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圓柱高溫超導體中應力分布與斷裂行為研究

發(fā)布時間:2020-08-14 14:59
【摘要】:高溫超導材料可承載大電流與高俘獲場的特性,已廣泛應用于工程領域中,如:超導變壓器,高溫超導磁能存儲,磁流體發(fā)電機,超導核磁共振波譜儀,超導量子干涉儀等。高溫超導材料多為脆性陶瓷材料。制備過程中,不可避免存在夾雜、空洞、位錯等缺陷。這導致高溫超導體在實際應用過程中,由于缺陷的存在,將降低超導體的使用性能。因此高溫超導體勵磁過程中的力學特性,一直是研究者關注的重點。本學位論文主要基于非理想第II類高溫超導塊材,從理論上研究臨界電流密度均勻與非均勻的高溫超導體的力學穩(wěn)定性與裂紋擴展的研究。首先,推導了電磁力作用下長圓柱高溫超導體的應力分布表達式。再分析零場冷卻和場冷卻中降場階段時,超導體體內的應力分布。對比臨界態(tài)Bean模型、Kim模型,指數(shù)臨界態(tài)模型的長圓柱超導體內部的應力分布與其它的模型是不同的,很好地描述了實驗過程中,電磁體力先增大后減小的特性。此外,考慮高溫超導體臨界電流密度沿半徑減小的非均勻指數(shù)模型,分析高溫超導體磁化過程中,應力分布受非均勻性影響。結果表明,非均勻參數(shù)的不同對超導體內磁通密度的分布影響顯著,將導致磁化過程中,應力分布的變化。其次,研究了基于指數(shù)臨界態(tài)模型,含有中心貫穿裂紋的長圓柱超導體的斷裂問題。利用有限元軟件求解受電磁力加載的裂紋尖端處的應力強度因子。討論指數(shù)模型下,不同磁化過程,外磁場、裂紋長度對含有中心貫穿裂紋的長圓柱超導體的應力強度因子的影響規(guī)律。并與臨界態(tài)Bean模型和Kim模型對比,分析了指數(shù)模型的裂紋尖端應力強度因子的變化區(qū)別。為了更加全面探討電磁力對超導體的裂紋的影響,引入臨界電流密度沿著半徑增大的非均勻模型,分析非均勻參數(shù)的變化對磁化過程中超導體中心裂紋應力強度因子的影響,為設計高溫超導體的安全性有一定指導意義。最后,探討了受金屬套筒約束的中空圓柱高溫超導體在勵磁過程中的應力分布。利用平面應變方法,求解超導體內部的應力分布表達式與金屬套筒與超導體之間的接觸應力表達式。選用指數(shù)臨界態(tài)模型的場冷卻磁通密度分布,得到磁化過程中超導體內的應力分布,數(shù)據(jù)結果表明高溫超導體與金屬套筒的楊氏模量比,厚度比對超導體內的應力分布影響顯著。通過對比無金屬套筒約束的中空超導體,相同磁化條件下,受金屬套筒約束的中空圓柱超導體的拉應力明顯降低。選擇合適的材料參數(shù)與金屬套筒尺寸,將有效提高中空圓柱高超導體的力學性能。
【學位授予單位】:蘭州理工大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:TM26

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本文編號:2793182

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