In摻雜對p型Bi 0.3 Sb 1.7 Te 3 合金熱電性能的影響
發(fā)布時間:2020-12-21 08:38
以p型Bi0.3Sb1.7Te3合金為研究對象,探究In摻雜對其電聲傳輸性能的影響。研究發(fā)現(xiàn),隨著In含量的增加,Seebeck系數(shù)上升,電導率降低,且當In含量為0.025時材料具有最優(yōu)的PF,為37.02μW/(K2·cm)。此外,In摻雜增加了材料中點缺陷的濃度和晶格畸變的程度,加強了對聲子的散射,故材料熱導率下降。因此,當In含量為0.050時,樣品在401 K下有最優(yōu)的ZT,為1.11。本文為提升p型Bi0.3Sb1.7Te3合金熱電性能提供了一種行之有效的方法,增加了熱電材料實際應(yīng)用的潛力。
【文章來源】:稀有金屬與硬質(zhì)合金. 2020年04期 北大核心
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
不同In摻雜量的粉體樣品(a)和塊體樣品(b)的XRD圖譜
圖3為樣品功率因子(PF)隨溫度變化規(guī)律。由圖3可看出,In摻雜可以顯著提升材料的S,但是由于σ惡化,因此材料的PF并未得到顯著提升。當In含量為0.025時,材料的PF較未摻雜樣品有所增加,且在室溫下有最大的PF,數(shù)值為37.02 μW/(K2·cm);當In含量為0.075時,材料室溫的PF僅為29.50 μW/(K2·cm)。圖3 塊體樣品功率因子隨溫度變化曲線
塊體樣品功率因子隨溫度變化曲線
本文編號:2929535
【文章來源】:稀有金屬與硬質(zhì)合金. 2020年04期 北大核心
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
不同In摻雜量的粉體樣品(a)和塊體樣品(b)的XRD圖譜
圖3為樣品功率因子(PF)隨溫度變化規(guī)律。由圖3可看出,In摻雜可以顯著提升材料的S,但是由于σ惡化,因此材料的PF并未得到顯著提升。當In含量為0.025時,材料的PF較未摻雜樣品有所增加,且在室溫下有最大的PF,數(shù)值為37.02 μW/(K2·cm);當In含量為0.075時,材料室溫的PF僅為29.50 μW/(K2·cm)。圖3 塊體樣品功率因子隨溫度變化曲線
塊體樣品功率因子隨溫度變化曲線
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