In₂O₃納米片的氣敏機理
    3.4 本章小結
    參考文獻
2納米微球低溫選擇性檢測一氧化碳">第4章 Pd修飾的SnO₂納米微球低溫選擇性檢測一氧化碳
    4.1 引言
    4.2 實驗部分
        4.2.1 實驗試劑
2納米微球的合成">        4.2.2 Pd修飾的SnO₂納米微球的合成
        4.2.3 樣品的表征
        4.2.4 氣體傳感器元件的制作及測試
    4.3 結果與討論
2微球的結構及形貌表征">        4.3.1 Pd-SnO₂微球的結構及形貌表征
2微球的氣敏性能研究">        4.3.2 多孔4mol%Pd-SnO₂微球的氣敏性能研究
    4.4 本章小結
    參考文獻
第5章 結論與展望
作者簡介
碩士期間研究成果
致謝


【參考文獻】：
期刊論文
[1]In2O3電子結構與光學性質的第一性原理計算[J]. 張富春,張志勇,張威虎,閻軍峰,贠江妮.  化學學報. 2008(16)



本文編號：3090239