氧缺陷納米材料的合成及其在有機(jī)催化中的應(yīng)用
【學(xué)位單位】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類(lèi)】:TB383.1;O643.36
【部分圖文】:
[M]而空位是一種非常重要和常見(jiàn)的點(diǎn)缺陷,指的是理想晶體中,原??本應(yīng)該被占據(jù)的格點(diǎn)現(xiàn)在卻空著。用Vacancy單詞中的第一個(gè)字母V來(lái)表示,??如圖1.1所示,以某離子晶體氧化物M0為例,若M2+空位,則晶體中多了兩個(gè)??負(fù)電荷,表示為V;若02空位,則晶體中多了兩個(gè)正電荷,表示為V。'若看??到表示為V3DVX的空位,則表示的是原子空位?梢园凑湛瘴坏那樾螌⑵浞譃??2??
的高效光催化劑。Liu等報(bào)道了一種具有氧空位的Bi2W06納米片,其中氧空位能??夠提高費(fèi)米能級(jí)并降低能帶邊,允許在近紅外激發(fā)下進(jìn)行帶間躍遷和載流子產(chǎn)??生,因此提高了太陽(yáng)能的利用率。[23]如圖1.3所示,Sim等報(bào)道了一種具有氧??缺陷的金紅石結(jié)構(gòu)的Ti02納米棒材料,并研宄了其光催化活性。以02是一種應(yīng)??用最為廣泛的光催化劑半導(dǎo)體材料,然而其帶隙寬,所以只能對(duì)紫外激發(fā)有響??應(yīng),而紫外光在太陽(yáng)光中所占低于5%,大大降低了太陽(yáng)能的利用率。另一方面,??1^02中光生電子和空穴對(duì)復(fù)合速率非?,熱電子擴(kuò)散速率慢,因此限制了?Ti02??的實(shí)際應(yīng)用。而引入氧空位后,其光催化性能遠(yuǎn)優(yōu)于滿(mǎn)足化學(xué)定比定律的Ti02??納米棒,原因是缺陷能夠幫助電荷分離,也就是光生電子或空穴能夠被氧空位??捕獲,因此降低電荷復(fù)合速率,而且氧空位還能提高載流子密度,增加導(dǎo)電性,??進(jìn)而提高材料的光催化性能。[24]除此之外
P-M〇Z^^*%^?—■?????W??圖1.2?P-M〇03-X納米片制備過(guò)程。??1.2.?2光催化劑中的氧空位??太陽(yáng)能是一種可以隨意使用、清潔、無(wú)污染、取之不盡、用之不竭的資源,??因此太陽(yáng)能一直被認(rèn)為是世界上最有前途和應(yīng)用價(jià)值的可再生能源之一。想要??利用太陽(yáng)能,則必須有能夠捕獲吸收從紫外線到近紅外波長(zhǎng)的光譜的高效的半??導(dǎo)體光催化劑。而氧空位的引入能夠改變光催化劑的光催化活性和光響應(yīng)活性,??進(jìn)而提高材料的光催化性能。目前,有很多科研工作者制備合成了具有氧空位??的高效光催化劑。Liu等報(bào)道了一種具有氧空位的Bi2W06納米片,其中氧空位能??夠提高費(fèi)米能級(jí)并降低能帶邊,允許在近紅外激發(fā)下進(jìn)行帶間躍遷和載流子產(chǎn)??生,因此提高了太陽(yáng)能的利用率。[23]如圖1.3所示,Sim等報(bào)道了一種具有氧??缺陷的金紅石結(jié)構(gòu)的Ti02納米棒材料
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