相容劑LDPE-g-MAH對(duì)MgO摻雜聚乙烯復(fù)合薄膜空間電荷特性的影響
【學(xué)位單位】:哈爾濱理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類(lèi)】:TQ325.12;TB383.2
【部分圖文】:
為增加納米 MgO 顆粒與有機(jī)基體個(gè)問(wèn)題:1)對(duì)納米 MgO 顆粒表面進(jìn)行改性;文選用高分子偶聯(lián)劑(相容劑)來(lái)對(duì)聚乙烯基接枝低密度聚乙烯(LDPE-g-MAH)作為相容用的相容劑大部分是以馬來(lái)酸酐(MAH)作為端為相容劑材料的的反應(yīng)基團(tuán)或者官能團(tuán),活性相容劑制備較為容易。從結(jié)構(gòu)上來(lái)講,主要是的一部分與低密度聚乙烯基體有優(yōu)異的相容性酸酐端基,能夠與具有強(qiáng)極性的納米氧化鎂顆基體表面產(chǎn)生的極性官能團(tuán)和納米顆粒協(xié)同作用模型闡述相容劑馬來(lái)酸酐接枝低密度聚乙烯(LDPE材料相容性的影響,通過(guò)不同相容劑的作用機(jī)反應(yīng)型相容劑與非反應(yīng)型相容劑,以下是兩種不共混體系的模型,如圖 2-2。
該模型認(rèn)為,這種界面區(qū)域約為 2-9nm 厚的三層結(jié)構(gòu),而這三層結(jié)構(gòu)包括:納米顆粒表面的鍵合成、處于中間位置的邊界層與緊鄰聚合物基體的松散層。由于在電場(chǎng)條件下,兩相界面區(qū)域會(huì)收到電場(chǎng)影響,存在庫(kù)侖力的相互疊加,當(dāng)聚合物基體中有可移動(dòng)的電荷時(shí),在 Gouy-Chapnan 擴(kuò)散層內(nèi)會(huì)存在納米粒子與聚合物基體的界面處會(huì)感應(yīng)出與基體相反極性的電荷分布,該感應(yīng)電荷的分布遵循 Born 近似值的原則。當(dāng)納米粒子的間距比較小時(shí),界面區(qū)域會(huì)出現(xiàn)重疊的情況。Tanaka 等人運(yùn)用多核結(jié)構(gòu)模型闡述了納米復(fù)合電介質(zhì)材料所具有的耐MgOMgO納米顆粒/相容劑/基體,所形成的界面部分聚乙烯基體納米 MgO 表面 相容劑官能團(tuán)
哈爾濱理工大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文e)最后,把壓制成膜的 MgO/LDPE-g-MAH/LDPE 實(shí)驗(yàn)樣品于真空干燥箱中干燥 24 小時(shí),以避免水分與樣品內(nèi)部的殘留應(yīng)力對(duì)實(shí)驗(yàn)的影響。3.2.3 LM 與 GLM 型樣品的結(jié)構(gòu)表征本實(shí)驗(yàn)采用掃描電鏡(SEM)來(lái)對(duì)樣品進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征。所測(cè)試樣品為質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 1wt%的 MgO 填料摻雜 LDPE(LM 型)樣品與 1wt%的 MgO 填料摻雜經(jīng)相容劑改性的 LDPE(GLM-1 型)樣品,主要是為了觀察納米填料在 LDPE基體中的分散情況及在經(jīng)相容劑改性的 LDPE 基體中的分散情況。
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2864350
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