針對大氣納米顆粒以及其他納米材料性能的研究
發(fā)布時間:2020-06-02 10:46
【摘要】:納米科學(xué)和納米技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展的必要條件。納米科學(xué)技術(shù)的發(fā)展與我們?nèi)粘I钕⑾⑾嚓P(guān),像人們平時用的智能手機(jī)、電腦、交通運(yùn)輸工具和醫(yī)學(xué)治療器件等電子設(shè)備已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用。在這篇論文中,我對基于高k和層狀電介質(zhì)的阻變式存儲器件的表征、物理效應(yīng)和機(jī)理分析工作進(jìn)行了總結(jié)。本論文主要包含兩部分內(nèi)容,具體如下:第一部分工作中,對一些納米尺度的高k和層狀電介質(zhì)材料在信息存儲技術(shù)上的應(yīng)用以及相關(guān)的制備工作進(jìn)行了研究。信息存儲容量正呈指數(shù)級增長,根據(jù)物聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展速度來看,預(yù)計在未來十年里,信息存儲技術(shù)的性能和技巧將會進(jìn)一步增強(qiáng)。在這個課題中,先探究了層狀電介質(zhì)多層氮化硼(h-BN)在阻變式存儲器中的應(yīng)用,主要是構(gòu)造金屬-絕緣體-金屬結(jié)構(gòu)的器件實現(xiàn)阻變開關(guān)(RS)功能。測試發(fā)現(xiàn)層狀介電質(zhì)h-BN在RS上展現(xiàn)良好的存儲性能;隨后又探索了不同高介電常數(shù)(高k)過渡態(tài)金屬氧化物在阻變式存儲器中的應(yīng)用,分析得出不同過渡態(tài)金屬氧化物在納米尺度的阻變存儲器件中的優(yōu)劣處;最后分別采用六方層狀氮化硼和高k氧化鈦薄膜電介質(zhì)材料作為絕緣層材料,通過改變制備條件和儲存環(huán)境,分析了器件的穩(wěn)定性,并發(fā)現(xiàn)了界面偶極子的屏蔽效應(yīng),進(jìn)一步探索該效應(yīng)的來源,以及發(fā)現(xiàn)通過在制備過程中引入額外的加熱處理來減弱電介質(zhì)屏蔽效應(yīng)從而提高器件整體的質(zhì)量和壽命。在第二部分工作中,分析了空氣污染物PM0.1的尺寸、形態(tài)、力學(xué)性能和化學(xué)成分等幾個方面的性質(zhì)。人們在日常生活中更多關(guān)注的是空氣中大顆粒物的性質(zhì)和影響,忽視了更小顆粒物的研究。實驗中利用掃描電子顯微鏡、能量散射X射線光譜儀和原子力顯微鏡等儀器對小顆粒物樣品進(jìn)行了測試,觀察到PM0.1總是球形鏈狀結(jié)構(gòu),它們表面也含有大量的碳和氧等化學(xué)元素,而且它們有很強(qiáng)的粘附力和形變力,甚至可以粘附到一些第三方物體上,例如AFM探針等。該研究對空氣污染的認(rèn)識提供了新的見解,也對先進(jìn)過濾器的設(shè)計和藥物生產(chǎn)提供了有價值信息。
【圖文】:
-。構(gòu)是金屬-絕緣層-金屬(MIM),在整則可以細(xì)致地描述為施加電壓從金屬結(jié)構(gòu)的細(xì)微變化,可能是材料內(nèi)部電等化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生從而觀察整體器件者“關(guān)”狀態(tài)[19]。阻變式存儲器的應(yīng)種類上著手,尋找阻變性能明顯,價科研學(xué)者會關(guān)注電子設(shè)備的微型化,和攜帶方便的優(yōu)點。不過也會遇到一件會有嚴(yán)重的電流泄露而導(dǎo)致信息遺信息存儲能力的曲線圖可以發(fā)現(xiàn),,我式X椉擁撓攀,也更需要努力去坛C嫻慕。辶x
本文編號:2693038
【圖文】:
-。構(gòu)是金屬-絕緣層-金屬(MIM),在整則可以細(xì)致地描述為施加電壓從金屬結(jié)構(gòu)的細(xì)微變化,可能是材料內(nèi)部電等化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生從而觀察整體器件者“關(guān)”狀態(tài)[19]。阻變式存儲器的應(yīng)種類上著手,尋找阻變性能明顯,價科研學(xué)者會關(guān)注電子設(shè)備的微型化,和攜帶方便的優(yōu)點。不過也會遇到一件會有嚴(yán)重的電流泄露而導(dǎo)致信息遺信息存儲能力的曲線圖可以發(fā)現(xiàn),,我式X椉擁撓攀,也更需要努力去坛C嫻慕。辶x
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