云母基底上AZO/Ag/AZO柔性透明電極的制備及應用研究
發(fā)布時間:2021-01-01 17:32
透明導電薄膜因其具有較低的電阻率,和較高的透過率,被廣泛應用于液晶顯示、太陽能電池、LED等領域。目前商業(yè)上主要使用ITO,但是它資源稀缺,因此必須尋找ITO的替代品。AZO作為替代ITO的最佳選擇,但仍存在脆性大的缺點,不能滿足柔性電子設備的使用與發(fā)展,在AZO中插入一層薄薄的Ag卻能很好的解決這一問題,并且明顯提高薄膜的導電性。生長這類柔性透明導電薄膜常選用的基底主要是聚合物基底,它們具有良好的柔性,但不耐高溫、易老化。然而云母卻同時具有這兩個優(yōu)異的性質,具有柔性,耐高溫可達1000℃;且光學透過率高,所以它是一種優(yōu)異的柔性透明基底。本文采用磁控濺射技術,在云母基底上沉積了AZO/Ag/AZO多層透明導電薄膜。研究了Ag層厚度對多層透明導電薄膜結構和性能的影響;再對Mica/AZO/Ag/AZO多層膜柔性和耐高溫性能進行了研究;最后將其作為電極應用于全透明柔性場效應晶體管中。具體研究結果如下:(1)在Ag插入層厚度對薄膜綜合性能的影響研究中,隨著Ag層厚度的增加,Mica/AZO/Ag/AZO薄膜的電阻率單調降低,透過率呈現(xiàn)先降低再增加最后再降低的變化趨勢,Ag層厚度為8 nm的樣...
【文章來源】:西南科技大學四川省
【文章頁數(shù)】:65 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
主要的TCO薄膜材料Fig.1-1TCOfilmmaterials
圖 1-2 熱處理條件對 ITO/Ag/ITO 薄膜性能的影響[37] Effect of annealing conditions on the properties of ITO/Ag/IT近,Cho 等人[39]利用磁控濺射技術在 PES 基底上制備了 AZO明導電薄膜,當 Ag 層厚度為 9 nm 時,獲得最佳性能,電阻cm,在 550 nm 處獲得最大透過率為 88%。Kim 等人[40]也研O/Ag/AZO 多層電極性能的影響,他們通過射頻磁控濺射技制備了多層柔性透明電極,研究了 Ag 層厚度對電極綜合性能明當薄膜厚度為 36/19/36 nm 時薄膜質量最佳,即使在 1000 薄膜電阻率無明顯變化。Sahu 等人[41]利用電子束蒸發(fā)法在了 AZO/Ag/AZO 多層透明導電薄膜,研究了熱處理對多層果顯示 AZO/Ag(11 nm)/AZO 多層透明導電薄膜在 400 的方塊電阻從 7.7 Ω/□降至 5.3 Ω/□,并且透過率也有略微提etal/TCO 結構的多層透明導電薄膜在電阻率與柔性方面,雖破,但是不耐高溫,因此還需要繼續(xù)深入研究。
圖 1-2 熱處理條件對 ITO/Ag/ITO 薄膜性能的影響[37]Fig.1-2 Effect of annealing conditions on the properties of ITO/Ag/ITO films[37]最近,Cho 等人[39]利用磁控濺射技術在 PES 基底上制備了 AZO/Ag/AZO多層透明導電薄膜,當 Ag 層厚度為 9 nm 時,獲得最佳性能,電阻率約為 5×10-5Ωcm,在 550 nm 處獲得最大透過率為 88%。Kim 等人[40]也研究了 Ag層對 AZO/Ag/AZO 多層電極性能的影響,他們通過射頻磁控濺射技術在 PET基底上制備了多層柔性透明電極,研究了 Ag 層厚度對電極綜合性能的影響,結果表明當薄膜厚度為 36/19/36 nm 時薄膜質量最佳,即使在 1000 次彎曲循環(huán)后,薄膜電阻率無明顯變化。Sahu 等人[41]利用電子束蒸發(fā)法在玻璃襯底上制備了 AZO/Ag/AZO 多層透明導電薄膜,研究了熱處理對多層膜性能的影響,結果顯示 AZO/Ag(11 nm)/AZO 多層透明導電薄膜在 400 ℃熱處理后薄膜的方塊電阻從 7.7 Ω/□降至 5.3 Ω/□,并且透過率也有略微提高。對于TCO/metal/TCO 結構的多層透明導電薄膜在電阻率與柔性方面,雖然做出了一些突破,但是不耐高溫,因此還需要繼續(xù)深入研究。
本文編號:2951703
【文章來源】:西南科技大學四川省
【文章頁數(shù)】:65 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
主要的TCO薄膜材料Fig.1-1TCOfilmmaterials
圖 1-2 熱處理條件對 ITO/Ag/ITO 薄膜性能的影響[37] Effect of annealing conditions on the properties of ITO/Ag/IT近,Cho 等人[39]利用磁控濺射技術在 PES 基底上制備了 AZO明導電薄膜,當 Ag 層厚度為 9 nm 時,獲得最佳性能,電阻cm,在 550 nm 處獲得最大透過率為 88%。Kim 等人[40]也研O/Ag/AZO 多層電極性能的影響,他們通過射頻磁控濺射技制備了多層柔性透明電極,研究了 Ag 層厚度對電極綜合性能明當薄膜厚度為 36/19/36 nm 時薄膜質量最佳,即使在 1000 薄膜電阻率無明顯變化。Sahu 等人[41]利用電子束蒸發(fā)法在了 AZO/Ag/AZO 多層透明導電薄膜,研究了熱處理對多層果顯示 AZO/Ag(11 nm)/AZO 多層透明導電薄膜在 400 的方塊電阻從 7.7 Ω/□降至 5.3 Ω/□,并且透過率也有略微提etal/TCO 結構的多層透明導電薄膜在電阻率與柔性方面,雖破,但是不耐高溫,因此還需要繼續(xù)深入研究。
圖 1-2 熱處理條件對 ITO/Ag/ITO 薄膜性能的影響[37]Fig.1-2 Effect of annealing conditions on the properties of ITO/Ag/ITO films[37]最近,Cho 等人[39]利用磁控濺射技術在 PES 基底上制備了 AZO/Ag/AZO多層透明導電薄膜,當 Ag 層厚度為 9 nm 時,獲得最佳性能,電阻率約為 5×10-5Ωcm,在 550 nm 處獲得最大透過率為 88%。Kim 等人[40]也研究了 Ag層對 AZO/Ag/AZO 多層電極性能的影響,他們通過射頻磁控濺射技術在 PET基底上制備了多層柔性透明電極,研究了 Ag 層厚度對電極綜合性能的影響,結果表明當薄膜厚度為 36/19/36 nm 時薄膜質量最佳,即使在 1000 次彎曲循環(huán)后,薄膜電阻率無明顯變化。Sahu 等人[41]利用電子束蒸發(fā)法在玻璃襯底上制備了 AZO/Ag/AZO 多層透明導電薄膜,研究了熱處理對多層膜性能的影響,結果顯示 AZO/Ag(11 nm)/AZO 多層透明導電薄膜在 400 ℃熱處理后薄膜的方塊電阻從 7.7 Ω/□降至 5.3 Ω/□,并且透過率也有略微提高。對于TCO/metal/TCO 結構的多層透明導電薄膜在電阻率與柔性方面,雖然做出了一些突破,但是不耐高溫,因此還需要繼續(xù)深入研究。
本文編號:2951703
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