聚(3-噻吩乙酸)復(fù)合材料的設(shè)計(jì)及在電化學(xué)傳感器中的應(yīng)用
【學(xué)位授予單位】:西南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TB33;O657.1
【圖文】:
西南大學(xué)碩士學(xué)位論文,c = 8.03 ,在單斜晶胞中 a = 7.83 ,b = 5.55 ,c = 8.20 ,β = 96 [15]。這些晶胞單元意味著二維聚合物鏈中噻吩環(huán)是反式構(gòu)象。透射電子顯微鏡(衍射(XRD)結(jié)果表明,當(dāng) CF3SO3-存在時(shí)聚甲基噻吩(PMeT)呈部分結(jié)晶了聚合物鏈呈螺旋結(jié)構(gòu)的假說(shuō),這種結(jié)構(gòu)意味著噻吩環(huán)的順式構(gòu)象[16]。諸如已經(jīng)在理論層面被驗(yàn)證[17],并通過(guò)掃描隧道顯微鏡(STM)觀測(cè)聚吡咯的實(shí)證實(shí)[18]。吩是典型的雜環(huán)導(dǎo)電聚合物,因此一般以 p-型摻雜為主,其還原態(tài)就是本征征態(tài)中含有能量較低的苯式結(jié)構(gòu)和能量較高的醌式結(jié)構(gòu)兩種共振式,如圖 1-人通過(guò)研究發(fā)現(xiàn)每個(gè)噻吩環(huán)中醌式結(jié)構(gòu)的能量要比苯式結(jié)構(gòu)的能量高約 0.7較高的電子親和勢(shì)和較低的電離勢(shì)[20]。
于本征態(tài)與氧化態(tài)(p 型摻雜)或還原態(tài)(n 型摻雜)之間能夠進(jìn)行可逆轉(zhuǎn)變,一種具有高電活性的物質(zhì)。然而,盡管聚噻吩能夠輕易且可逆地電氧化,但是的穩(wěn)定性很有限,因此電化學(xué) n 型摻雜通常較難實(shí)現(xiàn)。最終的摻雜導(dǎo)電過(guò)程是及聚合物鏈中用于電荷補(bǔ)償?shù)年庪x子的存在來(lái)表征的。于最高占據(jù)分子軌道(HOMO 軌道)與最低占據(jù)分子軌道(LUMO 軌道)的能氧化、還原電位(通過(guò)溶劑化能校正)相關(guān)[25, 26],因此電化學(xué)技術(shù)能夠提供關(guān)的共軛體系程度以及帶隙能大小的重要信息。然而,此類表征的實(shí)現(xiàn)并不簡(jiǎn)單他導(dǎo)電聚合物而言,聚噻吩的電化學(xué)行為取決于許多變量,例如膜厚度,基底及電解質(zhì)介質(zhì)的組成。這些變量在很大程度上控制聚合物中的電荷傳播和質(zhì)量質(zhì)和不同聚合物形式的溶劑化以及帶電位點(diǎn)之間的庫(kù)侖相互作用。由于帶電位間位置,電導(dǎo)率和電容隨著摻雜程度及電極電勢(shì)連續(xù)變化,這些變量的分析因雜。因此,雖然已經(jīng)推導(dǎo)出理論模型來(lái)解釋在固定位點(diǎn)上氧化還原聚合物的電圖 1-2 聚噻吩的 p-型摻雜示意圖Figure 1-2 The diagram of p-doping of polythiophene
4)聚合條件噻吩及其衍生物的電聚合涉及許多實(shí)驗(yàn)變量,例如溶劑、單體濃度、溫度、電極的材質(zhì)和形狀以及施加的電位范圍等。由于這些參數(shù)的多樣性和電聚合途徑的復(fù)雜性,電聚合條件在很大程度上決定了制備得到的聚合物的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。a.溶劑和支持電解質(zhì)電解介質(zhì)中溶劑對(duì)聚噻吩薄膜的結(jié)構(gòu)和性能產(chǎn)生較大的影響。溶劑必須同時(shí)滿足具有高介電常數(shù)及在高電勢(shì)下的良好的化學(xué)耐受性的雙重要求,高介電常數(shù)是為確保電解介質(zhì)中的離子電導(dǎo)率。盡管 3-甲基噻吩在水介質(zhì)中的電聚合已有報(bào)道,但所得材料的詳細(xì)特性沒(méi)有具體描述。有研究表明,電解介質(zhì)中存在的微量水會(huì)對(duì)電聚合反應(yīng)以及聚合物的共軛長(zhǎng)度和電導(dǎo)率產(chǎn)生不利影響[61, 68]。因此聚噻吩的制備通常是在高介電常數(shù)和低親核性的非質(zhì)子溶劑如[37, 57, 58, 69][70][71-73][74, 75]圖 1-3 噻吩的電聚合機(jī)理Figure 1-3 The mechanism of electropolymerization of thiophene
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