【摘要】：納米材料的研究范圍十分廣泛,內(nèi)容涵蓋極其豐富,其研究領(lǐng)域從原子團(tuán)到大塊塊體材料再延續(xù)到發(fā)展超薄二維納米結(jié)構(gòu)材料。繼石墨烯之后,IV-VI族窄帶隙半導(dǎo)體材料作為新型的量子功能材料,具有優(yōu)異的電學(xué)和光電性能,可被廣泛應(yīng)用于光探測器、光伏器件以及激光器等光電子領(lǐng)域。我們的主要工作是針對(duì)IV-VI族窄帶隙半導(dǎo)體SnSe,在SnSe薄膜以及GO/SnSe復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備、形貌結(jié)構(gòu)表征和光響應(yīng)性能測試等方面展開了比較系統(tǒng)的工作。主要研究內(nèi)容包括:1.在二氧化硅(Si02)表面實(shí)現(xiàn)了 SnSe薄膜的生長。通過調(diào)控SnSe生長過程中的溫度、壓強(qiáng)和載氣流速等生長條件,實(shí)現(xiàn)了 SnSe薄膜的可控制備。對(duì)生長出的SnSe薄膜進(jìn)行了一系列表征,并利用Si02襯底上生長的SnSe薄膜構(gòu)筑了簡易的光探測器。2.研究測試了利用SnSe薄膜構(gòu)筑的光探測器的光響應(yīng)性能。分別采用405nm、532nm、650nm、808nm和850nm的激光光源作為入射光,測試其電流-電壓特性和光開關(guān)特性,發(fā)現(xiàn)硒化錫在可見光到近紅外(NIR)范圍內(nèi)均有良好的響應(yīng),且其響應(yīng)具有速度快、穩(wěn)定性好、重復(fù)性高等優(yōu)良特性。3.通過在SnSe薄膜表面滴涂氧化石墨烯量子點(diǎn)溶液的方法實(shí)現(xiàn)GO對(duì)SnSe的修飾,并利用復(fù)合結(jié)構(gòu)構(gòu)筑光探測器。通過對(duì)GO/SnSe光響應(yīng)性能的研究。發(fā)現(xiàn)利用GO修飾SnSe,不僅可以明顯提高其光電流大小,還可以提高其光響應(yīng)速度,并且不影響器件光響應(yīng)的穩(wěn)定性和重復(fù)性。
【學(xué)位授予單位】：湘潭大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號(hào)】：TB34
【圖文】：

通過之前的研宄，我們發(fā)現(xiàn)石墨烯的每個(gè)碳原子通過與周圍的３個(gè)碳原子相逡逑連形成共價(jià)鍵，并且這些共價(jià)鍵是由每個(gè)碳原子的ｓｐ２雜化軌道與周圍碳原子相逡逑連的，同時(shí)，ｐ軌道和鄰近的其他碳原子一起構(gòu)成共軛體系＿，如圖１－２所示。逡逑石墨烯可以通過多種形式廣泛存在，比如：三維的石墨、一維的碳納米管以及球逡逑形的足球烯［１１１，但這些碳的同素異形體和石墨烯的形狀有所差異，如圖１－３所示。逡逑＿邐丨S肧肧脰芪體義希掊澹裕危㈠澹藻危掊澹掊危掊澹掊危掊澹㈠澹潁潁簦幔停媯悖義賢跡保彩┑腦詠峁雇跡歟ǎ蒎義獻(xiàn)源勇顧固卮笱У模耍澹危錚觶錚螅澹歟錚黿淌諭ü蛋氳姆椒ㄖ票賦鍪┮藻義俠�，石墨烯优覕棠道`擁繆災(zāi)剩郟保玻荼謊繡癡咼撬⑾鄭廡┯乓斕男災(zāi)適故╁義系玫攪斯惴旱墓刈�，策�蓯竊誑蒲Ъ頤塹難躚芯恐校故塹繾映痰墓ひ瞪義仙�，人们都开展了谅柈分广泛惦y繡場ｅ義顯謚暗謀ǖ樂�，石墨烯己经杯h(huán)⑾殖齪芏嚶乓斕牡繾擁繆災(zāi)剩保Γ保擔(dān)�。灾u義锨暗難芯恐�，牙C癡叻⑾質(zhì)┚哂杏乓斕目雇感�，这一虆Q允勾蟛糠治鎦識(shí)疾誨義夏芡腹

本文編號(hào)：2722778